بررسی اثرِ دمای زیر لایه و بازپُخت بر خواصِّ ساختاری و اپتیکی لایه های نازکِ سلِنید روی رشد داده شده به روش تجزیۀ گرمایی افشانه ای

اسناد مشابه

• بررسی اثرِ دمای زیر لایه و بازپُخت بر خواصِّ ساختاری و اپتیکی لایه‌های نازکِ سِلِنیدِ روی رشد داده شده به روشِ تجزیۀ گرمایی افشانه‌ای

  مقاله۲۰۱۵فیزیک کاربردیمحمد ابراهیم قاضی، مرتضی ایزدی فرد، مونس ثابتی

  لایه­های نازکِ سِلِنیدِ روی بر روی زیر لایۀ شیشه­ای در دماهای زیر لایۀ ºC 380 و 400 به روشِ تجزیۀ گرمایی افشانه­ای لایه نشانی و سپس در دمای ºC400 بازپُخت شدند. ساختارِ نمونه­ها با استفاده از طیف­های XRD و خواصِّ اپتیکی آن ها با استفاده از طیف سنجی نوری UV-Vis موردِ مشخّصه یابی قر

• مطالعه خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک اکسید روی آلایش شده با ناخالصی نیتروژن (ZnO:N) رشد یافته بر روی شیشه و لایه واسط ZnO به روش اسپری پایرولیزیز

  مقاله۲۰۱۵فیزیک کاربردیحسین عشقی، نرگس یاسین زاده

  لایه های نازک اکسید روی آلایش یافته با ناخالصی نیتروژن (ZnO:N) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی شیشه و نیز لایه واسط اکسید روی خالص در دمای 0C450 به روش اسپری پایرولیزیز سنتز شدند. طیف XRD نمونه ها نشان دهنده رشد نمونه ها به صورت بس بلوری در فاز ششگوشی بوده در حالی که جهتگیری ترجیح

• بررسی خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه نازک اکسید گرافن احیا شده بروش سنتز سبز

  مقاله۲۰۱۷دنیای نانوسعید صفاری، مهدی عادلی فرد

  لایه نازک گرافن به دلیل خواص فیزیکی، شیمیایی، مکانیکی و حرارتی منحصر به فرد خود دارای کاربردهای گسترده ای در بسیاری از زمینه های علم و فناوری است. سنتز لایه های نازک گرافن با روش ارزان، دوستدار محیط زیست و کیفیت بالا یک چالش بزرگ است. در کار حاضر، ابتدا پودر اکسید گرافن GO به روش

• تأثیر غلظت و ضخامت آلاینده آلومینیوم بر خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک دی اکسید قلع آلاییده با آلومینیوم

  مقاله۲۰۱۹علوم و مهندسی سطح ایرانبهاره آذروند حسن فرد، خدیجه ابراهیمی اردی

  در این کار تجربی لایههای نازک دیاکسید قلع آلاییده با آلومینیوم با ترکیبهای مختلفی از 5 تا 10 درصد جرمی آلومینیوم و 95 تا 90 درصد جرمی دیاکسید قلع بوسیله تبخیر با باریکه الکترونی بر روی زیرلایههای شیشهای نهشته شدند. سپس تاثیر غلظت آلاینده آلومینیوم و ضخامت بر خواص الکتریکی، اپتیکی

• مدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک GaAs به روش تبخیر شیمیایی

  مقاله۲۰۱۷فیزیک کاربردیمحمد حسین احسانی، محمود جلالی مهرآباد

  در این کار، شبیه سازی رشد لایه ی نازکGaAs به کمک روش تبخیر شیمیایی در محیط نرم افزار COMSOL Multiphysics انجام گردیده است. به منظور مقایسه نتایج شبیه سازی با نتایج تجربی، تمامی جزییات شبیه سازی و واکنش های مربوط به تشکیل GaAs بر مبنای یک آزمایش تجربی و نتایج آن صورت گرفت.جزئیات م

• خواص اپتیکی و ساختاری میلههای شش گوشی اکسید روی رشد داده شده به‌روش نشست بخار شیمیایی

  مقاله۲۰۱۹پژوهش فیزیک ایرانعلی ریحانی، محمدرضا خانلری، وحید واحدی

  در این پژوهش، میلههای هرمی شش گوشی اکسید روی نانوساختار با کیفیت ساختاری و اپتیکی بالا از طریق یک روش ساده مبتنی بر نشست بخار شیمیایی پودر Zn بدون استفاده از هیچ کاتالیست فلزی، رشد داده شدند. ریختشناسی سطح نمونهها با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مشخص گردید. نت