هدف این تحقیق مقایسه برخی ویژگیهای فیزیولوژیکی و جسمی تیم ملی دو و میدانی(دوندگان سرعت ، پرش کننده ها، و پرتاب کننده ها) بود و خصوصیاتی مانند حداکثر اکسیژن مصرفی، توان بی هوازی، نیروی عضلانی پا مورد ارزیابی قرار گرفتند.

‏‏ این پایان نامه به طراحی و شبیه سازی بلوک های ساختاری در یک آرایه آنالوگ برنامه پذیر ‏میدانی می پردازد. این پایان نامه برای پوشش مدارهای مختلف با کاربرد عام و کاربرد مهندسی ‏پزشکی هدف گذاری شده است. بنابراین مدارهای انتخاب شده در سه نوع ‏cab ‏ مختلف با ‏کاربردهای متفاوت قرار گرفته اند. ‏cabها به ترتیب برای کاربردهای خاص مهندسی پزشکی، کاربرد ‏عام و مدارهای معمول مورد استفاده و در نهایت کاربرد ...

پژوهش حاضر با هدف توصیف منابع استرس قهرمانان تیم ملی دو و میدانی معلولین، منتخب مسابقات پارالمپیک ٢٠٠٨ پکن انجام شد. در خلال یک دوره دو هفته ای در فصل پیش از مسابقه، با ١٢ قهرمان دو و میدانی تیم ملی به طور خصوصی مصاحبه شد. برگه اطلاعاتی که از نسخه ضبط شده مصاحبه هر فرد استخراج شده بود قبل از تحلیل، به تأیید نهایی وی رسید. سپس هر مصاحبه به صورت نوشتاری درآمد و جهت محرمانه ماندن محتوای آن، کد گذا...

در سال های اخیر کوچک سازی ترانزیستورهای cmos متداول به تکنولوژی های زیر 100 نانو متر برای دست یابی به چگالی مجتمع سازی بالاتر و سرعت بیشتر با چندین مشکل روبه رو شده است از جمله: افزایش سوئینگ زیر آستانه، جریان نشتی بالا در حالت خاموش، کاهش سد با القاء درین(dibl) و اثرات کانال کوتاه دیگر. ترازیستور اثر میدان تونلی(tfet) یکی از امید بخش ترین افزاره ها برای جایگزینی ترانزیستور اثر میدان فلز – اکسی...

چکیده نانولوله هایکربنی قابلیت های منحصر به فرد زیادی دارند که چشم انداز مناسبی در کاربردهاینانوالکترونیکو در مدارات مجتمع آینده می توان برای آن ها متصور شد.به دلیل مشخصات الکترونیکی عالی نانولوله های کربنی نظیر قابلیت تحرک بالا، سازگاری با ثابت دی الکتریک بالا و قطر کوچک، استفاده از نانولوله های کربنی به عنوان یکی از بلوک های اصلی در کاربردهای آینده الکترونیک می تواند مطرح باشد. استفاده از ...

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

نانو الکترونیک شاخه ای از فناوری نانو است که از نظر ساخت وسایل الکترونیکی کوچک تر، سریع تر و کم مصرف تر نقش بسیار مهمی در تکنولوژی جهانی دارد. کوچکتر شدن ابعاد ترانزیستورهای سلیکونی رایج موجب ایجاد مشکلاتی از جمله ایجاد جریانات نشتی و خازن های پارازیتی می شود که بروز چنین مشکلاتی خود موجب افزایش توان مصرفی، تاخیر و افزایش حاضلضرب تاخیر در توان می گردد. تکنولوژی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کر...