در این تحقیق، با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی به مطالعه رسانش الکتریکی یک نانو لوله نوعی تک دیواره با ساختار شبکه مربعی، به صورت تحلیلی پرداخته شده است. اثر عوامل مختلفی همچون حضور نقص های پیوندی متقارن، فاصله بین نقص های پیوندی و تغییرات انرژی های پرش نانو لوله روی رفتار رسانندگی الکترونی بررسی شده است. نتایج حاصل از بررسی نانو لوله های نوعی مذکور نشان می دهد که نانو لوله با سا...

در این پژوهش، با استفاده از روش ارزان قیمت سل-ژل، اکسیدروی نوع مثبت تهیه شد و سپس بر پایه آن، با استفاده از نیم رسانای سیلیسیوم نوع منفی، اقدام به ساخت دیود نوری پیوندی مثبت-منفی نمودیم. بطور کلی اکسیدروی نیم رسانایی با گاف انرژی بزرگ 3/37 ev بوده و به واسطه فراوانی و قیمت ارزانی که داراست گزینه مناسب و پرکاربردی جهت ابزار الکترواپتیکی بشمار می رود، اما ناپایدار بودن نوع مثبت این نیم رسانا سد ب...

با توجه به پیشرفت روز افزون علوم بشری در زمینه های گوناگون دست آورد های فراوانی در زمینه های علمی به وجود آمده است که همه ی آن ها در خدمت رسانی به بشر می باشند. در این راستا منابع گوناگون انرژی، نقش حیاتی در پیشرفت این علوم دارند. یکی از انرژی هایی که به عنوان انرژی نو و جایگزین برای انرژی های قدیمی و در حال اتمام، مانند نفت، گاز و زغال سنگ مورد توجه زیادی قرارگرفته، انرژی خورشیدی می باشد. در ...

به دلیل خواص متنوع و قابل توجه سیلیکان متخلخل، این ماده در زمینه های بسیاری از جمله الکترونیک، میکرو الکترونیک، اپتیک و ساخت انواع حسگرها کاربرد فراوانی دارد.در این پایان نامه تصمیم بر این است که سیلیکان متخلخل ساخته شود و هدایت الکتریکی آن بررسی گردد.برای ساخت سیلیکان متخلخل می خواهیم از روش الکتروشیمیایی استفاده کنیم. در نظر داریم ویفر های سیلیکان نوع p که بدون پولیش هستند را به کار ببریم و د...

میان¬کنش نور پلاریزه با پلاسمون¬¬ سطحی نانوذرات فلزی، شاخه¬ نوینی از فناوری به نام پلاسمونیک را در دانش نانوفوتونیک پدیدآورده است. نقطه¬ قوت این فناوری، قابلیت مهندسی خواص نوری نانوذرات و استفاده از سرعت و ظرفیت فوتونیک در پردازش اطلاعات الکترونی است. به¬منظور افزایش قدرت پلاسمونیک نانوذرات فلزی و تولید ابرساختارها با قابلیت¬ فتوالکترونی مطلوب، چیدمان منظم نانوساختارها در الگوهای مناسب از اهمیت...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

چکیده ندارد.

قطعات اپتوالکترونیکی گالیوم نیترید می تواند در محدوده طیف وسیعی از مادون قرمز تا ماوراء بنفش نور گسیل کند، نیمه رساناهای نیتریدی گروه iii و آلیاژهای آن که به علت داشتن نوار انرژی بزرگ دارای پایداری حرارتی بالا هستند و درگسیل های نوری، گذار مستقیم دارند. بنابراین دارای پتانسیل لازم برای استفاده در قطعات توان بالا و بهره بالا می باشند. لذا برررسی بهره نوری و بهینه سازی آن میتواند کارکرد لیزرهای ن...

یکی از شاخه های مهم در علم اسپینترونیک ترابرد جریان اسپینی از یک ماده فرومغناطیس به درون نیم رسانا می باشد. امروزه از مواد فرومغناطیس مختلفی برای این منظور استفاده می شود. یکی از راه های افزایش کارایی ابزا رهای اسپینترونیکی به کارگیری فرومغناطیس هایی است که بتوانند جریانی با قطبیدگی اسپینی بالا تولید کنند و نیم فلزات فرومغناطیس با داشتن قطبش اسپینی 100 % در تراز فرمی گزینه ی مناسبی برای این منظ...

به منظور به دست آوردن موادی با خاصیت ترموالکتریک بالاتر برای استفاده در ساخت وسایل خنک کننده و ترموکوپل، ضریب سیبک نمونه ها اندازه گیری شد که نتیجه به دست آمده نشان داد که نمونه با کمترین مقدار آنتیموان دارای بیشترین خاصیت ترموالکتریکی است