در این مقاله با استفاده از نرم افزار cst studio cst studio به طراحی و شبیه سازی یک آهنربای چهارقطبی و اپتیک باریکه الکترونی در آن پرداخته شده است و بر اساس آن نسبت به ساخت یک چهار قطبی مغناطیسی جهت استفاده در خط انتقال اولین شتاب دهنده پرقدرت صنعتی الکترون ساخت ایران اقدام شده است. برای ایجاد میدان مغناطیسی مناسب، جنس، هندسه هسته ها و همچنین تغییرات جریان سیم پیچ ها بر اندازه و خطوط میدان مغناط...

مواجهه جفت حباب ها در جریان های دوفازی به وفور مشاهده میشود که این مواجهه میتواند منجر به الحاق آنها شود. الحاق حبابها یکی از پدیدههای فیزیکی مهمی است که در ستونهای مایع رخ می دهد. توسعه دانش مربوط به الحاق دو حباب، به توصیف بهتر و درک دقیقتر جریانهای دوفازی حبابی کمک میکند. اثر میدان مغناطیسی یکنواخت خارجی، تاکنون بر اندرکنش و الحاق حبابهای سیالات دی الکتریک مورد مطالعه قرار نگرفته است. از این...

در این مقاله اثر تغییرات مستقل طول‌ میدان‌‌های الکتریکی و مغناطیسی با لحاظ نواحی نفوذ جانبی بر توزیع دما و سرعت جریان در یک ریزپمپ دیناموهیدرومغناطیسی شبیه سازی شده است. هندسه جریان ام اچ دی یک مجرای دو بعدی بین دو صفجه موازی است و معادلات حاکم بر دو میدان جریان سیال و الکترومغناطیس به روش عددی حجم محدود حل شده است. نتایج عددی نشان داد که با لحاظ تابعیت دمایی خواص برای جریان در یک مجرا به مقطع ...

یکی از مفاهیم نانو مقیاس، حرکت دیواره حوزه مغناطیسی می‌باشد و در حوزه های مختلفی از جمله ذخیره اطلاعات در حافظه ها از آن استفاده می‌شود. حوزه های مغناطیسی در اثر عوامل خارجی از جمله جریان یا میدان های مغناطیسی خارجی شروع به حرکت می‌کنند و در شروع حرکت، سرعت حرکت دیواره حوزه مغناطیسی به صورت توانی با عوامل خارجی رفتار می‌کند که آن را توان جهش نیز می نامند. در این مقاله سعی شده است با استفاده از ...

در مقاله حاضر، رفتار یک حباب در سیال لزج دی¬الکتریک تحت اثر میدان مغناطیسی یکنواخت در جریان دوفازی با استفاده از روش level set به صورت دوبعدی مدل¬سازی شده ¬است. جریان دوفازی حبابی آرام و همگن فرض شده و تغییرشکل حباب بر اثر نیروی غوطه¬وری و نیز نیروی مغناطیسی ناشی از میدان مغناطیسی خارجی اعمال شده، مورد بررسی قرار گرفته¬است. برای حل مساله یک کد کامپیوتری نوشته شده که شامل بخش¬های حل میدان جریان،...

ماده ابردگررسان مغناطیسی ترفنل-دی در ساخت بسیاری از حسگرها از قبیل نیروسنج کاربرد دارد. در این حسگرها نیروی خارجی به واسطه تغییر در شار مغناطیسی گذرنده از ترفنل-دی اندازه گیری می شود. به منظور بهبود عملکرد این حسگرها، ترفنل-دی تحت تاثیر میدان مغناطیسی بایاس و پیش تنش مکانیکی قرار می گیرد. در این مقاله، اثر این دو عامل بر حساسیت و محدوده اندازه گیری خطی حسگر مورد بررسی قرار می گیرد و مقادیر بهین...

در این مقاله اثر تغییرات مستقل طول میدان های الکتریکی و مغناطیسی با لحاظ نواحی نفوذ جانبی بر توزیع دما و سرعت جریان در یک ریزپمپ دیناموهیدرومغناطیسی شبیه سازی شده است. هندسه جریان ام اچ دی یک مجرای دو بعدی بین دو صفجه موازی است و معادلات حاکم بر دو میدان جریان سیال و الکترومغناطیس به روش عددی حجم محدود حل شده است. نتایج عددی نشان داد که با لحاظ تابعیت دمایی خواص برای جریان در یک مجرا به مقطع مس...

وقتی بحث ساخت تجهیزات مطرح میشود یکی از مباحثی که خودنمایی میکند بحث تست و تعیین کارایی است