الیاف لیگنوسلولزی مغناطیسی از پتانسیل خوبی در کاربردهایی نظیر ذخیره‏سازی اطلاعات، کاغذهای امنیتی، حفاظت الکترومغناطیسی، و غیره برخوردارند. در این مطالعه از الیاف رنگ‏بری نشدة باگاس با استفاده از روش هم رسوبی شیمیایی برای ساخت کاغذهای مغناطیسی استفاده شد. برای این منظور بارگذاری نانو ذرات مگنتیت در داخل حفرة سلولی و رسوب آن در سطح الیاف با روش سنتز درجا محقق شد. سپس تشکیل نانو ذرات مگنتیت و همات...

یکی از عوامل موثر بر کارایی کامپوزیت های پلیمری تقویت شده با الیاف، کیفیت انتقال تنش در فاز مشترک بین لیف و پلیمر در کامپوزیت است. ساختار و خواص فاز مشترک مهم ترین عامل برای انتقال بار بین لیف و پلیمر زمینه است که به نوبه خود بر خواص مکانیکی نهایی کامپوزیت ها موثر خواهد بود. هدف از این پژوهش، بررسی نوع نانو ذرات به کاررفته در ایجاد درگیری مکانیکی در فاز مشترک لیف- رزین به منظور دستیابی به خواص ...

در این تحقیق، ساخت نانوکامپوزیت های کاربید سیلیسیم اتصال مولایتی از طریق روش های سل – ژل و ریخته گری ژلی مد نظر قرار گرفت. به همین دلیل، از سل های نانوسیلیس و نانوآلومینا جهت ایجاد ژلاسیون استفاده شد. از طرف دیگر اثر نوع فرآیند بر ساخت این نوع نانوکامپوزیت ها بررسی شد. علاوه بر این از نانوذرات آلومینا و نانوذرات کاربید سیلیسیم برای ساخت این نانوکامپوزیت ها استفاده شد و سپس خواص این نانوکامپوزیت...

فریت ها دسته ای از مواد مغناطیسی هستند که جز اصلی تشکیل دهنده آنها اکسیدآهن می باشد. یکی از انواع فریت ها نوع اسپینلی آن است، فریت های اسپینلی با فرمول عمومی [b3+] o2-} (a2+)} که در آن +a2 و b3+ به ترتیب کاتیون های دو و سه ظرفیتی می یاشند که موقعیت های چهارگانه و هشت گانه شبکه بلوری را اشغال می کنند.کاتیون های دو ظرفیتی مانند (ni2+,co2+,zn2+, mn2+,..) و کاتیون سه ظرفیتی می تواند fe3+باشد. در سا...

در این تحقیق نانو جاذب‌های گرافن و گرافن مغناطیسی به روش هامرز سنتز شدند و جهت حذف BTEXها از بنزین مورد استفاده قرار گرفتند. خواص ساختاری نانو جاذب‌ها با پراش اشعه ایکس (XRD) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مشخص شدند. جذب آلاینده‌ها توسط دستگاه اسپکتروفتومتری UV-Vis اندازه‌گیری شد. غلظت جاذب، زمان تماس، غلظت اولیه آلایند و دما متغیرهای مورد بررسی بود. ایزوترم‌های جذب با استفاده از مدل‌های لانگ...

هدف از تحقیق حاضر بررسی اثر پارامترهای فرآیند انجمادسریع نظیر فوق ذوب و سرعت چرخ تبریدی و همچنین تاثیر عناصر آلیاژی al(5/1 درصد اتمی ) و ge (1درصد اتمی ) بر ریز ساختار، خواص مغناطیسی و سینتیک فرآیند تبلور سیستم آلیاژی fe si-b-nb-cu بوده است بر همین اساس آلیاژهایی با ترکیب fe si-b-nb-cu و همچننی fe si-b-nb-cu تهیه و با استفاده از فرآیند انجمادسریع و به وسیله دستگاه چرخ مذاب در شرایط مختلف از ف...

در این پژوهش تاثیر افزودن الماس (در اندازه نانو) بر ریزساختار و خواص مکانیکی کامپوزیت‌های فوق دما بالای دی‌بورید زیرکونیم تقویت شده با 25 درصد حجمی کاربید سیلیسیم بررسی شد. بدین منظور، کامپوزیت دی‌بورید زیرکونیم-کاربید سیلیسیم (به عنوان نمونه شاهد) و نمونه‌های دارای مقادیر مختلف از افزودنی نانو الماس (1، 2 و 3 درصد وزنی فاز زمینه) به روش تف­جوشی پلاسمای جرقه‌ای ساخته شدند. فرآیند تف­جوشی پلاسما...

‌یکی از راهکارهای بهبود امنیت غذایی جمعیت رو به افزایش جهان، افزایش مقدار تولید در واحد سـطح است. برخی عناصر غذایی نظیر سیلیسیم ضمن بهبود کارایی جذب سایر عناصر، کیفیت تولید را نیز افزایش می‎دهند. در این پژوهش، تأثیر منابع مختلف سیلیسیم شامل سیلیکات پتاسیم در دو سطح 400 و 200 میلی‌گرم بر کیلوگرم، سیلیکات کلسیم در دو سطح 400 و  200 میلی‌گرم بر کیلوگرم، هیومیستار سیلیسیم در دو سطح 400 و 200 میلی‌گ...

آلاییدن عایق ها و نیم رساناها به منظور مغناطیسی کردن این مواد در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. چنین موادی کاربرد فراوانی در صنعت از جمله صنعت اسپینترونیک دارند. می توان به جای آلاییدن این مواد، از طریق کپسوله کردن سیم های مغناطیسی و یا نانوذرات مغناطیسی در داخل نانولوله های نیم رسانا آن ها را مغناطیسی کرد. همچنین رشد ساختار نانوذرات مغناطیسی مانند نانوذره ی آهن به دلیل اکسیده شدن...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...