نتایج جستجو برای: باند ممنوعه الکترومغناطیسی

تعداد نتایج: 7840  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1393

ساختارهای پریودیک به دلیل توانایی که در کنترل طول موج انتشار و در نتیجه مدیریت انتشار امواج الکترومغناطیسی بخصوص نور دارند، از مدت ها پیش مورد توجه دانشمندان قرار گرفته اند. کریستال های فوتونیکی دو بعدی از جمله این ساختارهای پریودیک می باشند که به دلیل وجود باند ممنوعه و با توجه به نمودار پاشندگی در نزدیکی لبه باند می توان سرعت گروه را کاهش داد. کاهش سرعت نور در ساختار کریستال فوتونیکی مانند یک...

در این مقاله، طراحی یک جاذب الکترومغناطیسی نانوکامپوزیتی، جهت دستیابی به مشخصه‌های ضخامت کم، پهنای ‌باند جذب بالا، میزان‌جذب قابل‌توجه و تعداد لایه‌های حداقل، به‌صورت همزمان، بررسی شده است. برای تحقق هر‌یک از این مشخصه‌ها، اهداف و محدودیت‌های معیینی در روند بهینه‌سازی طراحی جاذب، با بکارگیری دو روش ازدحام ذرات بهبودیافته محلی((MLPSO و الگوریتم ژنتیک با مرتب‌سازی نامغلوب نوع دوم(NSGA-II)، در نظر...

پایان نامه :دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده فنی 1391

متامتریال ها به دلیل ویژگی های الکترومغناطیسی خاصی که دارند در بسیاری از کاربردهای مختلف الکترومغناطیسی به کار گرفته شده اند،از جمله در طراحی شیلدها، جاذب ها و ساختارهایی برای کاهش کوپلینگ بین تجهیزاتی که در کنار هم قرار گرفته اند.ساختارهای مختلفی با متامتریال ها به عنوان شیلد،جاذب و به منظور کاهش کوپلینگ ارایه شده اند که در ابتدا به آنها اشاره شده است.از ساختارهای متامتریال باند گسست الکترومغن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد 1390

یکی از موضوعاتی که در الکترومغناطیس مطرح می شود، «سازگاری الکترومغناطیسی» است که بررسی آن در مدارات الکترونیکی دارای اهمیت زیادی است. از طرفی در سال های اخیر با رشد روزافزون سیستم های مخابرات دیجیتال، و نیاز به طراحی ساختارهایی که بتوانند بستر مناسبی برای پیاده سازی این سیستم ها باشند، بررسی سازگاری الکترومغناطیسی امری اجتناب ناپذیر شده است. یکی از موانعی که برای پیاده سازی مدارات با فرکانس با...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1390

بره ها، بلورهای فوتونی دو بعدی هستند که ضخامت آن ها در جهت عمود بر صفحه تناوب محدود شده است و به دلیل داشتن گاف فرکانسی شبه سه بعدی و امکان ساخت آن ها با فن-آوری های موجود، مورد توجه قرار گرفته اند. با برهم زدن تناوب شبکه ی بلور فوتونی، می توان یک کاواک به وجود آورد. این کار را می توان با تغییر جنس یا اندازه ی یکی از حفره های شبکه انجام داد. ایجاد نقص نقطه ای در بره ها، موجب به وجود آمدن مدهای ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان 1390

آنتن های پچ مایکرواستریپ به علت سبکی وزن، ابعاد کوچک، انعطاف پذیری بالا و سهولت مجتمع شدن با مدارات مایکروویو در سیستم های مخابرات بی سیم مانند تلفن های سلولی، رادارها و مخابرات ماهواره کاربرد های فراوان دارند. اگرچه از معایب عمده آن ها می توان به باریک بودن پهنای باند ، پایین بودن کارایی و وجود امواج سطحی اشاره کرد. به منظور غلبه بر مشکلات موجود تاکنون راه حل های زیادی مانند استفاده از ساختاره...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک 1390

در دهه گذشته، یک فناوری جدید بوجود آمد که توانست مشکل آنتن های میکرواستریپ در پهنای باند وسیع را برطرف سازد. در این تکنولوژی می توان با ترکیب بندیِ شکل جدیدی از زیرلایه ی آنتن های پَچ، یک باند ممنوع? فرکانسی از امواج الکترمغناطیسی را بوجود آورد. این کار باعث بهبود در بازدهی و پهنای باند آنتن های پچ و از طرفی باعث کاهش لوپ های تشعشعیِ کناری و کاهش سطوح تداخل در آنها می شود. این زیرلایه های، اصطلاحاً...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1393

بلورهای فوتونی که به دلیل ویژگی¬های جالب توجهشان در کنترل انتشار امواج الکترومغناطیسی، در سالهای اخیر مورد توجه زیادی قرار گرفته اند، ساختارهای متناوبی از دی¬الکتریک¬ها هستند که به صورت مصنوعی ساخته می¬شوند و در تشابه با نیم¬رساناها یک ناحیه ممنوعه فرکانسی دارند که نوار گاف فوتونی نامیده می شود. تمامی خواص جالب بلورهای فوتونی، ناشی از وجود این گاف ممنوعه فرکانسی است. بلورهای فوتونی حلقوی آثار چ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1389

در دهه های اخیر بلورهای فوتونی مورد توجه بسیار زیادی قرار گرفته اند و نوید بخش تحولات عظیم مخصوصاً در زمینه صنعت مخابرات و ارتباطات می باشند و انتظار می رود که در آینده ای نه چندان دور شاهد تحولات شگرف (مشابه تحولات بوجود آمده در زمان کشف نیمرساناها) در زمینه قطعات اپتوالکتریک باشیم. فصل مشترک موجود در بلورهای فوتونی نامتجانس که ازاتصال دو بلور فوتونی با پارامترهای فیزیکی و تقارن هندسی متفاوت ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید