ضرورت توجه به ساخت ترانزیستورهای با محدوده عملکرد بالا (توان بالا وفرکانس قطع بالا) در ولتاژهای پایین باعث شد که عواملی که باعث افزایش جریان الکترونی این ترانزیستورها می شوند مورد بحث و بررسی قرار گیرند. برای بررسی اثر پهنای ناحیه تهی بر جریان الکترونی fetهای inaln/inn، ابتدا باید یک سری پارامترهای فیزیکی دقیق و کامل بدست آید، برای بدست آوردن این پارامترها چون چگالی گاز الکترونی، چگالی بار سطح...

نانو ساختار های نیمه رسانای تلوریدی به دلیل دارا بودن خواص فوق العاده الکتریکی، نوری و حرارتی و جنبه های کاربردی در حسگر های شیمیایی و زیستی، ترانزیستور های اثر میدانی، مدار های منطقی، حسگر های نوری و وسایل ترموالکتریکی پر بازده توجه زیادی را به خود معطوف نموده اند. یکی از موضوعات اصلی نانو مواد که نقش اصلی را در پروژه های انجام شده در این زمینه ایفا می کند، کنترل موفولوژی ذرات در فرآیند سنتز آ...

ویژگی¬های الکتریکی و نوری خاص گرافین، ازجمله تحرک پذیری بالای حاملین در دمای اتاق، عدم وجود گاف باندی، قابلیت انعطاف پذیری بالا و وجود ترابرد بالستیک حاملین در دمای اتاق، آن را به یک ماده ایده¬آل برای استفاده در حوزه نانو الکترونیک تبدیل کرده است.تحرکپذیری بسیار بالای حامل¬ها در دمای اتاق و ترابرد بالیستیک، گرافین را جایگزین بالقوه ی سیلیکون به عنوان نیمرسانا در مدارهای مجتمع، مدارهای منطقی و ا...

ترانزیستورهای دوقطبی (bjt ها) هم اکنون در بسیاری از کاربردهای دیجیتال و ریزموجها به عنوان انتخاب اول محسوب می شوند و نقش بسیار مهمی در مداراهای آنالوگ ایفا می کنند. در فناوری bicmos ترانزیستورهای دوقطبی در کنار ترانزیستورهای mosfet ساخته می شوند. قابلیت جریان بالا و بهره زیاد، برتری این ترانزیستورها نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان است. بهره جریان امیتر مشترک (?) ترانزیستورهای دوقطبی یکی از مهمت...

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

اخیراً ساختار الکترونیکی تغییر شکل یافته¬ی شبکه¬ی لانه زنبوری گرافین و بررسی نظری گرافین تحت کشش خیلی مورد توجه قرار گرفته است که به نتایج جالبی می¬انجامد که این نتایج می¬تواند برای بررسی پدیده¬های مربوط به سیستم¬هایی با ساختار گرافین به کار رود با اعمال کشش به صفحه گرافین حامل¬های بار در آن به صورت فرمیون¬های دیراک بدون جرم نامتقارن ظاهر می¬شوند این باعث تغییراتی در سرعت فرمی، تونل¬زنی کلین و ر...

برای اولین بار، در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل زنی جدید پیشنهاد شده است که در این ساختار جدید به جای استفاده از یک دوپینگ سنگین در ناحیه درین ساختار متداول، از یک دوپینگ خطی استفاده شده است. این دوپینگ از وسط ناحیه درین به صورت خطی به سمت ناحیه کانال گسترش یافته است. میزان ناخالصی در محل اتصال کانال-درین صفر است. این ساختار ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل ...

به دلیل نیاز تراشه ها به اتصالات نوری ترانزیستور لیزر با قابلیت ارسال سیگنال نوری والکتریکی به طور همزمان در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفتهاست به این دلیل در این پروژه سعی شده است ابتدا روند پیدایش ترانزیستور لیزر بیان شد ساختار تکنولوژی ساخت و پارامترهای کاری از اعم از نوری والکتریکی برای یک ترازیستور لیزر یا طول های کاواک 150 و 400 مورد بررسی قرار می گیرد. سپس چگونگی توید نور در بیس ...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور dm-dg ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق hfo2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (c-dg) شده است. ناحیه عایق hfo2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

با پیشرفت تکنولوژی نانو و کاهش ابعاد ادوات نیمه هادی، مشکلات قابل ملاحظه¬ای از جمله اثرات نامطلوب کانال کوتاه بوجود آمده اند. لذا به منظور افزایش کارآیی و قابلیت اطمینان قطعه، کاهش اثرات منفی کانال کوتاه مهم است. به دلیل مزایایی که تکنولوژی سیلیسیم رو عایق در مقایسه با ترانزیستورهای بدنه¬ی سیلیسیمی دارد، ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق جایگزین مناسبی برای ابعاد کوچکتر ترانزیستورها می¬باشند. تران...