ترانزیستورهای لایه نازک پلی سیلسیمی (poly-si tft) در سال های اخیر، به جهت کاربردهای آنها در نمایشگرهای کریستال مایع ماتریسی فعال amlcd) ها) بطور گسترده ای مورد تحقیق و مطالعه قرارگرفته اند. برای این کاربردها، poly-si tft های با مقیاس پایین ،کارآیی خوب و قابلیت اطمینان بالا مورد نیاز است. یکی از مشکلات poly-si tft ها بزرگ بودن جریان نشتی آنها و نیز بالا بودن میدان الکتریکی افقی نزدیک درین، بدلیل...

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه‌ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...

در این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ساختارهای جدید ارائه شده در بهبود اثرهای کانال کوتاه از قبیل جریان نشتی، نوسان های زیرآستانه و کاهش سد ناشی از القای درین پرداخته شده است.هم چنین یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی جدید به منظور کاهش اثرهای کانال کوتاه ارائه شده است.برای شبیه سازی این افزاره ی پیشنهادی از حل خودسازگار معادله های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی، برای حل معاد...

در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای pd soi در مقیاس 45 نانومتر ارائه می گردد. این مدل بر پایه شبیه سازی های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه سازی سه بعدی نرم افزار ise-tcad نشان داده می شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه ای ریاضی برای محاسبه مق...

کاربرد سه نوع آرایه الکترودی جهت شناسایی یک حفره زیرزمینی بررسی گردید. تصویر سازی سه بعدی مقاومت الکتریکی در امتداد هشت پروفیل موازی با استفاده از آرایه های الکترودی قطبی- قطبی، قطبی-دوقطبی و دوقطبی- دوقطبی با فاصله بین الکترودی یک متر  و شبکه مستطیلی صورت گرفت. برگردان سازی داده ها توسط یک الگوریتم وارون سازی  سه بعدی مبتنی بر روش برگردان سازی هوشمند انجام گردید.  جهت بدست آوردن نتایج بهتر، بر...

در سال های اخیر، کامپوزیت های هیبریدی آلی و غیرآلی با توجه به ثابت دی الکتریک بالاتر، فاکتور کیفیت بالاتر و جریان نشتی کم تر به عنوان جایگزین مواد گیت دی الکتریک در نظر گرفته شده اند. نفوذ بور از فیلم نازک دی-اکسید سیلیکون، جریان های تونلی و نشتی را افزایش می دهد و نشان می دهد که دی اکسید سیلیکون نمی تواند برای دستگاه های cmos (فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل) مورد استفاده قرار گیرد. برخی از افراد ا...

    کاربرد سه نوع آرایه الکترودی جهت شناسایی یک حفره زیرزمینی بررسی گردید. تصویر سازی سه بعدی مقاومت الکتریکی در امتداد هشت پروفیل موازی با استفاده از آرایه های الکترودی قطبی- قطبی، قطبی-دوقطبی و دوقطبی- دوقطبی با فاصله بین الکترودی یک متر  و شبکه مستطیلی صورت گرفت. برگردان سازی داده ها توسط یک الگوریتم وارون سازی  سه بعدی مبتنی بر روش برگردان سازی هوشمند انجام گردید.  جهت بدست آوردن نتایج بهتر...

هدف اصلی از این پایان نامه پیدا کردن راه حل جدیدی برای کاهش تلفات در مدارات cmos vlsi می باشد . بطور ویژه تمرکز بر ما بر کاهش تلفات نشتی است . اگر چه تلفات توان نشتی در تکنولوژی 18 نانومتر و بالاتر ناچیز است با این حال در تکنولوژی زیر 65 نانو متر مقدار آن قابل صرف نظر نیست و تقریبا با تلفات توان دینامیکی برابری می کند .در این پایان نامه یک ساختار جدید مداری جهت کاهش تلفات توان نشتی ارایه گردیده...

اختلالات اسکیزوفرنیا و دوقطبی با اختلال در عملکردهای شناختی همراهند و پروفایل شناختی این دو اختلال به هم شبیه است. با این حال، نقایص شناختی در این بیماران ممکن است مسیر های متفاوتی را دنبال کنند. هدف پژوهش حاضر، بررسی و مقایسه سرعت شناختی و زمان واکنش و تصمیم‌گیری در بیماران اسکیزوفرنیا و دوقطبی بود. برای این منظور طی یک پژوهش مقایسه‌ای، چهل بیمار مبتلا به اختلال اسکیزوفرنیا، 40 بیمار مبتلا به ...

مقدمه: به دلیل شباهت بالای نشانه‌ها و مشخصات بالینی بین اختلالات طیف شخصیت مرزی و دوقطبی به‌ویژه اختلال دوقطبی -II، برخی از محققان اختلال شخصیت مرزی را با طیف دوقطبی طبقه‌بندی نموده‌اند و برای هر دو اختلال سبب‌شناسی مشترکی را در نظر گرفته‌اند. در مطالعه حاضر به‌منظور ارزیابی این فرضیه، رابطه صمیمی و تجربۀ خشم در اختلالات شخصیت مرزی و دوقطبی -II مقایسه شده است. مواد و روش‌ها: نمونه شامل 27 بیمار...