در این پژوهش، نانوسیم¬های مغناطیسی نیکل به روش الکتروانباشت پالس ac درون قالب آلومینای آندی ساخته شده به روش آندایز دومرحله¬ای رشد داده شدند. لایه سدی کف حفره¬ها در یک آندایز غیر تعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا ولتاژهای 8، 12، 16و 20 ولت نازک سازی شد. برای هر ولتاژ نازک¬سازی 5 نمونه با شرایط الکتروانباشت، جریان ثابت 10 میلی آمپر، زمان خاموشی 48 میلی ثانیه با دماهای بستر 10، 20، 30، 40 و 50 درجه...

در این پایان نامه به بررسی ترابرد وابسته به اسپین نانوساختارهای مغناطیسی از قبیل نانوسیم های فرومغناطیس، پادفرومغناطیس و فری مغناطیس پرداخته می شود. محاسبات در رهیافت بستگی قوی و با استفاده از روش تابع گرین انجام می شود. نتایج مربوط به یک نانوسیم فرومغناطیس نشان می دهد که وجود نقص مغناطیسی و افزایش تعداد آن احتمال چرخش اسپین الکترون عبوری را افزایش و چگالی حالت های سامانه را کاهش می دهد. بررسی ...

در این مقاله، معادله شرودینگر غیرخطی ظاهر شده در برخی از سیستم های بس ذره ای مانند نانوسیم باردار با لایه مولکولی قطبیده نرم، چاه کوانتومی در حضور برهم کنش الکترون-الکترون، معادله گراس-پیتا افسکی برای چگالیده بوز-اینشتین در حضور برهم کنش های دوجسمی و سه جسمی را بررسی کرده ایم. محاسبه انرژی حالت پایه این معادله ها از اهمیت فراوانی برخوردار است و بدست آوردن آن با روش‌های تحلیلی، بسیار پیچیده است....

در مقالۀ حاضر، مشخصه جریان-ولتاژ یک دیواره‌ مغناطیسی 2π رادیان ایجاد شده در میان دو نانوسیم از جنس نیمرسانای مغناطیسی نوع p با قطبش اسپینی بسیار بالا در دمای معین T مطالعه و بررسی شده است. در این راستا، احتمال عبور و بازتاب حامل‌ها از دیواره 2π رادیان با حل معادله جفت شده شرودینگر برای مؤلفه‌های تابع موج اسپینی با اسپین بالا و پائین تعیین شده و سپس چگرادیان با حل معادلات جفت شده شرودینگر برای م...

نیروی بازیابی و تغییر شکل بالا از مزایای آلیاژهای حافظه دار می باشد. استفاده از آلیاژهای حافظه دار لایه نازک به علت افزایش نسبت سطح به حجم باعث بهبود سرعت پاسخ و زمان بازیابی می گردد. آرایه هایی از نانو سیمهای مسی (هدایت حرارتی بالا) بر روی آلیاژهای حافظه دار لایه نازک، می تواند به منظور انتقال سریعتر حرارت به این آلیاژها و در نتیجه بهبود زمان پاسخ دهی مورد استفاده قرار گیرد. در این پایان نامه...

آرایه نانو سیم های کبالت به روش الکترو نهشت شیمیایی متناوب در قالب آلومینای حفره دار ساخته شد‍ و تاثیر پارامترهای فرکانس الکترونهشت و ph الکترولیت در الکترو نهشت با ولتاژهای کاهش- اکسایش متقارن 18-18 و نامتقارن 18-12 ولت مورد مطالعه قرار گرفت. بررسی خواص مغناطیسی و میکروساختاری آرایه نانو سیم ها نشان داد که رابطه مستقیم بین مغناطش اشباع بر واحد سطح و وادارندگی و نسبت مربعی نمونه ها وجود دارد به...

در این تحقیق، مشخصه های جریان، توان و بازده کوانتومی در آشکارساز تک حاملی utc-pd و پهنای باند در آشکارساز تک حاملی p-ge/i-si/n-si بررسی می شود و با استفاده از نظریه آشکارساز حلقوی، برای نخستین بار آشکارساز حلقوی تک حامل روندهp-ge/i-si/n-si طراحی و ارائه می شود. الگوی ارائه شده برای ساختار p-ge/i-si/n-si mr-utc-pd متشکل از الگوهای ساختار آشکارساز تک حامل رونده p-ge/i-si/n-si و ساختار موجبر حلقوی...

تمایل بشر به افزایش مینیاتورسازی قطعات الکترونیکی، برای بدست آوردن چگالی تجمیع بالا و سرعت بیشتر باعث احساس نیاز روزافزون در حوزه آماده سازی مواد و فرآیندهای تولید قطعات شده است. پس برای رسیدن به قابلیت های بیشتر در ارتباط با افزاره های الکترونیکی نیاز به قطعاتی داریم که دارای ویژگی های زیر باشند: 1- دارای قابلیت مجتمع سازی با چگالی بالاتر 2-سرعت پردازش بالاتر 3-مصرف توان کمتر در این راستا ...

در ده های اخیر تحقیقات زیادی در زمینه ساخت نانوسیم های مغناطیسی به روشهای مختلف و کاربرد آنها برای ساخت حافظه های مغناطیسی صورت گرفته است. همچنین بررسی تأثیر شرایط ساخت نانوسیم ها بر خواص مغناطیسی آنها مورد توجه ویژه بوده است. یکی از روشهای ساخت نانوسیم های مغناطیسی استفاده از قالبهای حفره دار آلومینا و پر نمودن آنها به روش الکتروشیمی می باشد. این نوشتار مشتمل بر چهار فصل می باشد. در فصل اول م...

در این پایان نامه ابتدا سلولهای خورشیدی سطوح شکل داده شده را مورد مطالعه قرار داده¬ایم. شکل سطح سلول خورشیدی را بصورت نیم کره در نظر گرفته و روابط ریاضی حاکم را مورد تحلیل و بررسی قرار داده و مقایسه بین سلولهای خورشیدی سطح صاف و سطح شکل داده شده بصورت نیم کره انجام داده¬ایم. نتایج بدست آمده نشان می¬دهد که شکل دهی سطح سلول خورشیدی بصورت نیم کره باعث دو تغییر اساسی در عملکرد سلول خورشیدی می شود ک...