در این پایان نامه اثر ناخالصی بورون، نیتروژن و اکسیژن روی خواص الکترونی گرافن و گرافین نوع آلفا با استفاده از نظریه ی تابعی چگالی بررسی شده است. گرافین نوع آلفا به دلیل تشابه با گرافن در نظر گرفته شده است. در اینجا سه درصد ناخالصی برای گرافن و به ترتیب سه و شش درصد ناخالصی برای گرافین مطالعه شده اند. نتایج حاکی از آن است که گرافن و گرافین نوع آلفا دارای خاصیت شبه فلزی هستند. گرافن با خاصیت شبه ...

در سالهای اخیر بلورهای فوتونی به خاطر خواص جالبشان در کنترل و انتشار امواج الکترومغناطیسی مورد توجه زیادی قرارگرفته اند. به طوری که از آنها در ساخت قطعات فوتونی خصوصا در مدارهای مجتمع فوتونی استفاده های زیادی شده است. بلور فوتونی یک ساختار منظم با ثابت دیالکتریک متناوب فضایی است که پارامتر شبکهای آن قابل مقایسه با طول موج،موج الکترومغناطیسی فرودی است. این ویژگی منجر به ایجاد نوار ممنوعه فرکانسی...

چکیده ساختار کریستالی دو بعدی گرافین و خواص ترابردی شگفت انگیز آن همواره مورد توجه دانشمندان نظری و تجربی بوده است. در این ساختار دو بعدی، شبه ذرات همانند فرمیون های بدون جرم دیراک رفتار می کنند و این ویژگی خاص و متفاوت از گاز الکترونی دو بعدی متعارف منجر به بسیاری از ویژگی های مناسب الکتریکی می شود. تحرک پذیری الکترون ها در گرافین ده برابر تحرک پذیری الکترون ها در ویفرهای سیلیکونی امروزی است ...

در این پژوهش به محاسبه روابط پاشندگی و ویژگی گاف نوار فوتونی در بلور فوتونی توجه شده است. همچنین چگالی حالت های جایگزیده فوتونی و پارامترهای تقویت نور بررسی گردیده است. روش های محاسباتی مختلفی مانند pwe، fdtd و me در شبیه سازی و بهینه سازی ساختار بلور فوتونی بکار گرفته شده اند. نشان داده شده است که روش محاسبه ldos بر اساس me روش قدرتمندی برای مطالعه گسیل خودبخودی، تقویت نور و محاسبه محصورسازی ...

: در این تحقیق ساختار باند فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه مثلثی از میله­ های تلوریم با اشکال هندسی متفاوت در زمینه پلاسما مورد بررسی قرار می­گیرد. نتایج محاسبات عددی بر پایه روش تفاضل های متناهی در حوزه زمان نشان می­دهد که در ساختارهای ذکر شده به ازای پارامترهای ساختاری بهینه، گاف فوتونی کامل با پهنای قابل ملاحظه­ای وجود دارد. پهنای گاف فوتونی کاملِ به دست آمده در این تحقیق از تمامی مق...

نظریه تابعی چگالی (DFT) و نظریه اختلال بس ذره‌ای G0W0 به منظور بررسی تغییر خواص الکترونی پلیمر پلی‌تیوفین (PT) در مجاورت گرافین به کار گرفته شدند. نتیجه تحلیل تغییر چگالی بار نسبت به قبل از برهمکنش متقابل، نشان دهنده‌ی شکل-گیری دوقطبی الکتریکی قوی و جذب از نوع فیزیکی در سطح می‌باشد. تغییر پتانسیل الکتریکی محاسبه شده نشان‌دهنده‌ی تغییر تابع کار به مقدار از مقدار اولیه آن است. نتایج به دست آمده ا...

بلورهای فونونی با توجه به پارامترهای فیزیکی و نوع آرایش شبکه آنها دارای نوارهای ممنوعه فرکانسی هستند که به این نوارها، نوار ممنوعه فونونی گفته می شود. امواج مکانیکی با فرکانس واقع در این نوار ممنوعه نمی توانند داخل بلور فونونی انتشار پیدا کنند. می توان با ایجاد نقص در یک بلور فونونی (تغییر شعاع و حذف یک میله (1l) یا سه میله(3l) و یا تغییر شکل یک میله)، درون نوار ممنوعه فونونی مدهایی را به وجود ...

نشانگان نوار آمنیونی مجموعه ای از ناهنجاری هاست که به دنبال پارگی زودرس کیسه آمنیون رخ داده و تقریبا در حدود 1 در هر 1200 الی 1 در هر 15000 تولد زنده روی می دهد. نوزاد مبتلای گزارش شده حاصل یک باروری دوقلویی دو تخمی به دنبال مصرف کلومیفن از یک مادر 34 ساله در اولین زایمان به طریق سزارین بود. نوزاد در معاینه ظاهری نواقصی چندگانه به صورت آنانسفالی، آنوفتالمی، شکاف کام، شکاف لب و بدشکلی بینی و ناه...

در عصر تکنولوژی اطلاعات استفاده از ابررایانه ها امری اجتناب ناپذیر است. در این رایانه ها ترانزیستورهای با سرعت بسیار بالا و زمان سویچینگ بسیار کوتاه ، حرف اول را می زنند . بنابراین مطالعه پژوهش در ساختارهای چندلایه ای می تواند ما را در شناخت ساختار و اصلاح و بهینه سازی عملکرد اینگونه ترانزیستورها جهت استفاده بهتر یاری نماید.در ساختارهای مدوله آلائیده گاز حفره ای دوبعدی به دلیل اختلاف در گاف نوا...

برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...