در این تحقیق، به بررسی و اندازه گیری حساسیت و فرکانس ارتعاشی در 3 جهت z,y,xروی جرم محک و فرکانس ارتعاشی در 3 جهت پرداخته شده است. به کمک4 تیر با ابعاد مشخص شده برای کنترل و مهار جرم محک استفاده شده است. در روی هر میله 2 مبدل فیلم نازک پیزو تنظیم شده است. در مجموع 8 مبدل طوری به هم متصل شده اند که شتاب های 3 محوره را می توانند اندازه گیری کنند. شتاب وارده روی محورz برای اندازه گیری حالت متقارن، ...

چگونگی بهینه سازیِ ذخیره و مصرف انرژی موضوعی است که امروزه توجه گسترده جهانی را به خود جلب کرده است. توسعه خازن ها با قابلیت ذخیره سازی بالای انرژی یکی از جنبه های قابل توجه بهره برداری منابع جدید انرژی است. مواد دی الکتریک پلیمری با ثابت دی الکتریک بالا، نقش موثری را در توسعه این خازن ها، ایفا می کنند. از سال 1960 میلادی شیمیدان ها تحقیقات گسترده ای در زمینه خاصیت دی الکتریکی پلیمرها انجام داده...

محاسبه آهنگ واپاشی یک اتم و یا مولکول برانگیخته در نزدیکی یک تیغه دی الکتریک به دو روش متفاوت بررسی می شود. روش اول: میدان الکترومغناطیسی با استفاده از توابع مد کوانتیزه شده و آهنگ واپاشی اتم برانگیخته با بکار بردن قاعده طلایی فرمی محاسبه می شود. فرض می کنیم که تابع دی الکتریک تیغه یک کمیت حقیقی ثابت است . روش دوم: براساس کاربرد قضیه اتلاف - افت خیز و فرمول کیوبو است . در این روش ، آهنگ واپاشی ...

ایران چهارمین تولید کننده سیب زمینی از لحاظ مقدار تولید است. با توجه به سهم بالای ایران در صادرات و مصرف سیب زمینی در داخل، اهمیت بررسی کیفیت سیب زمینی های تولیدی به صورت پیوسته و در ابعاد وسیع در فرآیند جداسازی این محصول آشکار می شود. سیب زمینی در طول رشد و انبارمانی با آفت و خرابی-های متعددی روبه رو می شود، که برخی از این خرابی ها در اثر شرایط محیطی، رشد و یا در اثر تنش های مختلف مکانیکی بوجو...

نظر به مطالعات انجام گرفته در نانو فیزیک، بررسی انرژی آزاد کازیمیر و نیروی مربوط (فرمول لیفشیتز) بین یک لایه گرافین و یک دی الکتریک دارای اهمیت است. ما در ابتدا، بعد از بیان تاریخچه ای مختصر در مورد اثر کازیمیر، انرژی آزاد کازیمیر را بین دو صفحه دی الکتریک محاسبه می کنیم. سپس بعضی از خواص لایه ی گرافین را مطالعه می کنیم و انرژی کازیمیر بین گرافین و یک صفحه دی الکتریک در دمای متناهی t را محاسبه ...

دو نوع از سنسور ها معمولاً برای اندازه گیری فشار در آزمایشات استفاده می شود: سنسورهای پیزوالکتریک و پیزورزیستیو . سنسورهای پیزوالکتریک رزولوشن زمانی بالاتری ارائه می کنند و استفاده از آنها ساده تر است. هر چند، محدوده های فشار و زمانی آنها کاملاً محدود است. درمقابل، سنسورهای پیزورزیستیو می توانند در طیف گسترده ای از فشارها (gpa100mpa-1) و زمان ها (بارگذاری استاتیک - ms ) استفاده شوند. با این حال، ...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

مواد فروالکتریک پایه سربی و علی الخصوص Pb(Zr,Ti)O3 به علت دارا بودن خواص پیزوالکتریک عالی دارای کاربردهای وسیعی در عمل�گرها، حسگرها و مبدل های پیزوالکتریک هستند. از طرفی، بیش از 60 درصد وزنی این ترکیبات را اکسید سرب تشکیل می?دهد. با در نظر گرفتن سمی بودن سرب تلاشهای فراوانی به منظور گسترش موادی سازگار با بدن و محیط زیست صورت گرفته است. در این مقاله نایوبات پتاسیم- سدیم (KNN) به عنوان مهم ترین خ...

زیست­پذیری فضاهای شهری و مکانیسم بازتولید آن تحت تأثیر نیروهای کلان و اقتضایی- محلی شکل می گیرند که وضعیت حاکم بر آن­ها را رقم می زنند. به عبارتی همانند هر پدیده دیگر شهری، نیروهای مؤثر زیادی در پشت ناپایداری فضاهای شهری وجود دارد و مورد توجه قرار دادن این نیروها یکی از وظائف اصلی و محوری برنامه ریزان در قرن 21 است. در این میان حاشیه نشینی پدیده ای است که اگر چه معلول عوامل دیگری است، اما خود ا...

کار پیش رو مطالعه ی پدیده ی غیرخطی خود کانونی شدن باریکه ی نور حامل تکانه ی زاویه ای مداری (oam) است. به عنوانی مثالی برای این نوع باریکه، باریکه لاگر-گاوسی (lg) را می توان نام برد. این نوع باریکه عموما به نور پیچینده معروف اند. در اینجا ابتدا انتشار نور پیچینده در یک محیط غیرخطی را شرح داده سپس پدیده ی خود کانونی و واکانونی باریکه لاگر-گاوسی را که در یک محیط دی الکتریک غیرخطی انتشار می یابند، ...