نتایج جستجو برای: الکترونهشت پالس مستقیم
تعداد نتایج: 40014 فیلتر نتایج به سال:
روش بسط بر مبنای توابع پالس- بلوکی برای حل عددی معادلات انتگرال ولترا و فردهلم دو بعدی نوع اول و دوم ارایه شده است. تحقیق ارایه شده بر اساس معرفی خانواده ای از ماتریس های عملیاتی انتگرال گیری است. آنالیز خطا انجام شده، کارایی و دقت روش ارایه شده را نشان می دهد. هم چنین چند مثال عددی آورده شده است.
با توجه به اهمیت و کاربردهای ویژه نانوسیم های آلیاژی مغناطیس-غیرمغناطیس در افزایش ذخیره ی اطلاعات حافظه های مغناطیسی عمودی و هم چنین در پدیده gmr، اقدام به ساخت آرایه نانوسیم های مغناطیسی cozn در قالب حفره دار آلومینا کردیم. در این روش، ابتدا نانوحفره های منظم با آرایش شش گوشی با قطر 30 نانومتر و فاصله بین حفره ای 100 نانومتر، با روش آندایز دومرحله ای ساخته شدند. سپس نانوسیم های cozn به روش الک...
با توجه به قابلیت کاربرد نانوسیم ها در محیط های ثبت مغناطیسی چگالی بالا و gmr و با توجه اینکه اضافه کردن یک ماده غیر مغناطیسی به ماده مغناطیسی می تواند روش خوبی در کاهش برهمکنش های مغناطواستاتیک باشد تصمیم به ساخت نانوسیم های fezn گرفتیم. ساخت نانوسیم ها در دو مرحله انجام شد. در مرحله اول قالب آلومینا توسط آندیزاسیون دو مرحله ای ساخته شد و سپس یون های fe و zn با روش الکترونهشت پالسی ac در نانو...
در میان نانوسیمهای مغناطیسی که تاکنون ساخته شده، نانوسیمهای کبالت به علت ناهمسانگردی مغناطو بلوری تک محور زیاد به هنگام رشد در ساختار hcp که عامل اصلی تغییر در میکروساختار این نانوسیمها می باشد، مورد توجه بسیاری از محققین واقع شده است. با توجه به اینکه رفتار لایهی سدی نقش کلیدی در فرآیند الکترونهشت دارد، در این پروژه برای اولین بار با تغییر دمای لایهی سدی فرآیند الکترونهشت تحت تأثیر قرار ...
نانوسیم های مغناطیسی در زمینه های مختلفی مانند حافظه های مغناطیسی عمودی، مقاومت مغناطیسی بزرگ (gmr)، حسگرهای مغناطیسی و بسیاری دیگر کاربرد دارند. تاکنون نانوسیم های مغناطیسی مختلفی شامل نانوسیم های تک عنصری و آلیاژی مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به اثرات مطلوب افزودن عناصر غیر مغناطیسی بر خواص مغناطیسی نانوسیم ها، ساخت نانوسیم های آلیاژی و بررسی خواص مغناطیسی و ساختاری آن ها مورد توجه قرار...
برای انتقال انرژی الکتریکی ازنیروگاه ها به مصرف کنندگان، یک سیستم بهم پیوسته مورد نیاز می باشد. این سیستم شامل مراکز تولید انرژی، ایستگاه ها، خطوط انتقال یا کابلها و مصرف کنندگان می باشد. سیستم های hvdcبرای اتصال شبکه های ناهماهنگ و یا بهبود پایداری و حفظ سطح اتصال کوتاه شبکه های ac متصل به آنها با کنترل پذیری بالایی که دارند، استفاده می گردند. یکی از شروط مهم عملکرد رضایت بخش خط ارتباطیhvdc، ک...
قدرت تفکیک دستگاه طیفنگار جرمی به صورت مستقیم شدت یون خروجی و انرژی آن بستگی دارد. مقدار تولید شده جریان باریکه الکترونی وابسته است. از جمله وظایف مدار کنترل چشمه برخورد تنظیم برای رسیدن بهینه میباشد. در ساخت پارامترهایی نظیر تثبیت آن، دقیق پتانسل الکتریکی لنز الکترودهای یونی بسیار حایز اهمیت این مقاله با قابلیت انتشار الکترون، پتانسیل نقاط طراحی ساخته شد. کنترلر بر روی طیف نگار 44Varian MAT ...
در این مقاله، انتشار پالس میکروموجی با نمایه گاوسی درون یک موجبر پلاسمایی مستطیلی درحضور یک میدان مغناطیسی یکنواخت خارجی بررسی شده است. برای این منظور، با استفاده از معادلات ماکسول و معادلات هیدرودینامیکی سیال، معادله دیفرانسیلی برای پتانسیل دنباله پالس در موجبر محاسبه شده است. در ادامه با حل این معادله دیفرانسیل با استفاده از روش محاسباتی رانگ-کوتا مرتبه 4، توزیع میدان الکتریکی دنباله پالس (E...
در این تحقیق، پوشش نانوکریستال زیرکونیا (zro2) به روش رسوب الکتریکی توسط جریان مستقیم و پالس بر روی زیرلایه فولاد زنگ نزن 316ال با آماده سازی سطح مکانیکی و الکتروشیمیایی رسوب داده شد. پوشش دهی در دمای محیط و تحت چگالی جریان ثابت ma.cm-2 1/7 انجام شد. نتایج نشان داد که پوشش های حاصله در تمام موارد زیرکونیا با ساختار تتراگونال بودند. اندازه دانه در حالت استفاده از جریان مستقیم 19 و در حالت جریان ...
چکیده در کار حاضر ساختار¬های zno به روش الکترونهشت بر روی زیرلایه¬های , si(111) fto و cu در زمان¬های نهشت مختلف رشد داده شدند. عملیات حرارتی (بازپخت) در دما¬های مختلف 200، 400 و oc600 انجام شد. ویژگی¬های ساختاری، اپتیکی، نورتابی و ریختی (مرفولوژی) ساختار¬های zno رشد یافته مورد مطالعه قرار گرفت. بلورینگی نمونه¬ها با زمان نهشت و بازپخت تغییری نمی¬کند تنها کیفیت بلوری نمونه¬ها متاثر می¬شود. در ح...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید