نتایج جستجو برای: تخلیه با عایق دی الکتریک

تعداد نتایج: 670995  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده مهندسی شیمی 1392

چکیده با توجه به گسترش صنعت برق و الکترونیک، تقاضا برای مواد با ضریب دی¬الکتریک بالا، فرایندپذیری آسان و دوام زیاد رو به گسترش است. یکی از رایج¬ترین روش¬ها برای دستیابی به این هدف استفاده از کامپوزیت های پلیمری است. استفاده از پرکننده¬هایی مانند ذرات سرامیکی با ضریب دی¬الکتریک بالا و یا ذرات فلزی/کربنی با رسانایی بالا در بستر پلیمری معمول است که هر یک نقاط قوت و ضعف خاص خود را دارند. هدف از...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده مهندسی شیمی و نفت 1391

نظر به سنگین بودن بخش عمده ای از نفت استخراجی کشور از یک سو و ارزش اقتصادی پایین و کاربرد محدود این ترکیبات از سوی دیگر، فرایندهای تبدیلی ترکیبات هیدروکربنی سنگین به سبک تر بسیار حائز اهمیت می باشد که در حال حاضر این دسته فرایندها از جمله عملیات دشوار و پیچیده پالایشی است. برای تبدیل نفت سنگین به هیدروکربن های سبک و با ارزش روش هایی وجود دارند که متداول ترین آن ها روش های حرارتی می باشد که نیاز...

در این مقاله به بررسی رفتار کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه ها به صورت Glass/(MgF2-Ge)N/Air پرداخته شده است. شبیه سازی این کریستال انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش ...

این مقاله به بررسی و تحلیل تخلیه جزیی بر روی شینه‌های استاتور ژنراتور سنکرون می‌پردازد. لازم است در ابتدا، با استفاده از تجهیزات مربوطه، اندازه‌گیری سیگنالهای خاص این نوع تخلیه در دفعات و زمان‌های مختلف انجام گیرد و سپس با توجه به قواعد و استانداردهای موجود به تفسیر آنها پرداخته شود. به منظور تفسیر بهتر نتایج، یک شبکه عصبی مورد آموزش، آزمون و صحت سنجی قرار گرفته است. شبکه عصبی مورد استفاده، شبک...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی 1390

موجبرهای mim به علت هدایت پلاسمون های سطحی در سطح مقطع فلز-دی الکتریک ساختارهای بسیار مهمی در ادوات پلاسمونیکی هستند. در سال های اخیر این ساختارها محبوبیت زیادی در میان محققین بدست آورده اند چراکه این موجبرها نه تنها از انتشار مدهای با طول موج بسیار کوچک و با سرعت گروهی بالا پشتیبانی می کنند، بلکه توانایی هدایت موج تا فواصل نسبتا بالا را از خود نشان می دهند. ترکیب این موجبرها با نانوتشدیدگرهایی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده مهندسی شیمی و نفت 1391

افزایش تقاضا برای سوخت های فسیلی و اتمام قریب الوقوع این منابع و به دنبال آن پیش بینی افزایش قیمت جهانی انرژی به دلیل محدودیت منابع فسیلی، جهان را با بحران انرژی روبه رو ساخته است. از این رو اهمیت و ضرورت تغییر سیستم فعلی تولید و مصرف انرژی و جایگزینی آن با منابع انرژی های تجدیدپذیر برای پاسخگویی به نیاز انرژی جهانی در آینده نمایان می شود. زیست توده بعنوان یکی از منابع انبوه انرژی های تجدیدپذیر...

ژورنال: :مجله دانشکده پزشکی اصفهان 0
اسما عسکری دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه بیوالکتریک، دانشکده ی مهندسی پزشکی، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران علی مالکی استادیار، گروه بیوالکتریک، دانشکده ی مهندسی پزشکی، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران

مقدمه: تراهرتز، تابشی غیر مخرب است و از این رو، در دو دهه ی اخیر، برای کاربردهای مختلفی نظیر تصویربرداری پزشکی مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. در اختیار داشتن مدلی دقیق از بافت، می تواند راه را برای پژوهش های این حوزه هموارتر سازد. در محدوده ی تراهرتز، آب جذب بالایی دارد و به دلیل بالا بودن مقدار آب در بافت های بدن، ساز و کار اصلی ایجاد کنتراست در تصویربرداری پزشکی تراهرتز، مبتنی بر تفاوت م...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
عبدالله مرتضی علی a morteza ali azzahra universityدانشگاه الزهرا رقیه مداح r maddah islamic azad university of semnanدانشگاه آزاد اسلامی واحد سمنان معصومه حیدری m heidari azzahra universityدانشگاه الزهرا

مس با خلوص 99.97% را در ضخامت های متفاوت بر زیرلایه شیشه، به روش تبخیر در خلاء با آهنگ 2aº/sec رشد داده ایم. طیف ضریب بازتاب (r) نمونه ها را در فرود تقریبا عمود در بازه طول موج 200nm<λ<3000nm با دستگاه طیف سنجی 500 carry به دست آوردیم و با استفاده از آن، بخش حقیقی و موهومی ضریب شکست (n و k) و ضرایب دی الکتریک (ε2وε1) را با روش کرایمرز کرونیگ (k.k.) به دست آوردیم و با نمونه حجمی مقایسه کردیم. نت...

انبوهه و نانو لایه‌ی GaAs به دلیل کاربردهای وسیع مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته اند. به دلیل اهمیت نانو لایه GaAs ، در این مقاله با استفاده از دو ناخالصی Mn و Fe احتمال ایجاد گذار فاز رسانا به نیم‌رسانا و برعکس هچنین چگونگی جابجایی ستیغ های ضرایب اپتیکی این نانو لایه‌‌ها مورد بررسی قرار می گیرد. به این منظور ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و مغناطیسی نانو لایه ی GaAs خالص و آلائیده شده با...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید