شهین مرادنسب بدرآبادی 1، داریوش سرداری2، میترا اطهری2آشکارسازهای ذرات یا پرتو ابزاری هستند که با آن‌ها ذرات پرانرژی را آشکار، ردیابی یا شناسایی می‌کنند. یکی از این آشکارسازها گالیم آرسناید (GaAs) می باشد. مشکلات در تولید لایه های ضخیم با دوپینگ (ناخالص سازی یا تغلیظ) به اندازه کافی کم نیاز به عمق‌های تهی سازی کافی (بیشتر از 100 میکرومتر) داشت، در حالی که مانع توسعه بیشتر می‌شدند. سپس، علاقه جدی...

امروزه وسایل پایه گذاری شده بر اساس مایکروکاواک های اپتیکی، تقریباً برای طیف وسیعی از کاربردها و مطالعات، ضروری و کارآمد هستند. همچنین ظهور تولیدات جدیدی از ادوات اپتوالکترونیکی بر پایه مایکروکاواک ها در سالهای آینده انتظار می رود. ساختار مایکروکاواک، شامل دو بازتابنده‏ توزیع شده براگ (distributed bragg reflectors-dbrs) موازی هستند که به وسیله یک لایه کاواک از هم جدا شده-اند، که می تواند ضریب شک...

با استفاده از معادلات نرخ لیزر خود سامانده نقطه کوانتومی ایندیم گالیم آرسناید - گالیم آرسناید، تابع انتقال این نوع لیزر استخراج و ارائه می شود بطوریکه با بهره گیری از آن می توان انواع تحلیلهای حوزه زمان و پایداری در حوزه فرکانس را انجام داد. در حوزه زمان، تابع انتقال ارائه شده رفتار حالت گذرا و دائمی لیزر را به صورت یکجا محاسبه می کند. همچنین این تابع انتقال می تواند در شبیه سازهای مداری نظیر ا...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به الماس گونه متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات ...

در این پژوهش به طراحی و شبیه سازی سلول های خورشیدی مبتنی بر گالیوم آرسناید و بررسی پارامترهای موثر در تعیین عملکرد سلول خورشیدی پرداخته شده است و بازدهی سلولهای خورشیدی مبتنی بر گالیم آرسناید و cigs با توجه به تغییر ضخامت و تراکم ناخالصی لایه‎ها و همچنین اثرات بازتاب سطحی مورد بررسی قرار گرفته است. با بهینه‎سازی ضخامت لایه پنجره و تراکم ناخالصی ها، بازده بهینه حاصل می گردد در بخش نهایی، روشی اب...

در این پایان نامه به شبیه سازی سلول خورشیدی مبتنی بر گالیم- آرسناید و تاثیر اضافه نمودن لایه پنجره و لایه میدان سطح پشتی از جنس inxga1-xp پرداخته ایم، سپس اثر افزایش دما و تغییر ضخامت لایه های بیس و امیتر آن را بر روی عملکرد سلول خورشیدی بررسی نموده ایم. سلول های خورشیدی مبتنی بر گالیم آرسناید دارای سرعت بازترکیب سطحی بالایی میباشند و این امر موجب افت عملکرد سلول های خورشیدی مبتنی بر gaas میگرد...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه های iii-v جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می شود. این ساختار به ساختار شبکه ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم های آرسنیک یا گالیوم اشغال می شود. از این نیمرسانای استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات...

تکنولوژی حسگرها به طور گسترده ای برای تشخیص گازها مورد بررسی و استفاده قرار گرفته است. با توجه به کاربرد های متفاوت و محدودیت های ذاتی تکنولوژی حسگرهای گاز پژوهشگران مشغول تحقیق بر روی طرح های متفاوتی هستند تا حسگرهایی با دقت و کالیبراسیون بهتری ابداع کنند. در این پایان نامه از اتصال شاتکی نیمه هادی گالیوم آرسناید برای ساخت حسگر گاز آمونیاک استفاده شده است. در این راستا دو ماده حساس به گاز آمون...

رشد لایه های رونشستی gaas برای اولین بار در ایران با رونشستی پرتو مولکولی mbe انجام شد. این لایه ها عموما" با نرخ یک میکرون در ساعت و با ناخالصی سیلیسیم بر زیرلایه های gaas(001) رشد داده شده است . کیفیت بلوری لایه ها همزمان با انجام رشد توسط سیستم پراش بازتابی الکترون پر انرژی (rheed) تحت مراقبت قرار می گرفت . توسط توزیع نگار خازن - ولتاژ الکتروشیمیایی (ecvp) توزیع چگالی ناخالصی در عمق و نیز ضخ...