در این مقاله خواص الکترونی و اپتیکی ترکیبات کلکوژنید  در حالت سطح در راستای (001) مورد مطالعه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش شبه‌پتانسیل در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی (DFT) با استفاده از نرم‌افزار کوانتوم ‌اسپرسو با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) انجام شده است. گاف نواری ترکیبات CuSbX2(X=Se,S) در حالت انبوهه به‌ترتیب 80/0 و93/0 الکترون ولت است اما در حالت ...

فولاد خط لوله رده 100 یکی از موادی است که به تازگی جهت تولید خطوط انتقال گاز معرفی شده است. با توجه به ساختار موادی و عملیات صورت گرفته بر روی این ماده، استحکام بالا (تنش تسلیم 690 مگاپاسکال) و چقرمگی بالا (کرنش واقعی واماندگی 150% در آزمایش کشش) از ویژگی های این ماده است. به علاوه این ماده در ناحیه پلاستیک به شدت ناهمسانگرد است. در این مقاله روش مکانیک آسیب محیط پیوسته، که روشی جدید و دارای قا...

در سالهای اخیر، افزایش تقاضا برای نرخ داده بالا و محدودیت در پهنای باند قابل دسترس، محققین را به بررسی و تحقیق درباره سیستمهای بیسیم که به صورت موثر و کارآمد از فضا بهره برداری میکنند، سوق داده است. رویداد قابل توجه در مخابرات بیسیم که بسیار کارآمد نیز هست، به کار بردن آنتنهای چندگانه در فرستنده و گیرنده میباشد. این رویکرد به سیستمهای مخابراتی چند ورودی- چند خروجی (mimo) انجامیده است. کاربرد آن...

شروع مبحث بلورهای فوتونی در سال 1987 با تحقیقات یابلونویچ به منظور کم کردن اتلاف ناشی از گسیل خودبخودی و جان به دنبال جایگزیده کردن نور بوده است. فعالیت تحقیقاتی هر دو به معرفی بلور فوتونی منجر شد. بلورهای فوتونی به علت خاصیت تناوبی اجزاء سازنده آن ها، دارای خواص بسیار جالبی در بر هم کنش با امواج الکترومغناطیسی هستند و بازتاب براگ امواج الکترومغناطیسی باعث ایجاد ساختار باند فوتونی در آن ها می ش...

در این پژوهش، سنتز نقاط کوانتومی CdTe و نقاط کوانتومی هسته CdTe و پوسته CdSe، CdS، ZnS و ZnSe به روش هم‌رسوبی انجام شد. در این راستا ابتدا هسته CdTe سنتز و اثر زمان تقطیر برگشتی یک تا هفت ساعت بر خواص نورتابی، گاف نواری، ساختار و ریزساختار آن بررسی گردید. نتایج نشان ...

با استفاده از نظریة تابعی چگالی خواص الکتریکی و اپتیکی هگزاگونال بورون نیترید (h-BN) دو لایه تحت کرنش صفحه ای دو محوری بررسی می شوند. محاسبة انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. h-BN دو لایه دارای گاف نواری غیر مستقیم به اندازة 4.33 eV در راستایK-M است. با اعمال کرنش تراکمی، کمینة نوار رسانش در نقطة M نسبت به تراز فرمی به سمت بالا و لبة نوار رسانش د...

ساختار و گاف نواری الکترونی چند دستۀ مختلف از ساختارهای TiO2 به وسیلۀ نظریۀ تابعی چگالی و با تابعی‌های PBE و HSE06 محاسبه شد. مقادیرگاف نواری محاسبه شده توسط HSE06 برای فازهای روتیل و آناتاس به ترتیب 3.4 و 3.58 الکترون‌ولت بدست آمد که با مقادیر تجربی 3 و 3.2 الکترون‌ولت در توافق است. مدول حجمی نیز برای فازهای روتیل و آناتاس توسطPBE محاسبه گردید و به ترتیب مقادیر 226 و 205 گیگاپاسکال برای آنها ب...

در این پایان نامه، در مرحله ی اول یک موجبر بلور فوتونی تخت با سلول واحدی متشکل از سه لایه ی متفاوت دی الکتریک بدون اتلاف را در نظر می گیریم. با مدلسازی این موجبر با خطوط انتقال، بازتابش از یک ساختار متناوب نیمه نامحدود را با استفاده از مفهوم خطوط انتقال و روابط تبدیل امپدانس به دست می آوریم. آنگاه معادله ی مشخصه ی موجبر را بر اساس شرط تشدید عرضی در هسته ی آن محاسبه و تغییرات ثابت انتشار بهنجار ...

یکی از پارامترهای اساسی مواد ضریب شکست می باشد، به طوری که انتشار امواج الکترومغناطیس در مواد وابسته به ضریب شکست محیطی است که موج در آن منتشر می شود. در محیط های همسانگرد ضریب شکست به زاویه تابش به ماده بستگی ندارد و برای تمامی زوایای تابش مقدار ثابتی است. اما ضریب شکست مواد ناهمسانگرد به زاویه بین بردار موج و محور اپتیکی ماده ناهمسانگرد وابسته است. یکی از انواع مواد ناهمسانگرد بلورهای مایع می...

اکسید روی یکی از مهمترین نیم رساناهای گروه iib-vi که درحالت طبیعی به سه صورت ورتسایتس، زینک بلند و سنگ نمکی وجود دارد. ساختار ورتسایتس با دارا بودن گاف مستقیم 4/3 الکترون ولت پایدارترین ساختار است. چون اکسید روی دارای خواص مهمی مانند پیزوالکتریسیته بودن، پایداری شیمیایی و شفافیت اپتیکی در ناحیه ی نور مرئی است دارای کاربردهای زیادی در حسگرهای گازی، الکترودهای شفاف، سلول های خورشیدی و وسائل صوتی ...