در این رساله بیش از ده انتقال جدید دو فوتونی اتم نئون که در دامنه 574 تا 630 نانومتر مشاهده و برخی از آنها برای اولین بار شناسایی شدند، گزارش می شوند. این انتقالات از تراز الکترونی شبه پایدار اتم نئون صورت می گیرند و در یک لامپ هالوکاتد با روش طیف سنجی اپتوگالوانیک مطالعه شده اند. همچنین در راستای مطالعه دینامیکی رفتار پلاسما، بررسی رفتارزمانی سیگنال های اپتوگالوانیک انجام شد که ازاین طریق طول ...

در این پژوهش نمونه های کامپوزیتی اکسیدروی-اکسیدگرافن احیاء شده به روش های (الف) سل–ژل، (ب) سونوشیمیایی، و (ج) اختلاط تهیه شدند. نمونه ها توسط آنالیزهای پراش پرتو ایکس (xrd)، آنالیز جذب فروسرخ (ft-ir)، طیف سنجی رامان و طیف سنجی فوتولومینسانس مورد بررسی و مشخصه یابی قرار گرفتند. از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی و عبوری به منظور توصیف دقیق از شکل، اندازه و نحوه پخش فاز گرافن در زمینه اکسیدروی اس...

استفاده از پدیده رامان برای دست یابی به تقویت کننده های پالس سیگنال در طول موج های مخابراتی امروزه بسیار مورد توجه است. ظهور این پدیده غیرخطی نوری به توان بالای نور در داخل محیط رامان نیازمند است. افزایش چگالی توان پمپ توسط ساختارهای ریزحلقه به علت خاصیت تشدیدکنندگی ، می تواند توان پمپ ورودی را به میزان قابل توجهی کاهش دهد. کریستال های فوتونی نیز با امکان تحدید نور توسط گاف فوتونی و تمرکز نور د...

ترکیبات مختلف تشدیدگرهای میکروحلقه، از جمله عناصر کار آمد و مهم در مدارهای مجتمع نوری به شمار می روند. ترکیبی که در این پایان نامه تحت عنوان scissor یک کاناله بررسی می شود، از تشدیدگرهای میکروحلقه ای تشکیل یافته است که علاوه بر اینکه به طور موازی با موجبر مستقیم جفت شده اند، جفت شدگی بین خود حلقه ها هم قابل ملاحظه است. روش های بهبود این تقویت کننده مورد بحث قرار داده شده و در نهایت با توجه به ا...

عملیات نم زدایی و فیلتراسیون رطوبت از بحثهای بسیار مهم در صنایع مختلف به شمار می رود. در این پایان نامه، ورقه های اکسید گرافین به روش شیمیایی از طریق اکسیداسیون گرافیت طبیعی و ورقه ورقه کردن آن تهیه شدند و قابلیت آن برای استفاده در فرآیندهای نم زدایی مورد بررسی قرار گرفت. نمونه ی سنتز شده با استفاده از طیف سنجی نور مرئی فرابنفش، تبدیل فوریه ی مادون قرمز، طیف سنجی رامان، اندازه گیری زاویه ی تماس...

در این پژوهش نانوذرات گارنت ایتریوم آهن به­روش سل ژل تهیه شد. تشکیل فاز گارنت و ساختار بلورین این نانوذرات با پراش­سنجی پرتو ایکس (xrd)، بیناب فوریه فروسرخ  (ft-ir)و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) بررسی شد. مغناطش نانوذرات با (vsm) اندازه­گیری شد. نتایج پراش xrd نشان می­دهد که اندازه­ی بلورک­ها در بازه­ی70 تا250 نانومتر است. همچنین ارتباط بین ثابت شبکه و اندازه­ی بلورک­ها مورد بررسی قرار گرفت. ...

اکسید روی یک نیمرسانا با شکاف انرژی در حدود 37/3 الکترون ولت است که در سال های اخیر به خاطر کاربردهای بسیار نانوساختارهایش در زمینه های مختلف الکترونیکی، اپتیکی، مغناطیسی و غیره، مورد توجه بسیار زیادی قرار گرفته است. با افزودن مقدار کمی از ناخالصی هایی مانند فلزات واسطه می توان برخی ویژگی های آن از جمله ویژگی مغناطیسی آن را بهبود بخشید و قابلیت استفاده از آن را افزایش داد. در پژوهش حاضر، هدف س...

در این مقاله عبور پالس لیزر از یک محیط پلاسمای همجوشی با استفاده از روش ذره در جعبه شبیه ‎ سازی شده است. همچنین پراکندگی رامان تحریکی و گرمایش الکترون ‎ های محیط توسط این پراکندگی مورد بررسی قرار گرفت. در ادامه با اعمال یک میدان مغناطیسی خارجی بر محیط پلاسما، تولید امواج سوت ‎ کش الکترومغناطیسی و نقش آنها در گرمایش الکترون ‎ های محیط در جهت عمود بر میدان مغناطیسی خارجی را مشاهده نمودیم. در پراک...

تقویت کننده نور بر روی مدارهای مجتمع نوری یکی از اساسی ترین اجزای این مدارها هستند. یکی از تقویت کننده های نوری، تقویت کننده رامان سیلیکونی است. به دلیل غیر خطی بودن اثر رامان، با افزایش شدت میدان، بهره مربوطه را می توان افزایش داد. هر پدیده ای از قبیل حضور پلاسمون که باعث افزایش میدان در داخل تقویت کننده شود، ضریب تقویت رامان را زیاد می کند. در این پایان نامه قصد داریم با توزیع تصادفی نانوذرا...