بررسی، ارزیابی و بهبود مدل های تحلیلی جریان در ترانزیستور اثر میدان تونلی (tfet)

در سال های اخیر کوچک سازی ترانزیستورهای cmos متداول به تکنولوژی های زیر 100 نانو متر برای دست یابی به چگالی مجتمع سازی بالاتر و سرعت بیشتر با چندین مشکل روبه رو شده است از جمله: افزایش سوئینگ زیر آستانه، جریان نشتی بالا در حالت خاموش، کاهش سد با القاء درین(dibl) و اثرات کانال کوتاه دیگر. ترازیستور اثر میدان تونلی(tfet) یکی از امید بخش ترین افزاره ها برای جایگزینی ترانزیستور اثر میدان فلز – اکسید – نیمه هادی(mosfet) است، بعلت سازگاری با تکنولوژی cmos، سوئینگ زیر آستانه کمتر از 60mv/dec و کاهش ولتاژ تغذیه به زیر 1 ولت.