در این پایان نامه به بررسی اثر برهم کنش دوقطبی در پراکندگی دو اتم فراسرد بوزونی مقید در یک سیستم شبه یک بعدی با قید عرضی نوسانگر هماهنگ پرداخته ایم. در فرایند پراکندگی ذرات درحضور یک قید عرضی یک حالت تشدیدی می تواند ایجاد شود که در اصطلاح به آن تشدید قید القاء (cir) گفته می شود. در مجاورت ‎ cir‎، با تغییر جزئی در طول پراکندگی می توان ضریب جفت شدگی یک بعدی ‎ این ذرات را از‎-?‎ تا ‎+? تغییر داد و...

در این مقاله مشخصه جریان- ولتاژ یک دیود تونل­زنی تشدیدی تحت تابش موج الکترومغناطیسی محاسبه و با نتایج حاصل وقتی تابش الکترومغناطیسی وجود ندارد مقایسه شده است. برای محاسبه مشخصه جریان- ولتاژ نیاز به محاسبه ضریب عبور الکترون­ها از ساختارهای سد و چاه در این قطعه می­باشد که برای محاسبه ضریب عبور الکترون­ها در حضور تابش الکترومغناطیسی روش تفاضل متناهی حوزه زمانی ( fdtd ) و در حالتی که تابش الکترومغن...

هنگامی که یک ذره باردار منفی سنگین تر از الکترون وارد هدف اتمی یا مولکولی شود و جای الکترون اتمی قرار گیرد، یک اتم اگزوتیک تشکیل می شود. باتوجه به اینکه این ذرات سنگین تر از الکترون هستند، ابتدا در حالت های برانگیخته با عدد کوانتومی اصلی ‎(n)‎ بزرگ قرار می گیرند. در مرحله بعدی این اتم ها با فرآیند های تابشی و برخوردی‎ ‎‎به تراز های پایین تر با عدد کوانتومی ‎n‎ کوچکتر واانگیخته می شوند. اگر ذره ...

زمینه و هدف: اثر میدان‌های مغناطیسی ضعیف با فرکانس بسیار کم (ELF-MFs) بر روی سیگنال‌های مغزی، توسط تعدادی از محققین مورد بررسی قرار گرفته است. تنها برخی از محققین اثر تشدیدی، یعنی افزایش در فرکانس سیگنال مغزی مطابق با فرکانس میدان تابیده‌شده را گزارش کرده‌اند. در اغلب این تحقیقات میدان مغناطیسی تولیدشده به‌صورت یکنواخت تمام نواحی سر را در برمی‌گیرد. مطالعه حاضر با هدف بررسی اثر تابش موضعی ELF-M...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در این مقاله چگالی اتم های مس که به عنوان هدف انتخاب شده است با روش طیف نگاری جذبی تشدیدی برای فشارهای مختلف گاز کاری و توان های مختلف منبع تغذیه سیستم پلاسما اندازه گیری شده است. به عنوان منبع نور برای طیف نگاری جذبی تشدیدی از یک لامپ کاتد توخالی مس (cu hollow cathode lamp) استفاده شده است. ضمنا با اضافه کردن درصد مناسبی از نیتروژن به گاز کاری آرگون با استفاده از طیف دورانی مولکول نیتروژن و با...

در این تحقیق برای بهبود کارائی یک آشکارساز نوری مادون قرمز چاه کوانتومی ایده‏ی‏ استفاده از تونل‏زنی تشدیدی بکار گرفته شده است. بدین منظور طرحی از یک آشکارساز نوری مادون قرمز چاه کوانتومی مورد بررسی قرار گرفته که در آن یک ساختار تونل‏زنی تشدیدی سد دوگانه به هر لایه‏ی چاه کوانتوم اتصال یافته است. ساختار تونل‏زنی تشدیدی سد دوگانه به عنوان یک فیلتر، جریان نوری را از جریان تاریک تفکیک می‏کند. چنین س...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در این مقاله به کمک روش تابع گرین و رهیافت تنگابست، رسانش الکترونی یک نانو حلقه ی پلی استیلنی را در اندازه های متفاوت در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی می کنیم. دو موردی از نانو حلقه را که تعداد پیوندهای یگانه و دوگانه در دو مسیر ممکن الکترون یکسان باشد و نباشد، مورد بررسی قرار می دهیم. نتایج نشان می‌دهد که با افزایش طول نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه ی گاف به صورت نمایی کاهش و تعداد قله ...