محاسبه‌ی گرادیان‌های میدان الکتریکی در ترکیبات X=Bi, Sb))UX2

محاسبه گرادیانهای میدان الکتریکی در ترکیبات ral2 وral3

بررسی دستگاه های الکترونی همبسته قوی به دلیل خواص غـیر قابل پیش بینی و کاربرد های منحصر به فرد آنها از اهمیت ویژه ای برخوردار است. این ترکیبات به طور عمده شامل عناصری می باشند که تراز d یا f آنها در حال پر شدن است. لذا جستجو برای رهیافت هایی که بتواند خواص ساختاری و الکترونی این دستگاه ها را مورد بررسی قرار دهد به طور ویژه ای مورد توجه قرار گرفته است. از جمله این رهیافت ها می توان به نظریه تابع...

ظرفیت ترکیبات ‏‎f‎‏- الکترونی از تحلیل محاسبات گرادیانهای میدان الکتریکی

در ترکیبات ‏‎rin3‎‏ و ‏‎rsn3‎‏ خاک نادر ‏‎r‎‏ سه ظرفیتی است، بجز ‏‎eu‎‏ و ‏‎yb‎‏ ، که دو ظرفیتی اند . این امر به طور تجربی در سال 1977 به وسیله اندازه گیریهای همبستگی زاویه ای مختل شده در یک ناخالصی‏‎cd111‎‏ تعیین شده است . در آن زمان ، داده ها با استفاده از مدل بار نقطه ای تعبیر شده اند ، که اکنون غیرفیزیکی و غیرقابل اعتماد به شمار می آیند. این تعیین ظرفیت را بالقوه سوال برانگیز می کند . ما ای...

میدان نفتی الکتریکی

محاسبه ی گرادیان های میدان الکتریکی در ترکیبات x=bi, sb))ux۲

در این مقاله خواص الکترونی ترکیبات پاد­فرومغناطیس x=bi, sb))ux2 را با محاسبات ابتدا به ساکن بر پایه­ی نظریه ی تابعی چگالی با استفاده از روش امواج تخت بهبود­یافته به­علاوه ی اربیتال­های موضعی apw+lo)) بررسی کرده­ایم. برای محاسبه ی جمله پتانسیل تبادلی- همبستگی از تقریب­های lda، gga، lda+u، gga+u و هم چنین روش انرژی تبادلی دقیق الکترون­های همبسته (eece) استفاده کرده­ایم. گرادیان­های میدان الکتریکی...

محاسبه ی گرادیان های میدان الکتریکی در ترکیبات x=bi, sb))ux2

در این مقاله خواص الکترونی ترکیبات پاد­فرومغناطیس x=bi, sb))ux2 را با محاسبات ابتدا به ساکن بر پایه­ی نظریه ی تابعی چگالی با استفاده از روش امواج تخت بهبود­یافته به­علاوه ی اربیتال­های موضعی apw+lo)) بررسی کرده­ایم. برای محاسبه ی جمله پتانسیل تبادلی- همبستگی از تقریب­های lda، gga، lda+u، gga+u و هم چنین روش انرژی تبادلی دقیق الکترون­های همبسته (eece) استفاده کرده­ایم. گرادیان­های میدان الکتریکی...

Spin-orbit-induced gap modification in buckled honeycomb XBi and XBi₃ (X  =  B, Al, Ga, and In) sheets.

The band structure and stability of XBi and XBi3 (X  =  B, Al, Ga, and In) single sheets are predicted using first-principles calculations. It is demonstrated that the band gap values of these new classes of two-dimensional (2D) materials depend on both the spin-orbit coupling (SOC) and type of group-III elements in these hetero-sheets. Thus, topological properties can be achieved, allowing for...