نتایج جستجو برای: غشا ی کامپوزیتی لایه نازک

تعداد نتایج: 124049  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی (نوشیروانی) بابل - دانشکده مهندسی شیمی 1391

غشاهای نوین نانوکامپوزیتی لایه نازک به منظور استفاده در فرایند اسمز رو به جلو، به روش پلیمریزاسیون فصل مشترک ساخته شدند. نانولوله های کربنی عامل دار شده با عامل آمینی در محلول فنیلن دی آمین با درصد های مختلف وزنی(01/0، 05/0و 1/0 wt%) به منظور بهبود کارایی این نوع غشاها مورد استفاده قرار گرفتند. غشاهای ساخته شده از لحاظ ساختار غشا و خصوصیات سطح، خصوصیات جداسازی و کارایی در سیستم اسمز رو به جلو م...

ژورنال: :نوآوری در علوم و فناوری غذایی 0

در این تحقیق، بعد از خشک کردن فلفل دلمه ای توسط خشک کن هوای داغ در دماهای 60،70 و80 درجه ی سانتیگراد پارامترهای سنیتیکی خشک کردن بررسی شد. نتایج، نشان داد دمای 80  درجه ی سانتی گراد است بالاترین سرعت خشک کردن و کم ترین زمان خشک کردن را دارا می باشد. همچنین، میزان چروکیدگی با افزایش دما ، افزایش یافت و در دمای 80 بالاترین چروکیدگی مشاهده گردید. میزان بازآبپوشی با افزایش دما کاهش یافت ودر دمای 60...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - پژوهشکده علوم نانو 1391

در ساخت لایه نازک cuinse2 نتایج آنالیزهای کمی rbs و eds حاکی از مرجح بودن پیکربندیa نسبت به پیکربندیb با توجه به رشد 2درصدی سلنیوم در فاز نهایی است، که این را می‎توان به تامین اتمسفر فشار بالای سلنیوم در این حالت در مجاورت سطح پیش‎ماده‎های فلزی نسبت داد. این در حالی است که درصد مذکور را بازهم می‎توان با استفاده از محفظه‎های نیمه بسته افزایش داد. تاثیر مستقیم افزایش دما تا c ?560، در تقویت شدت ...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

در این مقاله به بررسی مقاومت نهایی صفحات کامپوزیتی مربعی حاوی انحنای هندسی اولیه تحت نیروی فشاری درون صفحه‌ای و نیز فشار جانبی سینوسی با استفاده از روش ریتز پرداخته شده است. در این تحقیق از تئوری تغییر شکل برشی مرتبه اول استفاده شده که در این روابط خیزها و تغییر شکل‌ها کوچک فرض شده‌اند. این فرضیات باعث می‌شوند که مقاومت نهایی بدست آمده برای صفحات نازک، به دلیل نادیده گرفتن اثرات ترمهای غیرخطی، ...

ژورنال: :علوم و مهندسی سطح ایران 0
مهدیه فرقدانی دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی اصفهان فتح الله کریم زاده دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی اصفهان محمدحسین عنایتی دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی اصفهان

در این پژوهشکامپوزیت سطحی بر پایه ی سیستم mg-cu، و با استفاده از فرایند اصطکاکی اغتشاشی به صورت درجا بر سطح آلیاژ az91c ایجاد شد. بررسی میکروساختار منطقه ی اغتشاش پس از شش پاس فرایند نشان دهنده ی تشکیل ترکیب بین فلزی mg2cu در کامپوزیت az91/cu است. بعد از عملیات حرارتی t6 با افزایش درصد حجمی ذرات تقویت کننده و تشکیل ترکیب بین فلزی mgcu2، سختی نمونه ی کامپوزیتی افزایش یافت. بررسی ذرات و سطوح سایش...

ژورنال: :علوم و فناوری کامپوزیت 0
رسول عباسی دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشگاه تفرش، تفرش، ایران حسین حیدری استادیار، مهندسی مکانیک، دانشگاه تفرش، تفرش، ایران محمد حسین پل استادیار،مهندسی مکانیک، دانشگاه تفرش، تفرش، ایران

امروزه استفاده از مواد کامپوزیتی به ویژه در صنایع هوافضا و خودروسازی به طور روز افزونی در حال افزایش می باشد. سوراخ کاری فرآیند اصلی برای مونتاژ کردن اجزای کامپوزیتی است. آسیب های فرایند سوراخ کاری مانند جدایش بین لایه ای و ترک خوردگی ماتریس در اطراف سوراخ، در نهایت ممکن است باعث افت در استحکام باقیمانده ی اجزای سوراخ کاری شده، شود. در این مقاله اثر پارامترهای سوراخ کاری نظیر نرخ پیشروی، سرعت ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ایلام - دانشکده علوم پایه 1392

در این پایان نامه یک روش شیمیایی برای لایه نشانی لایه های نازک نانوکریستال cus با استفاده از محلول آبی مس استات تک آبه (منبع مس)، تیواستامید (منبع گوگرد) وتری سدیم سیترات (عامل کمپلکس ساز) در دمای اتاق، پیشنهاد شده است. در این تحقیق، آب به عنوان حلال و تری سدیم سیترات به عنوان عامل کمپلکس ساز هر دو از مواد شیمیایی غیر سمی و تجدیدپذیر می باشند. لایه ها به وسیله الگوی پراش اشعه ی ایکس،xrd، آنالیز...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1389

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود 1389

الکتروانباشت یکی از روشهای ساده ولی در عین حال پرکاربرد و قوی در زمینه رشد لایه های نازک فلزی است. با استفاده از این روش لایه های نازک ni و ni-co-cu از محلول های سولفاتی- سیتراتی تهیه گردیدند. به منظور بررسی رفتار پتانسیودینامیکی الکترولیت، منحنی cv مربوط به آنها تهیه و مورد مطالعه قرار گرفت. سپس با انتخاب ولتاژهای مناسب از روی این منحنی ها، عملیات لایه گذاری انجام گرفت. لایه ها تحت شرایط مختلف...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید