در این پژوهش، با استفاده از روش ارزان قیمت سل-ژل، اکسیدروی نوع مثبت تهیه شد و سپس بر پایه آن، با استفاده از نیم رسانای سیلیسیوم نوع منفی، اقدام به ساخت دیود نوری پیوندی مثبت-منفی نمودیم. بطور کلی اکسیدروی نیم رسانایی با گاف انرژی بزرگ 3/37 ev بوده و به واسطه فراوانی و قیمت ارزانی که داراست گزینه مناسب و پرکاربردی جهت ابزار الکترواپتیکی بشمار می رود، اما ناپایدار بودن نوع مثبت این نیم رسانا سد ب...

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوب هستند که بطور مصنوعی ساخته می شوند و در تشابه با نیمه هادی ها دارای یک ناحیه ی ممنوعه ی فرکانسی می باشند. انتشار امواج در این ناحیه که به گاف نواری فوتونی معروف است ممنوع می باشد. همانطور که در بلورهای معمولی، تناوب پتانسیل شبکه باعث ایجاد باندهای مجاز و ممنوع انرژی برای الکترونهای سیستم می شود، در بلورهای فوتونی نیز تناوب در مواد دی الکتریک و ضریب شکس...

در این مقاله، در ابتدا، یک ساختار نواری یک بلور فونونی دو- بعدی با شبکۀ مربعی مشتمل ‌بر استوانه‌­های پلی­‌متیل متاکریلیت در ماده زمینۀ هوا در نظر گرفته شد. با احتساب گاف نواری این ساختار، شبیه­‌سازی موج‌بر صدا انجام شد. نتیجۀ مورد انتظار نیز مشاهده گردید، سپس، یک ساختار دیگر با شبکۀ شش‌گوشه مشتمل ‌بر استوانه­‌های آلومینیومی در مادۀ زمینه تنگستن مورد بررسی قرار گرفت. و با استفاده از روش محاسباتی...

در سال های اخیر، علم لایه های نازک در میان سایر علوم رشد قابل ملاحظه ای داشته است. در این پایان نامه، لایه های نازک سلنید قلع با روش رسوب گیری از حمام شیمیایی (cbd تهیه شدند و با ضخامت های مختلف در دماهای متفاوت بر روی زیرلایه شیشه ای قرار گرفته اند. پارامترهای ساختاری مختلف مانند اندازه ی دانه ها (d)، خواص نوری، ساختاری و گاف انرژی نانو ذرات سلنید قلع بر اساس تغییرات زمان و دمای محلول رسوب گیر...

در این مقاله گاف نوارهای بلور فوتونیکی یک بعدی با استفاده از دو روش ماتریس انتقال و روش ضرایب فرنل مقایسه می شود. در روش استفاده از ضرایب فرنل، با در دست داشتن ضرایب شکست هر یک از لایه ها و هم چنین زاویه تابش اولیه به سطح بلور، ضرایب فرنل عبوری و بازتاب بلور محاسبه شده و بعد شرط های لازم و کافی برای بازتاب صد درصدی از سطح بلور متشکل از دی الکتریک های دو لایه ای به دست می آیند. با در نظر گرفتن ا...

سولفید کادمیم یکی از مهمترین نیمرساناهاست ، که در دمای اتاق، گاف انرژی آن 2/42 الکترون ولت می باشد. لایه های پربلورین سولفید کادمیم، برای سلولهای خورشیدی، لیزرها، ابزار نوری، مدارهای مجتمع غیرخطی کاربرد فراوانی دارد. با روشهای تبخیر حرارتی، تبخیر لحظه ای، رسوبگذاری فاز بخار، کندوپاشی فرکانس رادیویی و تبخیر بوسیله لیزر قابل ساخت می باشد. هدف اصلی، ساخت لایه های سولفید کادمیم با شفافیت زیاد، مقاو...

موجبرهای نور کند به دلیل اهمیت آن ها در سیستم های تمام نوری توجه جمع کثیری از محققین را به خود جلب کرده اند. در این میان موجبرهای کریستال فوتونی به دلیل ویژگی های منحصر به فردآن ها در این پایان نامه به عنوان موجبر مورد بررسی و طراحی انتخاب شده اند . در این پایان نامه پس از بیان اهمیت موجبرهای نور کند در سیستم های تمام نوری و بررسی روش های بهینه سازی ساختارهای موجبری نور کندبا به کارگیری یک موجب...

در این پروژه پس از لایه نشانی ساختارهای لایه نازک sno2 و پوشش های دوتایی- دوتایی sno2-zno، خواص الکتریکی، اپتیکی و ساختاری آنها ، همچنین اثر ناخالصی فلوئور، f ،و نیز تاثیر لایه نشانی لایه های ضدبازتاب بر روی آنها مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه ها به روش "اسپری پایرولیزیز" تهیه سپس مقاومت الکتریکی سطحی، ضریب هال، تراکم ناخالصی و میزان شفافیت در گستره ی مرئی این نمونه ها اندازه گیری شد. نتایج...

در این کار برخی از ویژگی های ساختاری، مغناطیسی و الکترونی ترکیبsrfe2o4  بررسی می شود. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدۀ خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw)، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی با تقریب های مختلف برای انرژی تبادلی- همبستگی و با استفاده از نرم افزار wien2k صورت گرفته است. نتایج نشان می دهند که برای ترکیب srfe2o4 نظم فری مغناطیس، پایدارترین حالت مغناطیسی است که برای نظم فری مغناطیس،...

در این پژوهش خواص ساختاری، اپتیکی و مغناطیسی نانوپودرهای اکسید روی آلاییده شده با اکسید کبالت با فرمول شیمیایی zn1-xcoxo(x=0/00,0/02,0/04,0/08) بررسی شد. همه نمونه ها به روش آلیاژسازی مکانیکی در دستگاه آسیای گلوله ای پر انرژی spex8000 تهیه شدند. اکسیدهای znoوco3o4 به عنوان مواد اولیه با نسبت گلوله فولادی به پودر 10:1آسیا شدند. قطر گلوله های فولادی 11میلی متر بود. ساختار نانو پودرها با استفاده ا...