طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خود گرمائی
نویسندگان
چکیده مقاله:
این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایSOI-MOSFET به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده Si3N4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لایه ای می تواند نقش بسزایی در انتقال گرما به لایه های زیرین لایه مدفون داشته و از افزایش گرما در کانال جلوگیری نماید.
منابع مشابه
طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور soi-mosfet چند لایه ای برای بهبود اثرات خود گرمائی
این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایsoi-mosfet به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده si3n4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار soi-mosfet چند لایه ...
متن کاملتحلیل و شبیه سازی ترانزیستور soi-mosfet برای بهبود اثرات کانال کوتاه
چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به ...
15 صفحه اولآنالیز مقایسه ای روشهای بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید
This paper critically examines the Short Channel Effects (SCEs) improvement techniques for improving the performance of SOI-MOSFETs. Also for first time, a new device structure called the Shielded Channel Multiple-Gate SOI-MOSFET (SC-MG) is introduced and designed. Using two-dimensional and two-carrier device simulation, it is demonstrated that the SC-MG exhibits a significantly reduced the el...
متن کاملبررسی و شبیه سازی ساختار ترانزیستور soi برای بهبوداثرات خود گرمایی
استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (اکسید سیلیکون) راه حلی برای حذف اثرات پارازیتی موجود در افزاره های بدنه سیلیکون می باشد اما هدایت گرمایی پایین لایه اکسید مدفون در افزاره های سیلیکون روی عایق، موجب تولید اثر خود گرمایی و افزایش دمای شبکه در این افزاره ها به ویژه در افزاره های زیر میکرون می شود. لذا اثر خود گرمایی محرکی برای حرکت به سمت استفاده از تکنولوژی سیلیکون بر روی موادی گردید که...
Compact Modeled SOI MOSFET Circuits
SOI means Silicon on Insulator. This type of transistors has Silicon-Insulator-Silicon substrate which is different from conventional MOSFET structure where metal layer is used on the top of Insulator [1, . Now a days, the width of the oxide of a MOSFET is reduced from 300nm to 1.2nm and even less with scaling in technology. If it is further reduced, the leakage problems (majorly Sub-threshold ...
متن کاملBE SOI MOSFET: A very simple reconfigurable SOI transistor
A reconfigurable transistor that can act both as a ntype and as a p-type MOSFET presents a flexibility of operation that may enable better circuit design [1]. Many options use sophisticated fabrication processes and architectures such as nanowires [2,3,4] to obtain a reconfigurable transistor. There are papers that report simulation results [5,6] for this kind of device. In this work we introdu...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 8 شماره 23
صفحات 19- 23
تاریخ انتشار 2010-12-22
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023