با بررسی ساختار باند مدل حاکم بر رفتار al2o3در تابش دهی یونیزان و همچنین تحریک نوری، مجموعه معادلات نرخی برای تحول دانسیته الکترون های تله و حفره های مراکز باز ترکیب و نیز الکترون های باند رسانش و حفره های باند ظرفیت در نظر گرفته شد و این دستگاه معادلات غیر خطی کوپل شده، به روش رونگ کوتا فهلبرگ به صورت عددی حل شد.با استفاده از این حل ، تاثیر نویز شدت نور تحریکی بر قرائت دز بررسی شد.نتایج نشان د...

در این پژوهش عملکرد سلول خورشیدی پروسکایت با بکارگیری دو لایه‌ی انتقال دهنده الکترون نظیر: SnO2 و ZnO. مورد شبیه سازی و مقایسه قرار گرفته است. بدین منظور از نرم افزار شبیه‌سازی AMPS-1D که دارای قابلیت تعیین مشخصه جریان-ولتاژ ، بازده کوانتمی و تعیین ضخامت لایه‌ها است استفاده شد. تاثیر ضخامت لایه‌ی جاذب پروسکایت، لایه های انتقال دهنده‌ی الکترون، غلظت ناخالصی لایه‌های انتقال دهنده‌ی الکترون و دما ...

در این رساله با استفاده از فرمول بندی پراکندگی لاندائو-بتیکر به بررسی رسانش در گرافین تک لایه می پردازیم . گرافین تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است که اخیرا توجه زیادی را به خود جلب کرده است . ما نشان خواهیم داد با حضور جفت شدگی اسپین مدار می توان در این ماده دو بعدی گاف ایجاد نمود . نتایج نشان می دهند جفت شدگی اسپین مدار راشبا علاوه بر ایجاد گاف در نوار، می تواند روی ترابرد اسپین حامل های ...

در این تحقیق ما به مطالعه همدوسی ترابرد کوانتومی در یک اتصال گرافینی فرومغناطیس – ابررسانا - فرومغناطیس در چارچوب نظریه bcs و با استفاده از معادله شبه ذرات dbdg پرداختیم. ترابرد همدوس برای ناحیه ابررسانا با پهنای محدود دارای دو ویژگی یکی است، وجود ترابرد الکترونی در انرژی های کمتر از گاف ابررسانا و دیگری نوسان رسانش دیفرانسیلی در انرژی های بالاتر از گاف است. همچینین ما صفر شدن دوره ای بازتاب آن...

در این مقاله به بررسی شتابدهی طولی الکترون توسط پالس لیزر گاوسی در کانال پلاسمایی کم‌چگال و در حضور میدان مغناطیسی عرضی می‌پردازیم. پارامترهایی مانند دامنه وزاویه قطبش پالس لیزر، چگالی پلاسما و شدت میدان مغناطیسی تأثیر قابل توجهی بر دینامیک الکترونها دارند. نشان داده شده که حضور میدان مغناطیسی در کانال سبب افزایش آستانه‌ی چگالی لازم برای شروع شتابدهی الکترون می‌شود. با بررسی وابستگی شتاب الکترو...

بطور خلاصه در این پایان نامه به مطالعه رسانش تونلی وابسته به دما در بایاس صفر در اتصالی خواهیم پرداخت که میان یک نانو سیم فلزی و یک ابررسانای موج-d واقع شده است، اهداف ما عبارتند از محاسبه ضرایب بازتاب نرمال و آندریف در اتصال، محاسبه رسانش تونلی در دمای صفر و نهایتا محاسبه رسانش بایاس صفر بر حسب دما می باشد. برای این کار از نظریه پراکندگی btk بهره می گیریم، روش اجرا به این صورت است که ابتدا با...

یک سری از نانوکامپوزیت¬های جدید شامل درصدهای جرمی مختلف ترکیب پلی¬اکسومتالات h9na3[wzn3(h2o)2(znw9o34)2].24h2o (hznw) (%30-10) بارگذاری شده بر روی نانومواد tio2 دوپه شده با عناصر فلزی مختلف y، zr و ceبا استفاده از روش ساده بارورسازی تهیه شده و به عنوان فوتوکاتالیزگرهایی موثر معرفی گردیدند. از روش¬های مختلفی شامل طیف¬سنجی مادون قرمز تبدیل فوریه (ft-ir)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، میکروسکوپ ...

با استفاده از نظریة تابعی چگالی خواص الکتریکی و اپتیکی هگزاگونال بورون نیترید (h-BN) دو لایه تحت کرنش صفحه ای دو محوری بررسی می شوند. محاسبة انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. h-BN دو لایه دارای گاف نواری غیر مستقیم به اندازة 4.33 eV در راستایK-M است. با اعمال کرنش تراکمی، کمینة نوار رسانش در نقطة M نسبت به تراز فرمی به سمت بالا و لبة نوار رسانش د...

با استفاده از روش ماتریس انتقال بصورت نظری به مطالعه‌ی خواص ترابردی اسپینی در ابرشبکه‌ی سیلیسینی در حضور برهمکنش اسپین-مدار راشبا‌ی خارجی و کرنش می‌پردازیم. به دلیل حضور برهمکنش اسپین-مدار راشبای خارجی، رسانش اسپینی و چرخش اسپینی را می‌توان با قدرت کرنش و برهمکنش اسپین-مدار راشبای خارجی تنظیم کرد. برای مقادیر خاصی از قدرت اسپین-مدار راشبای خارجی الکترون‌ها فقط در صورتی که چرخش کامل اسپینی انجام...

با توجه به مشکلاتی که سوخت‏های فسیلی ایجاد می‏کنند استفاده از انرژی خورشیدی برای تولید الکتریسیته مورد توجه قرار گرفته است. یکی از روش‏هایی که می‏توان برای این منظور استفاده کرد، فناوری سلول خورشیدی رنگدانه ای است. در بین نسلول های مختلف سلول خورشیدی، سلول خورشیدی حساس شده با رنگ به دلیل هزینه ی تولید کم و بازدهی بالا ارجحیت دارد. برای افزایش بازدهی در این روش راه های مختلفی وجود دارد که یکی از...