از زمان پیشنهاد طرح ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار راشبا در سال 1990، تاکنون تلاش های زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان های اسپین قطبیده در یک ماد? نیم رسانا صورت گرفته است که منجر به گسترش حوزه های مگنتوالکترونیک و اسپینترونیک گردیده است. لذا مطالع? خواص ترابرد بار و اسپین در حضور برهم کنش اسپین-مدار از اهمیت بنیادی و کاربردی زیادی برخوردار است. در این پایان نامه ض...

در این پژوهش فرایندهای تونل زنی وابسته به اسپین الکترون ها را از ساختارهای نامتجانس مغناطیسی به صورت فرومغناطیس/نیمرسانا/فرومغناطیس مورد بررسی قرار داده و تاثیر دو برهم کنش اسپین- مدار درسل هاس و راشبا را به طور جداگانه بر این فرایندها به دست آورده ایم. سپس این دو برهم کنش اسپین- مدار را در یک ساختار مرکب به صورت فرومغناطیس/نیمرسانا (با برهم کنش درسل هاس)/نیمرسانا(با برهم کنش راشبا)/فرومغناطیس ...

در این پایان نامه، ما ترابرد الکترونی در گرافین را در حضور برهم کنش اسپین-مدار راشبا با استفاده از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار می¬دهیم. ابتدا یک ناحیه¬ی اسپین-مدار ناهمگن بین دو ناحیه¬ی نرمال در یک گرافین تخت در نظر می¬گیریم، که در مرز ناحیه¬ی بین اسپین-مدار با ناحیه¬ی نرمال شدت اسپین- مدار به صورت خطی تغییر پیدا می¬کند و ناحیه-ی مرکزی اسپین-مدار دارای شدت اسپین- مدار ثابتی می¬باشد. احتم...

در این پایان نامه اثر جفت شدگی اسپین مدار کنه -مله را در اتصال گرافین نرمال /سد با حضور جفت شدگی اسپین مدار /گرافین نرمال بررسی می کنیم.رسانش و ضرایب عبور بوسیله ی فرمول بندی لاندائور بوتیکر محاسبه می شوند .ما نشان می دهیم که رسانش بار این اتصال با طول ناحیه ی میانی -سد-نوسان می کند همچنین جفت شدگی اسپین مدار کنه مله بر خلاف جفت شدگی اسپین مدار راشبا روی ترابرد اسپینی تاثیری ندارد.

در سال های اخیر، برهم کنش اسپین-مدار در ساختارهای نیمه رسانا به دلیل کاربرد بالقوه در ادوات اسپینترونیک (الکترونیک مبتنی بر اسپین الکترون) توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در نیمه رساناهای متداول دو نوع برهم کنش اسپین-مدار وجود دارد. یکی برهم کنش اسپین-مدار درسل هاوسکه به واسطه بی تقارنی وارون حجمی (نظیر ساختارهای روی-سولفید) ایجاد می شود و دیگری برهم کنش اسپین-مدار که ناشی از بی تقارنی وارون...

مواد بر حسب رسانندگی الکتریکی به سه گروه رسانا، نارسانا و نیمه رسانا تقسیم بندی می شوند. از بین مواد نارسانا، گروهی از مواد که به عایق های توپولوژیکی معروف هستند و در آن ها برهمکنش اسپین - مدار قدرتمند است، همزمان عضو خانواده رسانا و نارسانا هستند. نیروی وابسته به سرعت ناشی از برهمکنش اسپین - مدار قدرتمند، توانایی خلق حالت هایی شبیه حالت کوانتومی هال را دارد. از طرف دیگر وابستگی نیروی ناشی از ب...

در این رساله با استفاده از فرمول بندی پراکندگی لاندائو-بتیکر به بررسی رسانش در گرافین تک لایه می پردازیم . گرافین تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است که اخیرا توجه زیادی را به خود جلب کرده است . ما نشان خواهیم داد با حضور جفت شدگی اسپین مدار می توان در این ماده دو بعدی گاف ایجاد نمود . نتایج نشان می دهند جفت شدگی اسپین مدار راشبا علاوه بر ایجاد گاف در نوار، می تواند روی ترابرد اسپین حامل های ...

در این رساله پراکندگی القایی بریلوئن با استفاده از یک و دو سلول sbsبرای تقویت کننده تک و دو عبوری با محیط فعال حالت جامدnd:yag مورد بررسی و تحلیل تجربی و نظری قرار گرفته است. اثر تعداد مد های طولی در فرایند sbs و تعیین تعداد مد های طولی برای داشتن بهینه انرژی بازتابی و جبران اثرات غیر خطی در شکل فضایی پالس لیزر و همچنین پالایش طیفی پالس استوکس و بررسی علل آن از جمله اهداف مورد نظر می باشد که بر...

چکیده در50 سال اخیر، رفتار مقاومت ویژه وابسته به اسپین در نیمرساناهای مغناطیسی توسط محققان زیادی مورد مطالعه قرار گرفته است. مقاومت ویژه مغناطیسی به علت پراکندگی اسپین های سیار با اسپین های جایگزیده در شبکه، با همبستگی اسپین – اسپین متناسب است. بررسی ها نشان داده است که شکل منحنی مقاومت ویژه به برد همبستگی اسپین – اسپین بستگی دارد و همچنین بر اساس یافته های اخیر رفتار مقاومت ویژه اسپینی بعنوان...

جفت شدگی اسپین-مدار در نیمه رساناها مخصوصاً نانو ساختارها از اهمیت ویژه ای برخوردار است. جدیداً مطالعاتی را بر روی سیستم های کم بعد با در نظر گرفتن اثر جفت شدگی اسپین-مدار قوی انجام داده اند. به عنوان مثال بررسی هایی بر روی یک نقطه ی کوانتومی و همین طور سیم کوانتومی محدود شده در پتانسیل نوسانگر انجام داده اند. در این پایان نامه با استفاده از مکانیک کوانتوم و مکانیک آماری، خواص تک ذره ای از جمله ا...