کربن گرماکافتی به‌طورمعمول با روش رسوب‌دهی شیمیایی در فاز بخار و به دنبال گرماکافت برخی گازهای هیدروکربنی سبک در دماهای بالا در گستره‌ی از حدود 900 تا 2200 درجه‌ی سلسیوس به‌صورت یک پوشش کربنی روی سطح بستر، لایه نشانی می‌شود. این ماده کربنی از جهت ساختاری شامل تعداد زیادی نانوبلورهای گرافیتی یا صفحات گرافیتی با ابعاد چند نانومتر است. به دلیل ویژگی‌های زیست سازگاری، فیزیکی، مکانیکی، مقاومت سایشی ...

در این تحقیق، نانوذرّات مغناطیسی آهن اکسید به روش هم رسوبی سنتز شد و سپس طی یک فرایند سل-ژل با سیلیکا پوشش دار شد. در نهایت سطح ذرّات سیلیکا پوش شده با تیتانیم فسفات اصلاح گردید. در قسمت نخست این تحقیق، واسطه ی انتقال الکترون نایل بلو از طریق یک واکنش تبادل یون روی سطح نانوذرّات اصلاح شده تثبیت شد. نانوذرّات مغناطیسی اصلاح شده با نایل بلو با استفاده از یک آهن ربا روی سطح الکترود خمیر کربن قرار گرف...

فیلم نازک (نازک لایه)، لایه‌ای از مواد آلی با ضخامتی در حد نانومتر تا میکرومتر است. سنتز کنترل‌شده فیلم‌های نازک موضوع مهمی در کاربردهای آنهاست. فیلم های نازک آلی با ضخامت نانومتری، ساختارهایی مفید برای کاربرد در حسگرها، شناساگرها، نمایشگرها و اجزای مدارهای الکترونیکی به‌شمار می‌آیند. لایه نشانی چرخشی و لانگمور- بلاجت از روش‌های کاربردی تهیه فیلم‌های نازک محسوب می‌شوند. در لایه نشانی چرخشی، نیر...

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...

روش سل-ژل اساسا یک فرآیند شیمیایی -فیزیکی، برای تولید مواد سرامیکی با خلوص بالاست و در اشکال مختلف از جمله فیبروویسکرهای سرامیکی ، پودر ، فیلترهای ستونی شکل، پوشش و لایه های نازک سرامیکی عرضه می شود. در این فرایند ابتدا محلول سل از ترکیب چند ماده فراهم گردیده و سپس تبدیل آن به یک ژل ویسکوالاستیک طی چند مرحله صورت می پذیرد. در این پژوهش لایه نشانی اکسید سیلیسیم به روش سل-ژل مورد بررسی قرار گرفته...

در این پژوهش، به بررسی خواص، مورفولوژی، مقاومت الکتریکی و مقاومت به خوردگی پوشش لایه نازک طلا ایجاد شده بر روی صفحات دوقطبی در پیل سوختی با استفاده از روش اسپاترینگ و الکتروپلیتینگ پرداخته شد. بررسی فازی، مورفولوژی، تعیین ترکیب عنصری نمونه و ریزساختار سطحی به ترتیب بوسیله آنالیز پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) و آنالیز پراش انرژی پرتوایکس (eds) و میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) ...

در این پایان نامه، لایه نازک اکسید روی خالص و آلائیده با آلومینیوم برای کاربری به عنوان لایه ی رسانای اکسیدی شفاف در سلول های خورشیدی لایه نازک، ساخته شد و مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور لایه های نازک zno و azo (0، 3، 6 و 12 درصد مولی آلومینیوم) به روش لایه نشانی چرخشی بر پایه سل ژل بر روی زیرلایه ی شیشه ساخته شد. بعد از ساخت نمونه ها، به بررسی اثر دمای پخت، آلایش al و تابش لیزر به سطح لایه ه...

با استفاده از مایعات یونی، 1-اکتیل -3- متیل ایمیدازولیوم کلرید [omim][cl] به جای سورفکتانت و 1- بوتیل -3-متیل ایمیدازولیوم هگزافلوروفسفات [bmim][pf6] به جای روغن میکروامولسیون جدیدی که اندازه ذرات آن در مقیاس نانو می باشد ساخته شده است. رفتار فازی این میکروامولسیون بررسی و نمودار رفتار فازی تهیه شده است. وجود ذرات [bmim][pf6] درآب بوسیله روش های الکتروشیمیایی اثبات شده است. روش تفرق نوری فعال ن...

در این رساله خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک کربن مس مورد بررسی قرار گرفته است. لایه های نازک کربن مس بر روی زیر لایه شیشه تهیه شدند. این لایه ها به دو روش کندوپاش مغناطیسی rf و dc در زمانهای مختلف در دمای اتاق لایه نشانی شدند. سپس با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی afm))، edx، میکروسکوپ روبشی (sem)، طیف پراش اشعه ایکس(xrd)، طیف سنج ft-ir و جذب نوری uv_vis مورد مطالعه و بررسی قرار...

از آنجا که حتی مقادیر کم جیوه، به دلیل تجمع، دربافت های گیاهی وجانوری می تواند مشکل ساز باشد بنابراین توسعه روش های ساده، حساس، انتخابی، اقتصادی وعملی برای اندازه گیری این یون اهمیت زیادی دارد. در این تحقیق، ابتدا نانوذرات مغناطیسی آهن پوشیده شده با کیتوسان (chife) تهیه و با روش های مختلف از جمله tem، psa، ftir و طیف سنجی uv-vis شناسایی گردید. پیوند کیتوسان بر روی نانوذرات آهن مغناطیسی باعث ایج...