رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای MOSFET PD SOI در مقیاس نانومتر
نویسندگان
چکیده مقاله:
در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس 45 نانومتر ارائه می‌گردد. این مدل بر پایه شبیه‌سازی‌های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می‌شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص‌کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزار ISE-TCAD نشان داده می‌شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه‌ای ریاضی برای محاسبه مقاومت بدنه بر حسب متغییرهای پتانسیل بدنه و عرض افزاره، بیان می‌گردد. در نهایت نتایج شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزاری و رابطه ریاضی به دست آمده با آخرین نتایج به دست آمده مورد مقایسه قرار می‌گیرد. مقایسه نتایج، بهبود رابطه ریاضی ارائه شده را نشان می‌دهد.
منابع مشابه
رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای mosfet pd soi در مقیاس نانومتر
در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای pd soi در مقیاس 45 نانومتر ارائه می گردد. این مدل بر پایه شبیه سازی های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه سازی سه بعدی نرم افزار ise-tcad نشان داده می شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه ای ریاضی برای محاسبه مق...
متن کاملبررسی عملکرد ترانزیستورهای soi-mosfet در مقیاس نانو
وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشک...
15 صفحه اولCompact Modeled SOI MOSFET Circuits
SOI means Silicon on Insulator. This type of transistors has Silicon-Insulator-Silicon substrate which is different from conventional MOSFET structure where metal layer is used on the top of Insulator [1, . Now a days, the width of the oxide of a MOSFET is reduced from 300nm to 1.2nm and even less with scaling in technology. If it is further reduced, the leakage problems (majorly Sub-threshold ...
متن کاملBE SOI MOSFET: A very simple reconfigurable SOI transistor
A reconfigurable transistor that can act both as a ntype and as a p-type MOSFET presents a flexibility of operation that may enable better circuit design [1]. Many options use sophisticated fabrication processes and architectures such as nanowires [2,3,4] to obtain a reconfigurable transistor. There are papers that report simulation results [5,6] for this kind of device. In this work we introdu...
متن کاملElimination of bipolar induced drain breakdown and single transistor latch in submicron PD SOI MOSFET
For the first time, we report the combined application of a SiGe source and a delta-doped + region in a PD SOI MOSFET to minimize the impact of floating body effect on both the drain breakdown voltage and the single transistor latch. Our results demonstrate that the proposed SOI structure exhibits as large as 200% improvement in the breakdown voltage and is completely immune to single transisto...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 1 شماره 4
صفحات 17- 24
تاریخ انتشار 2011-02-01
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023