ویژگی¬های الکتریکی و نوری خاص گرافین، ازجمله تحرک پذیری بالای حاملین در دمای اتاق، عدم وجود گاف باندی، قابلیت انعطاف پذیری بالا و وجود ترابرد بالستیک حاملین در دمای اتاق، آن را به یک ماده ایده¬آل برای استفاده در حوزه نانو الکترونیک تبدیل کرده است.تحرکپذیری بسیار بالای حامل¬ها در دمای اتاق و ترابرد بالیستیک، گرافین را جایگزین بالقوه ی سیلیکون به عنوان نیمرسانا در مدارهای مجتمع، مدارهای منطقی و ا...

بلور نوری سیلیسیم- هوا یک بعدی، یک ساختار تناوبی شامل عناصر سیلیسیم با ضریب شکست 4/3 و هوا با ضریب شکست یک است. نوار گاف فوتونی درگستره ای از فرکانس است که نور نمی تواند از بلور نوری عبور کند. به علاوه اگر یک لایه نقص در ساختار نوری وارد شود مدهای نقص را در نوار گاف نوری خواهیم داشت. بلورهای مایع ، یا lc، با توجه به خاصیت شکست دوگانه و دارا بودن دو ضریب شکست عادی (no) و ضریب شکست غیرعادی (ne) و...

تاثیر مهندسی کانال و نواحی کناری بر کارکرد فرکانسی و سوییچینگ ترانزیستور نانوتیوب کربنی و ماسفت سیلیکنی دو گیتی مطالعه گردیده است. پارامترهای عملکرد مانند فرکانس قطع، سرعت سوییچینگ، مشخصه دوقطبی و نسبت جریان حالت روشن به خاموش محاسبه و بهینه سازی شده اند. به دلیل ایجاد رفتار الکترواستاتیکی مطلوب، اتصالات سورس و درین یک بعدی مورد استفاده قرار گرفته است. کاهش فرکانس قطع در اثر نفوذ تابع موج در اک...

مدارهای ترکیبی از گیت های منطقی تشکیل شده اند که خروجی در هرلحظه تنها به وسیله ترکیب فعلی ورودی و بدون لحاظ کردن ورودی های قبلی یا حالت قبلی خروجی تعیین می شود. منطق برگشت پذیر که به شکل جدی در دهه های اخیر موردتوجه قرارگرفته، ساخت مدارهایی در مقیاس نانو را بررسی می کند که علاوه بر مشکل اندازه و ابعاد مدار، مصرف توان و هدر رفت گرما در آن را نیز تحت کنترل خود دارد. یکی از کلیدی ترین مدارهای ترکی...

ترانزیستورهای لایه نازک پلی سیلسیمی (poly-si tft) در سال های اخیر، به جهت کاربردهای آنها در نمایشگرهای کریستال مایع ماتریسی فعال amlcd) ها) بطور گسترده ای مورد تحقیق و مطالعه قرارگرفته اند. برای این کاربردها، poly-si tft های با مقیاس پایین ،کارآیی خوب و قابلیت اطمینان بالا مورد نیاز است. یکی از مشکلات poly-si tft ها بزرگ بودن جریان نشتی آنها و نیز بالا بودن میدان الکتریکی افقی نزدیک درین، بدلیل...

در سال های اخیر با پیشرفت تکنولوژی و افزایش محصولات الکترونیکی قابل حمل، مدارهایی توان پایین با مساحت کوچکتر مورد نیاز هستند. دانشمندان به دنبال دستیابی به ساختارهایی هستند که بتواند محاسبات پیچیده ریاضی را که اساس عملکرد هر سیستم الکترونیکی است با مصرف کمترین توان انجام دهد. در سال¬های اخیر، طراحی وساخت گیت¬های مبتنی برمنطق برگشت¬پذیر به عنوان یک تکنولوژی جدید که کاربردهایی در سیستم¬های توان پ...

در این پایان نامه به مدل سازی اثرات کانال کوتاه در ماسفت های دوگیتی با گیت دو ماده ای پرداخته شده است. یک مدل دو بعدی برای پتانسیل کانال با استفاده از ترکیبی از روش های مد ناپایدار و روش تقریب چند جمله ای استخراج شده است. با استفاده از روش مد ناپایدار پتانسیل کانال به صورت مجموع پتانسیل یک بعدی برای حالت کانال بلند و تغییرات دو بعدی پتانسیل برای در نظر گرفتن کوتاه شدن کانال بیان شده است. تغییرا...

رشد فزاینده ی تعداد قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهای اثر میدانی که به ماسفت معروف هستند در هر تراشه که به ازای هر 18 ماه مطابق قانون مور[1] به دو برابر می رسد و نیز کاهش تابع نمایی اندازه ی این قطعات باعث شده است تا اکسیدهای فرانازک سیلیکونی که به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی امروزی هستند کارآیی قابل قبولی را در قطعات نداشته باشد و باعث از دست رفتن کنترل جریان در چاه نانو تر...

در پروسه طراحی و ساخت مدارهای مجتمع، اطمینان از صحت کارکرد تراشه ای که طراحی و ساخته می شود از اهمیت بالایی برخوردار است به گونه ای که تولید یک تراشه بدون انجام عملیات تست عملی غیر منطقی می باشد. با افزایش حجم روز افزون مدارهای مجتمع، پیچیدگی طراحی و ساخت مدارها و همچنین پیچیدگی تولید بردارهای تست مناسب آنها نیز بیشتر می شود به گونه ای که تولید و انجام عملیات تست کامل مدارهای مجتمع بزرگ بسیار ز...