حمایت ادراک‏شده از سوی سازمان یکی از موضوعاتی است که به تازگی در حوزة رفتار سازمانی و مدیریت منابع انسانی مطرح شده است. حمایتی که کارکنان از سوی سازمان احساس می‏کنند باوری است مبتنی بر این که سازمان تا چه حد از همکاری‏هایشان قدردانی می‏کند و به رفاه آن‏ها اهمیت می‏دهد. هدف اصلی این پژوهش بررسی رابطة بین حمایتی که کارکنان از سوی سازمان ادراک می‏کنند و تعهد آن‏ها به سازمان و همچنین عملکرد سازمانی...

a novel and ultra low cost isfet electrode and measurement system was designed for isfet application and detection of hydronium, hydrazinium and potassium ions. also, a measuring setup containing appropriate circuits, suitable analyzer (advantech board), de noise reduction elements, cooling system and pc was used for controlling the isfet electrode and various characteristic measurements. the t...

وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشک...

ترانزیستور های لایه نازک پلی سیلیسیمی(poly-si tft) به دلیل کاربرد شان در مدار های سوئیچ کننده نمایشگرهای کریستال مایع ماتریس فعال ( ( amlcd و مدار های سه بعدی به طور وسیع در سال های اخیر مورد مطالعه قرار گرفته اند. یکی از مشکلات این نوع ترانزیستورها جریان نشتی بالای آنها می باشد که در نتیجه وجود مرزهای گرین در کانال ترانزیستور به وجود می آید و باعث تضعیف در مشخصات سوئیچینگ می شود. در این پروژه...

کاربردهای فرکانس رادیویی توان بالا خیلی مهم هستند، زیرا تقاضا برای بازاربی سیم درحال رشــد می بـــاشد. ترانزیستورهای اثر میدان(نیمه هادی- اکسید- فلز)mosfet به دلیل سرعت سوئیچینگ بالا، در سیستم های توان بالا به کار رفته اند. توجه ی اولیه ی این پایان نامه کار روی توسعه، ساخت و توصیف مشخصات ترانزیستورهای توان بالا vertical-drain lateral diffused (vdmos) خواهد بود. چندین نوع از قطعات توان بــالا ه...

در این مقاله به بررسی نقش خواص ذاتی مواد نیمرسانای مرکب، از جمله اختلاف انرژی بین دره های l و در ماده، جرم مؤثر حامل و همچنین فرایندهای پراکندگی برمشخصه های انتقال الکترون در کانال مِسفِت می پردازیم. به علاوه، تأثیر ساختار مِسفِت بر مشخصه های انتقال الکترون را در افزاره مطالعه می کنیم. برای بررسی این موضوع ساختار مِسفِت ingaas تعبیه شده برروی بستر نیم عایق inp و ساختار مِسفِت inp را با روش مونت کارلو ...

چکیده این رساله ضمن ارزیابی مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان با کانال از جنس نانولوله کربنی، دو ساختار نوین برای بهبود این افزاره ها و یک ساختار نوین برای افزاره های اثر میدان نانونوار گرافینی پیشنهاد کرده است. اولین ساختار نوین تحت عنوان ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی با توزیع ناخالصی خطی در ناحیه کانال(ldc-cntfet) می باشد که نسبت به ساختارهای پایه و تک هاله دارای نوسانات زیرآستانه کمتر و ...

مناطق پر جمعیت زیادی از ایران را زلزله های حوزه نزدیک با ویژگی جهت داری پیش سوی و جابجائی ماندگارتهدید میکند که میتواند موجب خسارات سنگینی شود. علت عمده آن وجود گسل های فعال اطراف تعدادی از شهر های پر چمعیت ایران است. بعنوان نمونه شهر تهران در محاصره گسل های مشا، ری، کرج، و شمال میباشد.از طزف دیگر، طیف استاندارد 2800که بر اساس احتمال فراگذشت ده در صد در پنجاه سال میباشد، عوامل مهم یاد شده را در...

بیماری مزمن، نه تنها نوجوانان را در معرض خطر اختلالهایی مانند افسردگی قرار می دهد بلکه ممکن است به طردشدگی آنها از سوی همسالان نیز منجر شود. این پژوهش افسردگی و طردشدگی از سوی همسالان را در نوجـوانان دارای بیماری مزمن با نوجوانان سالم مقایسه کرد. نمونـه ای متشکل از 33 نوجوان بیمار مزمن و 33 نوجوان سالم از دبیرستانهای شهر تهران به روش نمونه برداری چند مرحله ای انتخاب شدند و به پرسشنامه طـردشدگی ...

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...