نتایج جستجو برای: گاف باند فوتونیکی
تعداد نتایج: 7116 فیلتر نتایج به سال:
ترکیبات دو عنصر سیلیکون و کربن c را کربیدسیلیکون می گویند ودارای خوشه های بسیار زیادی می با شند. انواع مختلف و متنوعی از ترکیب دو عنصر سیلیکون و کربن وجوددارد و در تکنولوژی مواد بسیار با اهمیت است. کربید سیلیکون دارای خواص مطلوب بسیار زیادی مانند رسانایی گرمایی بالا، شکنندگی بالا درمیدان الکتریکی، پایداری حرارتی بالا، ایستادگی در رابطه با تغییرات شیمیایی است. این خواص جالب ،کربید سیلیکون را برا...
در این تحقیق میکرو و نانوساختارهای ZnO بر روی زیرلایه کوارتز به روش تبخیر گرمایی (کربوترمال) در کوره رشد داده و عوامل مؤثر همچون زمان ماندگاری، لایه کاتالیست به عنوان مراکز اولیه هستهبندی در روند رشد و مورفولوژی، ساختارها و خواص اپتیکی مانند ضریب شکست (n) و گاف اپتیکی (Eg) مورد بررسی و تحلیل قرار گرفته است. مورفولوژی شامل شکل فضائی، ابعاد، چگالی توزیع بر سطح، به وسیله تحلیل عکسهای میکروسکوپ...
از آنجا که تشکیل جفت الکترونها برای ابررسانایی ضرورت دارد، تشخیص سازوکارهایی که می توانند به تشکیل این جفت ها بیانجامد از اهمیت بسزایی برخوردار است. اما، از یکسو برخی از آزمایشها بر روی ابررساناهای دمای بالا، مانند arpes ، نشان داده اند که مجموعه ای از نتایج تجربی بوسیله مدهای بوزونی مغناطیسی قابل توصیفند و از سوی دیگر برخی دیگر از آزمایشها مانند تونلزنی ابررسانایی ( tunneling spectroscopy )، ب...
چکیده ندارد.
در این پایان¬نامه سعی شده تا نمایی از یک لیزر سطح گسیل کاواک عمودی به همراه یک لایه گرافن به عنوان کنتاکت هادی شفاف، به منظور توزیع بهتر جریان درون ساختار این نوع ابزار ارائه شود. در فصل اول، ابتدا تاریخچه¬ای از لیزر¬های سطح گسیل کاواک عمودی و مقایسه آن با لیزر¬های وجه¬گسیل معمول ارائه کرده¬ایم. سپس شرایط طراحی این¬گونه لیزر¬ها را طبق منابع موجود بررسی کردیم. در ادامه این فصل به بررسی فتونیک کر...
Renewable energy research has created a push for new materials one of the most attractive material in this field is quantum confined hybrid silicon nano-structures (nc-Si:H) embedded in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). The essential step for this investigation is studying a-Si and its ability to produce quantum confinement (QC) in nc-Si: H. Increasing the gap of a-Si system causes solar...
بسیاری از توابع فوتونیکی به وسیله کنترل اثر متقابل واپاشی و آثار غیر خطی در موجبر قابل پیاده سازی می باشند. مهندسی واپاشی برای آن دسته از فرآیندهای غیر خطی نظیر تبدیل طول موج و تقویت کنندگی پارامتریک که به تطابق فاز نیاز دارند، امری ضروری است. همچنین در کاربردهایی چون تولید و انتشار پالس سالیتونی، فرآیندهای پهن کردن طیف پالس، فشرده سازی و دوباره شکل دهی پالس ، کنترل دقیق واپاشی از اصول اولیه و ...
با ترکیب این مواد با مواد معمولی اثر متامواد برروی عبور نور از این ساختارها مورد بررسی قرار گرفته است.با ایجاد بی نظمی جایگاهی و بی نظمی در ضخامت لایه ها بر روی این ترکیبات ، تغییرات ضریب عبور نور را متوجه شده وهمچنین چگونگی شرایط ایجاد گاف صفر و گاف براگ مورد بحث قرارگرفته شده است.
خواص الکترونیکی واپتیکی و ترموالکتریکی homno3 و ناخالصیها با استفاده محاسبات اصول اولیه ونظریه تابعی چگالی بررسی شده است. برای انجام محاسبات از روش امواج تخت تقویت شده خطی وتقریب گرادیان تعمیم یافته استفاده شده است.
در این مقاله در ابتدا لایه های سولفید کادمیم با شفافیت اپتیکی زیاد و مقاومت ویژه کم ساخته شد. سپس خواص فوتوکانداکتیویته لایه سولفید کادمیم بر روی زیر لایه شیشه ای در گستره از دمای اتاق تا200° c مورد مطالعه قرار گرفت. نهایتا ناخالص سازی لایه سولفید کادمیم با فلزات مس, نقره, طلا و آلومینیوم انجام گرفت. در نمونه های سولفید کادمیم ناخالص شده با مس, نقره و طلا موفق به ایجاد مراکز تله شدیم و قله منح...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید