در این پایان نامه، ساختار نواری و اثر چرخش فاراده در بلور فوتونی دو بعدی مغناطیسی- اپتیکی متشکل از نانو استوانه هایی با المان‏های بیضوی در شبکه مربعی مورد بررسی قرار گرفته است.

در این مقاله ساختار نواری وابسته به قطبش در موجبر بلور فوتونی دو بعدی با شبکه مربعی متشکل از المان های با سطح مقطع بیضوی از جنس گالیم آرسناید در زمینه هوا با استفاده از روش بسط موج تخت مطالعه شده است. سپس به بررسی تغییرات ساختار نواری موجبر بلور فوتونی، با تغییر در کشیدگی المان ها پرداخته شده است. براساس نتایج حاصله، با افزایش میزان کشیدگی المان های بیضوی، هردو مشخصه پهنای نوارگاف و بزرگی ویژه ...

در این رساله، در بخش اول ویژگی های الکترونی صفحات گرافن خالص و ناخالص شده با نیتروژن (گرافیتی، پیریدینی و پیرولی) بررسی شده است. در ادامه با انباشته کردن صفحات گرافن خالص، گرافیتی و پیریدینی وتشکیل گرافیت خالص و نا خالص و قرار دادن اتم های لیتیم در بین آن ها با چیدمان 1stage-، ویژگی های الکترونی آن ها مورد بررسی قرار گرفته است. در گرافن خالص نوار ظرفیت و هدایت یکدیگر را در نقطه k قطع می کنند در...

یکی از محدودیت های اساسی در مینیاتورسازی ترانزیستورها، محدود بودن شیب زیر آستانه ی آن ها به 60mv/dec در دمای اتاق است. آی-ماس (i-mos) که مبتنی بر یونیزاسیون برخوردی است، این محدودیت را به حدود5mv/dec کاهش داده است. آی-ماس یک نانوترانزیستور با ساختار p-i-n دارای گیت است. گیت، بخشی از ناحیه ی ذاتی(i) واقع شده در میان سورس p یا n و درین n یا p را می پوشاند. ساز و کار تزریق حامل در این افزاره بر اس...

در این مقاله ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و فونونی ایندیم نیترید در فاز ساختاری ورتسایت مورد بررسی قرار گرفته است.محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم- اسپرسو انجام شده است.در محاسبات برای جملۀ تبادلی همبستگی ,تقریب های LDA،GGA و PBE0 به کار گرفته شده است. نتایج نشان می‌دهد که ایندیم نیترید در فاز ساختاری هگزاگونال یک گاف نواری مس...

در این مقاله ساختار جدید δ-doped ldd hmesfet را معرفی و شبیه سازی می کنیم. یکی از راههای افزایش سرعت حامل در کانال در مجاورت سورس ترانزیستور مسفت، استفاده از ساختار نا همگون hmesfet است؛ یعنی از سورس alxga1-x as در مجاورت کانال gaasاستفاده می شود. با افزایش x (در صد مولی al ) می توان ناپیوستگی گاف نوار (δeg) در فصل مشترک سورس - کانال را افزایش داد و سرعت حامل را در ناحیه میدان ضعیف زیاد کرد. ام...

در این پایان نامه، در مرحله ی اول یک موجبر بلور فوتونی تخت با سلول واحدی متشکل از سه لایه ی متفاوت دی الکتریک بدون اتلاف را در نظر می گیریم. با مدلسازی این موجبر با خطوط انتقال، بازتابش از یک ساختار متناوب نیمه نامحدود را با استفاده از مفهوم خطوط انتقال و روابط تبدیل امپدانس به دست می آوریم. آنگاه معادله ی مشخصه ی موجبر را بر اساس شرط تشدید عرضی در هسته ی آن محاسبه و تغییرات ثابت انتشار بهنجار ...

در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب AlInGaN از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته‌اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی WIEN2k صورت گرفته است. در نهایت نیز خواص اپتیکی این ترکیبات بررسی شد که نتایج به‌دس...

چکیده ندارد.

هیدروژن به عنوان یک سوخت پاک می تواند نقش مهمی در مصرف انرژی ایفا نماید. از طرفی ذخیره سازی و حمل و نقل هیدروژن از مشکلات اصلی استفاده از آن است که با کشف نانولوله های کربنی تا حدود زیادی این مشکل برطرف شده است در این پروژه ابتدا نانولوله های کربنی، به ویژه نانولوله های با قطر کوچک را مدل سازی کردیم و نشان دادیم چگونه انحناء لوله در خواص الکترونی نانولوله های کربنی تأثیر می گذارد. نتایج به دس...