در صنعت سلول های خورشیدی، سلول های سیلیکنی بواسطه فراوانی مواد اولیه و گستردگی تجهیزات ساخت بیشترین سهم را از آن خود کرده اند. در میان سلول های سیلیکنی، ساختارهای هتروجانکشن آمورف/کریستالی به دلیل هزینه تولید پایین،پسیویشن مناسب و امکان دستیابی به بازده های بالا بسیار مورد توجه هستند. تا کنون سلول hit یا "هتروجانکشن با بکارگیری لایه نازک ذاتی" که توسط کمپانی سانیو ارائه شده، بالاترین بازده و به...

قطعات ساندویچی pbpc-clalpc وتک لایه های clalpc و pbpc بوسیله الکترون بیم گان روی زیر لایه شیشه با الکترود مس لایه نشانی شد. اندازه گیری هایdc انجام شده و رسم نمودار i-v در گستره دمایی294 تا 373 کلوین و گستره ولتاژ 0 تا 2.5 ولت رسم شد ونهایتا مقادیر انرژی فعالسازی برای قطعات ذکر شده به ترتیب 0.16 و0.22 و0.23 الکترون ولت بدست آمد. اندازه گیری ac در محدوده فرکانس 102-105 هرتز و محدوده دمایی ...

گرافین، تک لایه ی اتمی از کربن با ساختار لانه زنبوری، که اخیراً به طور تجربی ساخته شده به دلیل طیف شبه نسبیتی و کیفیت بالای الکترونی آن در سالهای اخیر به شدت مورد توجه قرار گرفته است. ویژگیهای ممتاز مکانیکی، شیمیایی و اپتیکی آن نیز بر میزان اهمیتش افزوده است. طیف الکترونی گرافین همانند یک شبه فلز، بدون گاف بوده و نوارهای رسانش و ظرفیت در گوشه های ناحیه ی اول بریلوئن موسوم به نقاط دیراک به هم می ...

در این تحقیق، خواص نوری و الکترونی فولرن -پلیمرهای ناهمسان به عنوان مدلی برای سلول های خورشیدی آلی در فاز گازی و حلال مورد بررسی قرار گرفت. پلیمرهای(2d( (1d)و (3d) به عنوان دهنده و c60، c70، pc60bm و pc60be به عنوان پذیرنده استفاده گردیدند. در این مطالعه سطوح انرژی، شکاف homo-lumo و انرژی بازآرایی توسط نظریه تابعیت چگالی (dft) بدست آمدند. نظریه dft وابسته به زمان (tddft) برای محاسبه خواص نوری آ...

در این تحقیق تجربی ریخت شناسی، خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک نانوساختار اکسید مس خالص (cuo) و ساختار پیوندگاهی ناهمگون cuo/zno:al رشد داده شده به روش افشانه تجزیه حرارتی را مورد بررسی قرار داده¬ایم. برای مشخصه یابی فیزیکی نمونه ها از دستگاه های میکروسکوپ الکترونی روبشی میدانی (fesem)، پراش پرتو ایکس (xrd)، طیف سنجی uv-vis و اندازه گیری جریان - ولتاژ و همچنین اثر سیبک استفاده کرد...

چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

با نیاز روزافزون تکنولوژی به سرعت بیشتر، ادوات با سرعت بیشتر جایگزین ادوات کم سرعت شده¬اند. تکنولوژی bjt (bipolar junction transistor) پاسخگویی مناسب نبوده و ترانزیستورهای دو قطبی نامتناجس hbtها (heterojunction bipolar transistor) توانسته¬اند نقص سرعت و توان bjtها را برطرف نمایند از طرفی هزینه ساخت پایین¬¬تری نسبت به ادوات نوری دارند. hbtها از ترکیب مواد گروه چهارم تشکیل می¬شوند، که در این پایا...

در دهه¬های اخیر ساخت ابزارهای الکترونیکی با استفاده از مواد نانومقیاس، تغییرات اساسی در صنعت الکترونیک ایجاد کرده است. انتخاب ماد? مناسب جهت ساخت ابزارهای الکترونیکی با عملکرد بالا با پای? نیم¬رساناهای ترکیبی با گاف نواری پهن، از مهم¬ترین مراحل است. از میان هم? اکسیدهای فلزی، zno به¬دلیل فرآیند ساخت آسان، گاف نواری مستقیم و پهن ev 37/3، انرژی پیوندی اکسایتونی بالا mev 60 و تنوع ریخت از مناسب¬تر...

ابتدا نانو ذرات پلی آنیلین را با استفاده از امواج فراصوت سنتز می کنیم سپس قطعات ساندویچی پیوند ناهمگن برموآلومینیوم فتالوسیانین وپلی آنیلین وقطعات تک لایه برمو آلومینیوم فتالوسیانین به روش زیرساخته می شوند. پس از تمیز کردن بستر پلی بروسیلیکان, ابتدا لایه ای از آلومینیوم به عنوان الکترود و با ضخامت 50±5 نانومتر از طریق لایه نشانی تبخیر گرمایی توسط تفنگ الکترونی در محفظه ای با فشار مناسب mbar 10...

چکیده ندارد.