در این پروژه ابتدا به طراحی و ساخت یک نمونه دستگاه لایه نشانی چرخشی جهت تهیه لایه های نازک و یکنواخت پلیمری پرداخته می شود. سپس لایه نازک ترکیب آلی (pani+pvc) به روش لایه نشانی چرخشی با سرعتهای چرخش مختلف و غلظت های مختلف تهیه شد. طیف اپتیکی لایه ها در ناحیه نور مرئی مورد مطالعه قرار گرفت. ضخامت لایه ها طبق پیک طیف جذبی نزدیک به nm 386 تخمین زده شد. پیک های جذب متناسب با سرعت چرخش و غلظت محلول ...

a novel and ultra low cost isfet electrode and measurement system was designed for isfet application and detection of hydronium, hydrazinium and potassium ions. also, a measuring setup containing appropriate circuits, suitable analyzer (advantech board), de noise reduction elements, cooling system and pc was used for controlling the isfet electrode and various characteristic measurements. the t...

چکیده ندارد.

یده ?? چ مانند ?? فضای خارج قسمت ?? صورت ی ?? توان به ???? دانیم که هر رویه ریمان را م ???? سازی م ?? نواخت ?? از قضیه ی زیر گروه گسسته ?? بوده و h یا فضای هذلولوی ? c ?? ، فضای اقلیدس s کره ? s~ که در آن ?? طوری ?? نوشتبه s~=?? دانیم که هر رویه ریمان فشرده ???? کند همچنین م ???? را القا م : s~ ??! s~=?? است که پوشش isom +(s~) از h که روی ? ?? است. برای هر گروه h?=?? صورت ?? به ?? تر از ? س...

حسگرهای فرابنفش برای تشخیص تابش فرابنفش در محیطی که اشعه خورشید حضور دارد، کاملاً ضروری هستند. علاوه بر این، چنین حسگرهایی در پزشکی برای ضد عفونی کردن و تشخیص میکروب ها و قارچ ها، در زیست شناسی برای تشخیص سوراخ های لایه ازون و در نورسنجی و طیف سنجی مورد استفاده قرار می گیرند. همچنین، برای ساختن ابزار آلات نظامی جهت ردیابی موشک ها و در بسیاری دیگر از زمینه های علوم و مهندسی، اینگونه آشکارسا...

وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشک...

سیلیکن کاربید (sic) یک ماده نیمه هادی باند بزرگ با خواص ماده بسیار خوب برای الکترونیک فرکانس بالا، توان بالا و دمای بالا است. در این رساله ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی sic با ساختارهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفته است و مشخصه های dc و فرکانس بالای افزاره ها مانند، جریان اشباع درین، ولتاژ شکست، حداکثر توان خروجی، فرکانس قطع (ft) و حداکثر فرکانس نوسان (fmax) با هم مقایسه شده است. در این کا...

: یکی از کاربردی ترین بلوک های به کار رفته در سیستمهای آنالوگ و سیگنال مخلوط تقویت کننده های عمیاتی می باشند. تقویت کننده های عملیاتی همه منظوره می توانند به عنوان جمع کننده، مشتق گیر، انتگرال گیر، بافر ، مقایسه کننده ، مبدل امپدانس منفی و سایر کاربردها استفاده شوند. در این پایان نامه ، طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی جدید بهره بالا و توان پایین مبتنی بر ترانزیستور فین فت با نرم افزار hsp...

درعلم نیمه هادی هرچه ابعاد قطعه کوچکتر میشود اثرهای کانال کوتاه ومکانیک کوانتومی ( وجود ترازهای انرژی گسسته در لایه های الکترونی اتم ) روی مشخصه های ترانزیستور بیشترخود را ظاهرمی سازند ، وترانزیستورهای نانو وایر فت به عنوان یکی از مهمترین قطعات با کاهش قطر کانال به یک سیم نازک ، کنترل کانال را بخوبی انجام میدهند . این قطعات بطور گسترده در تکنولوژی cmos درحال توسعه هستند واین سبب میشود که در مدا...

در تعداد زیادی از چیپ های vlsi، توان مصرفی سیستم کلاکینگ شامل شبکه ی توزیع کلاک و فلیپ فلاپ ها می‏ شود که غالباً قسمت بزرگی از کل توان مصرفی یک چیپ می باشند. در این پایان نامه به طراحی فلیپ فلاپ های جدید با توان مصرفی کم و کارایی بالا پرداخته شده است. در فصل اول ضرورت و انگیزه ی این کار بیان شده است. در فصل دوم مهم ترین فلیپ فلاپ های دیگران شرح داده شده است. در فصل سوم اولین فلیپ فلاپ پیشنهادی ...