بررسی خواص الکترونیکی و اپتیکی در اثر تغییر درصد اتم های na و k در ترکیب پیزوالکتریکی k2)x(na2)1-xtio3)

در این پایان نامه خواص الکترونیکی و اپتیکی ترکیبk2tio3 در حالت خالص و اثر جانشانی اتم na به جای اتم k و همچنین خواص الکترونیکی و اپتیکی ترکیب (k2)x(na2)1-xtio3 مطالعه شده است. محاسبات به روش امواج تخت تقویت شده خطی (fl-lapw) در چارچوب نظریه تابعی چگالی (dft) با تقریب شیب تعمیم یافته (gga) انجام شده است. خواص الکترونیکی شامل: ساختار نواری، چگالی حالت های کلی و چگالی ابر الکترونی وهمچنین خواص اپتیکی از جمله: تابع دی الکتریک ، تابع اتلاف انرژی الکترون، بازتابندگی، ضریب جذب، هدایت اپتیکی، ضریب شکست و ضریب خاموشی محاسبه و بررسی شده است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ترکیب k2tio3 گاف نواری غیر مستقیمی به اندازهev 58/3 دارد و با جانشانی اتم na این مقدار کاهش می یابد. درقسمت اپتیکی ، اثرجانشانی اتم na به جای kباعث افزایش ضریب شکست و بهبود خواص اپتیکی می گردد.