نتایج جستجو برای: مدل پوشش تدریجی

تعداد نتایج: 142358  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم ریاضی 1391

یکی از انواع مدل های مکان یابی، مدل های پوشش می باشند که هدف آن ها سرویس گرفتن هر مشتری توسط مرکزی است که در فاصله ای معقول از مشتری قرار گرفته است. مساله ی پوشش حداکثر یکی از مسائل پرکاربرد پوشش می باشد که هدف آن پوشش دادن حداکثر تقاضا با تعداد محدود تسهیلات می باشد. در مدل های پوشش معمولا سه فرض در نظر گرفته می شوند‎. فرض پوشش همه یا هیچ: به این معنی که نقاط تقاضایی که در شعاع پوشش یک مرکز ق...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه قم - دانشکده علوم پایه 1390

در این پایان نامه یک مدل مکان یابی شبکه که ترکیبی از مدل های میانگین مرتب شده و پوشش تدریجی است را مورد بررسی قرار می دهیم .این مسئله مسئله مکان یابی با پوشش تدریجی مرتب شده )ogclp )است .در مسائل پوششی فرض بر این است که یک فاصله بحرانی وجود دارد که در آن فاصله نقاط تقاضا کاملا پوشیده اما زمانی که تقاضاها دورتر از این فاصله باشند اصلا پوشیده نمی شوند . در مسئله مکان یابی با پوشش تدریجی هدف پوشش ...

ژورنال: :پژوهش های مدیریت در ایران 2013
مهدی بشیری یونس گرمه ای

در مسائل پوشش تدریجی افزایش فاصله از تسهیل ارائه دهنده سرویس در ناحیه پوشش، موجب کم شدن سطح پوشش¬دهی می¬گردد و اغلب محققین در مسایل مکان¬یابی تنها به عامل فاصله توجه می¬کنند، حال آنکه در دنیای واقعی معیارهای زیادی مثل جمعیت، دسترسی سریع و... وجود دارند که باید علاوه بر عامل فاصله در ارزیابی مکان¬یابی و تخصیص مورد توجه قرار گیرند، به عنوان مثال در مکان¬یابی تسهیلات اورژانسی نباید تنها به عامل فا...

در این تحقیق پوشش های تک لایه اکسید تیتانیوم (TiO2)، تک لایه هیدروکسی اپتایت (HA)، دو لایه HA-TiO2و پوشش با ساختار تغییرات تدریجی HA/TiO2 به روش الکتروفورتیک بر روی آلیاژ تیتانیومTi–6Al–4V اعمال گردیدند. مقاومت به ضربه پوشش های مختلف پس از عملیات تفت جوشی به وسیله رها سازی گلوله فولادی از ارتفاع های مختلف بر روی سطح پوشش، اندازه گیری شد. بررسی مقاومت به سایش پوشش های مختلف، توسط آزمون سایش به ر...

در تحقیق حاضر پوشش های تک لایه هیدروکسی اپتایت (HA)، اکسید تیتانیوم (TiO2) و پوشش با ساختار تغییرات تدریجی اکسید تیتانیوم/هیدروکسی اپتایت به روش الکتروفورتیک بر روی آلیاژ تیتانیومTi–6Al–4V اعمال گردید. مورفولوژی پوشش ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) بررسی شد. همچنین ترکیب پوشش ها با استفاده از آنالیز های پراش اشعه ایکس (XRD) و طیف سنجی پراش انرژی اشعه ایکس (EDX) مورد بررسی قرار گ...

ژورنال: :فرآیندهای نوین در مهندسی مواد 0
جلیل پوراسد دانشجوی دکتری، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری های ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران ناصر احسانی استاد، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری های ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران سید علی خلیفه سلطانی دانشجوی دکتری، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری های ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران

گرافیت به طور گسترده در ساختارهای دمای بالا مورد استفاده قرار گرفته است با این حال، گرافیت از دمای حدود 400 درجه سانتیگراد، به آسانی با اکسیژن واکنش می دهد. کاربید سیلیسیم (sic) با تغییر تدریجی ترکیب در مقیاس میکروسکوپی به عنوان بهترین ماده برای جلوگیری از اکسیداسیون گرافیت شناخته شده است. در این پروژه پوشش sic بر پنج نوع گرافیت مختلف به روش سمانتاسیون توده ای اعمال گردید و رابطه بین ریزساختار ...

ژورنال: :مدیریت تولید و عملیات 0
مهدی بشیری دانشکده فنی- دانشگاه شاهد- تهران- ایران یونس گرمه ای دانشکده فنی- دانشگاه شاهد - تهران- ایران محسن یحیایی دانشکده فنی- دانشگاه شاهد - تهران- ایران

در مسائل مکانیابی پوشش نوین، افزایش فاصله از تسهیل ارائه دهنده سرویس در ناحیه پوشش، موجب کم شدن سطح پوشش دهی می گردد و تحت عنوان پوشش تدریجی در نظر گرفته می شود، با ازدیاد نقاط تقاضا، زمان حل در اینگونه مسائل افزایش می یابد. لذا روشهای مختلف حل از جمله دقیق، فرا ابتکاری و ابتکاری برای مدلهای مختلف مسئله پوشش تدریجی مطرح شده است. در این مقاله مسئله پوشش تدریجی با استفاده از روشهای شبیه سازی تبری...

در مسائل مکانیابی پوشش نوین، افزایش فاصله از تسهیل ارائه دهنده سرویس در ناحیه پوشش، موجب کم شدن سطح پوشش دهی می گردد و تحت عنوان پوشش تدریجی در نظر گرفته می شود، با ازدیاد نقاط تقاضا، زمان حل در اینگونه مسائل افزایش می یابد. لذا روشهای مختلف حل از جمله دقیق، فرا ابتکاری و ابتکاری برای مدلهای مختلف مسئله پوشش تدریجی مطرح شده است. در این مقاله مسئله پوشش تدریجی با استفاده از روشهای شبیه سازی تبری...

جلیل پوراسد, سید علی خلیفه‌سلطانی ناصر احسانی,

گرافیت به طور گسترده در ساختارهای دمای بالا مورد استفاده قرار گرفته‌است با این حال، گرافیت از دمای حدود 400 درجه سانتیگراد، به آسانی با اکسیژن واکنش می‌دهد. کاربید سیلیسیم (SiC) با تغییر تدریجی ترکیب در مقیاس میکروسکوپی به عنوان بهترین ماده برای جلوگیری از اکسیداسیون گرافیت شناخته شده است. در این پروژه پوشش SiC بر پنج نوع گرافیت مختلف به روش سمانتاسیون توده‌ای اعمال گردید و رابطه بین ریزساختار ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید