نتایج جستجو برای: گاف نوری
تعداد نتایج: 10755 فیلتر نتایج به سال:
در این تحقیق ما به مطالعه همدوسی ترابرد کوانتومی در یک اتصال گرافینی فرومغناطیس – ابررسانا - فرومغناطیس در چارچوب نظریه bcs و با استفاده از معادله شبه ذرات dbdg پرداختیم. ترابرد همدوس برای ناحیه ابررسانا با پهنای محدود دارای دو ویژگی یکی است، وجود ترابرد الکترونی در انرژی های کمتر از گاف ابررسانا و دیگری نوسان رسانش دیفرانسیلی در انرژی های بالاتر از گاف است. همچینین ما صفر شدن دوره ای بازتاب آن...
در این مقاله به تحلیل میدان در فیبر براگ بلورفوتونی با هسته تو خالی پرداخته می شود. برای تحلیل خواص جالب انتشاری مدهای te و tm در این نوع فیبربراگ از روش ماتریس انتقال کل استفاده شده که میدان هسته را به میدان آخرین لایه پیوسته ارتباط می دهد. با رسم نمودار β/k (عدد موج طولی به عدد موج کل) برای مدهای انتشاری برحسب λ (طول موج پرتو ورودی به فیبر) نمودار پاشندگی موجبر این ساختار مشخص می شود. همچنین ...
نانوذرات آهنربای طبیعی به خاطر وجود خواص مغناطیسی منحصر به فرد و به دلیل وجود یک گاف باند باریک (آهنربای طبیعی یک نیمه رسانا است) اخیرا بسیار مورد توجه قرار گرفته¬اند. از خواص مغناطیس نوری نانوذرات آهنربای طبیعی می¬توان به محدود کننده های نوری و سوئیچ های اپتیکی تحت تاثیر میدان های مغناطیسی اشاره کرد. پدیده اپتیکی اشباع جذب منجر به کاربرد¬های زیادی خواهد شد، چرا که مهمترین پارامتر برای اشباع جذ...
در این مقاله، خواص الکترونی و اپتیکی سه نمونه از جدیدترین ساختارهای پنج ضلعی تک لایه شامل C4B2، C2B4 و C2N4 بر مبنای نظریۀ تابعی چگالی (DFT) و با اجرای کد محاسباتی Wien2k مورد مطالعه قرار گرفته است. در بخش خواص الکترونی، با رسم ساختار نواری و منحنی های چگالی حالت های کلی و جزئی، این نتایج حاصل شد که این ساختارها از نظر الکترونی، به ترتیب با داشتن گاف انرژی ای در حدود 0.2، 1.2 و 3.1 الکترون-ولت ...
برخلاف سیلیکن توده که به دلیل ساختار گاف انرژی غیر مستقیم فاقد کارایی لازم برای ادوارت الکترونیک نوری است نانو ساختارهای سیلیکنی امکان تابش خودبخودی را به دلیل بازترکیب حاملها فراهم می آورند و لذا در ادورات گسیل کننده نور مبتنی بر سیلیکن حایز اهمیت بسیار هستند در این گزارش ساخت سیلیکن متخلخل به عنوان یکی از مهمترین نانو ساختارهای سیلیکنی به روش زدایش شیمیایی در مخلوط اسید هیدروفلوئوریک و اسید ن...
در این تحقیق نانو ساختارهای تیتانیوم دی اکساید (tio2)و روی اکسید(zno) با بکارگیری روش جدیدی تهیه شدند. از رنگ با گاف انرژی باریک به عنوان حساسگر نوری در فعالیت فوتوکاتالیزوری نیمه هادی های tio2و znoاستفاده شد. سطح نانوذرات znoو tio2با رنگ سودان رد 7bپوشش داده شد و ذرات حاصله بعنوان فوتوکاتالیزورهای اصلاح شده جهت تجزیه فنل مورد استفاده قرار گرفت. این مواد با آنالیزهای پراش پرتو ایکس (xrd)، طیفسن...
سولفید کادمیوم (cds)از نیمه هادی های ترکیبی گروه های ii-vi با گاف انرژی پهن و مستقیم ev42/2 به دلیل نقش مهمی که در قطعات اپتوالکترونیک و پیل های فوتوولتایی دارد توجه ویژه ای را به خود جلب کرده است. در این پایان نامه، لایه های نازک نانوکریستال سولفید کادمیوم با استفاده از محلول های سولفات کادمیوم، تیواوره و آمونیاک به روش لایه نشانی حمام شیمیایی (cbd)بر روی زیرلایه های شیشه ای تهیه شده اند. تأث...
چکیده ندارد.
در این تحقیق میکرو و نانوساختارهای ZnO بر روی زیرلایه کوارتز به روش تبخیر گرمایی (کربوترمال) در کوره رشد داده و عوامل مؤثر همچون زمان ماندگاری، لایه کاتالیست به عنوان مراکز اولیه هستهبندی در روند رشد و مورفولوژی، ساختارها و خواص اپتیکی مانند ضریب شکست (n) و گاف اپتیکی (Eg) مورد بررسی و تحلیل قرار گرفته است. مورفولوژی شامل شکل فضائی، ابعاد، چگالی توزیع بر سطح، به وسیله تحلیل عکسهای میکروسکوپ...
از آنجا که تشکیل جفت الکترونها برای ابررسانایی ضرورت دارد، تشخیص سازوکارهایی که می توانند به تشکیل این جفت ها بیانجامد از اهمیت بسزایی برخوردار است. اما، از یکسو برخی از آزمایشها بر روی ابررساناهای دمای بالا، مانند arpes ، نشان داده اند که مجموعه ای از نتایج تجربی بوسیله مدهای بوزونی مغناطیسی قابل توصیفند و از سوی دیگر برخی دیگر از آزمایشها مانند تونلزنی ابررسانایی ( tunneling spectroscopy )، ب...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید