نتایج جستجو برای: گاف باند فوتونیکی
تعداد نتایج: 7116 فیلتر نتایج به سال:
فهم و شناخت سازوکار جفت شدگی الکترون ها در ابررساناهای جدید، از مسائل بنیادین در زمینه ابررسانایی است. سازوکار جفت شدگی الکترون ها، با پارامتر نظم و در واقع با ساختار گاف یک ابررسانا رابطه مستقیم دارد. ابررساناهای متعارف موج s، دارای ساختار گاف متقارن در اطراف سطح فرمی هستند. حضور این ساختار پارامتر نظم متقارن، موجب می شود که بسیاری از خواص فیزیکی ماده در دماهای پایین، رفتار نمایی نسبت به دما ن...
چکیده ندارد.
چکیده ندارد.
در این مقاله با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی، تأثیر میدان الکتریکی خارجی را در خواص الکترونی و اپتیکی گرافین دولایه و بوروننیترید دولایه و دولایۀ گرافین/بوروننیترید با چینش AB بررسی کردهایم. بررسی ما نشان میدهد که ساختار الکترونی تمام این ساختارها در حضور میدان الکتریکی تغییر کرده، گاف انرژی آنان از این طریق کنترلپذیر میشود. با اِعمال میدان الکتریکی بر ساختار گرافیندولایه، رابطۀ پاشندگی ا...
در این پایان نامه خواص ترا گسیلی غیر خطی در یک بلور مغناطوفوتونی شامل ماده مغناطیسی غیر خطی را به طور نظری مطالعه می کنیم رفتار وابسته به قطبش تراگسیل موج الکترومغناطیسی را در لبه گاف باند بررسی می کنیم. .نشان می دهیم که تراگسیل هر دو مولفه قطبش دارای خواص چند پایایی بوده و تبهگنی در تراگسیل بر حسب مولفه مختلف به علت اثر مغناطو اپتیکی جا به جا می شود. همچنین نشان می دهیم که در در ساختار مغناطو ...
افزایش پهنای باند سیگنال روشی مستقیم برای انتقال اطلاعات با نرخ بالا درفرستنده و گیرنده های رادیویی می باشد؛ سیستم باند بسیارعریض به تکنولوژی رادیویی اطلاق می شود که درسطوح انرژی و مصرف توان پایین وبرای ارتباطات در رنج کوتاه و پهنای باند وسیع با استفاده از طیف فرکانسی عریض در نظر گرفته شده است و با افزایش تقاضا برای ارتباط بی سیم در رنج کوتاه و نرخ انتقال اطلاعات بالا این تکنولوژی با هدف نرخ ان...
در این مقاله به کمک روش تابع گرین و در رهیافت تنگ بست به مطالعه رسانش الکترونی نانو سیم های مولکولی با در نظر گرفتن پرش الکترون بین همسایه های اول و دوم پرداخته ایم. ساختارهای مورد مطالعه شامل یک زنجیره خطی همگن، یک زنجیره خطی متناوب و یک چندپار پلی پارافنیلن هستند که فرض شده است بین دو هادی ساده فلزی محدود شده اند. نتایج نشان می دهند که در تقریب همسایه دوم پدیده-های تشدیدی، ضد تشدیدی و فانو در...
استفاده از افزاره های فوتونیکی در سیستم های مخابراتی از سه دهه پیش آغاز شده و تا به امروز روند رو به رشدی را طی کرده است و پیش بینی می شود تا سال 2015، نرخ انتقال داده ها به 40 ترا بیت بر ثانیه برسد. اما در سال های اخیر پیشرفت افزاره های فوتونیکی با محدودیت پراش نور مواجه شده است. این محدودیت امکان کوچکتر شدن افزاره های فوتونیکی از محدوده ی شکست نور را از بین می برد. با توجه به این محدودیت امکا...
نظریه تابعی چگالی (DFT) و نظریه اختلال بس ذرهای G0W0 به منظور بررسی تغییر خواص الکترونی پلیمر پلیتیوفین (PT) در مجاورت گرافین به کار گرفته شدند. نتیجه تحلیل تغییر چگالی بار نسبت به قبل از برهمکنش متقابل، نشان دهندهی شکل-گیری دوقطبی الکتریکی قوی و جذب از نوع فیزیکی در سطح میباشد. تغییر پتانسیل الکتریکی محاسبه شده نشاندهندهی تغییر تابع کار به مقدار از مقدار اولیه آن است. نتایج به دست آمده ا...
استفاده از انرژی خورشید به عنوان یک منبع رایگان، در دسترس و نامحدود، منجر به ساخت سلول های خورشیدی شده است. سلول های خورشیدی متداول که با مواد نیمه هادی مانند سیلیسیم یا ژرمانیوم ساخته می شوند علیرغم بازده خوب دارای هزینه بالایی هستند. از این رو نسل جدیدی از سلول های خورشیدی با عنوان سلول خورشیدی رنگدانه ای مورد توجه قرار گرفته است. جذب نور در این سلول ها توسط یک ماده ی رنگی صورت می پذیرد و سب...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید