قطعات اپتوالکترونیکی گالیوم نیترید می تواند در محدوده طیف وسیعی از مادون قرمز تا ماوراء بنفش نور گسیل کند، نیمه رساناهای نیتریدی گروه iii و آلیاژهای آن که به علت داشتن نوار انرژی بزرگ دارای پایداری حرارتی بالا هستند و درگسیل های نوری، گذار مستقیم دارند. بنابراین دارای پتانسیل لازم برای استفاده در قطعات توان بالا و بهره بالا می باشند. لذا برررسی بهره نوری و بهینه سازی آن میتواند کارکرد لیزرهای ن...

برای سیستم برهمکنشی از الکترونها و فونونها، هامیلتونی می تواند بصورت h = he + hph + he-ph توصیف شود. که he هامیلتونی برای الکترونهای در حال حرکت در حضور هسته های ثابت است، و hph هامیلتونی برای هسته های متحرک می باشد، که کوانتش توصیف کننده جابه جایی هسته ها«یونها» را فونون می نامند. قسمت he-ph جمله برهمکنشی بین الکترونها و فونونها را توصیف می کند. دیواره های کوانتومی نیمرسانا، ساختارهای جدیدی ...

لیزرهای نیم رسانا از مهمترین ابزارهای کلیدی در مخابرات نوری به شمار می روند. پیشرفت های روز افزون در زمینه تکنولوژی ساخت لیزرهای نیم رسانا به خصوص در طول موج 3/1و 55/1 میکرومتر موجب توجه بیشتر به تحقیقات در این زمینه شده است. که در این طول موج ها اتلاف و پراکندگی در فیبر نوری کمترین میزان خود را دارد. رایج ترین ترکیبات مورد استفاده جهت گسیل طول موج های فوق ترکیبات-?? فسفر دار می باشند که تحت عن...

با پیشرفت¬های چند دهه اخیر تکنولوژی خلا امکان ایجاد محیط¬هایی با فشار کمتر از ? 10?^(-11) torrفراهم شده است. در چنین شرایطی رشد لایه¬های نانومتری کیفیت نیمرسانا با چگالی ناخالصی زمینه کمتر از ?10?^14 atom?(cm^3 ) میسر شده است و متعاقب آن ساختارهای چند لایه¬ای نا¬متجانس نیمرسانا به کمک روش¬های پیشرفته¬ای مانند رونشانی پرتو مولکولی (mbe) رشد یافته¬اند. ساختارهای algaas/gaas/algaas به دلیل اینکه د...

فونون را می¬توان به عنوان کوانتوم امواج کشسانی (مکانیکی) حاصل از ارتعاشات اتم¬¬ها در جامدات تعریف کرد. به طور مشابه می¬توان فونون را به عنوان بسته موج متحرک در نظر گرفت که دارای خصوصیاتی مشابه یک فوتون (یعنی کوانتوم نوسانات الکترومغناطیسی) است. اندرکنش-های مرتبط با فونون¬ها نقش مهمی در خصوصیات فیزیکی جامدات بلورین و نیم¬رساناها دارد که نهایتاً بر کارآیی دستگاه¬های مرتبط از جمله قطعات نوری تأثیر ...

امواج تراهرتز در طیف الکترومغناطیسی، از نظر فرکانسی در حد فاصل محدوده علم الکترونیک و اپتیک قرار می گیرد. به همین دلیل تا مدت ها این محدوده فرکانسی، به گپ تراهرتز معروف بود. اما امروزه تحقیقات گسترده¬ای بر روی این بازه از فرکانس ها انجام می گیرد تا از روش های مختلف بتوان به فرکانس و توان تراهرتز مورد نظر دست یافت. در این پایان نامه تولید امواج پیوسته تراهرتز به روش فوتومیکس تحلیل و شبیه سازی شد...

دراین کار تحقیقاتی، اثر ماده افزودنی گالیم اکسید بر خواص و رفتار حسگری نانو کامپوزیت آن با قلع دی اکسید، روی اکسید و ایندیم اکسید بررسی شد. هم چنین اثر افزودنی های فریک اکسید و کبالت (ii) اکسید بر خواص و رفتار فوتوکاتالیستی نانوساختار های گالیم اکسید بررسی شد. نانوکامپوزیت ها با استفاده از روش ساده هم رسوبی سنتز شدند و با روش های xrd، bet، edx، pl، drs uv-vis، pzc، sem و tem شناسایی شدند. در بخ...

ساختارهای دور آلاییده در طراحی، مطالعه و عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی ( fet)کاربرد دارند. به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یا رسانش یک چاه کوانتومی شکل می گیرد، که باعث ایجاد یک گاز حامل دو بعدی در فصل مشترک ناهمگون این ساختارها می شود. به دلیل جدایی فضایی بین حامل های آزاد دو بعدی و ناخالصی های یونیده در ساختارهای دور آلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و در نتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی های یونی...

طر احی led مبتنی بر ساختار مواد gan پرداخته شده است که در ابتدا به ساختار کلی led و فرایندهای ساخت آن ذکر شده است. از جمله فرایندهای که در ساخت ادوات نیمه هادی انجام می گیرد شامل اکسیداسیون , افزودن ناخالصی (که هم به صورت نفوذ و کاشت یونی می توان انجام گیرد) لایه نشانی , رونشینی فاز بخار (که به صورت گسترده ای در ساخت led به کار می روند دارای اهمیت است.) رسوب خلاء , عمل کند وپاش , فتولیتوگرافی ...

یکی از تجهیزاتی که در تامین انرژی پاک به بشر کمک می‏کند سلول‏های خورشیدی است. اما سلول‏های خورشیدی cigs به دلیل آنکه عنصر ایندیوم در آن بکار رفته ‏است، از انواع دیگر سلول‏های خورشیدی پایدارتر است و همچنین قابل حمل و نسبتاً ارزان‏‏تر می‏باشد. در این تحقیق نکات مربوط به لایه‏نشانی مولیبدن که برای اتصال پشتی در سلول‏ خورشیدی cigs بکار می‏رود، مورد توجه قرارگرفت و مشکلات اکسید شدن، ترک‏خوردگی و قطع ...