تولید انبوه گرافین با کیفیت مطلوب یکی از چالش های پیش رو در تحقیقات اخیر است. یکی از روش های موفق تولید گرافین، روش رسوب بخار شیمیایی می باشد. در این روش گاز هیدروکربنی در فشار خیلی پایین (‎‎10‎^{-5}‎‎ ‎ تور) و دمای ‎800‎ تا ‎1000‎ درجه سلسیوس از روی یک زیرلایه که معمولاً بلور فلزی از جنس مس یا نیکل است‏، عبور داده می شود و اتم های کربن آزاد شده‎‎‏، روی زیرلایه رسوب کرده و تشکیل فیلم گرافین می د...

پایداری شیمیایی آلیاژ پایه نیکل آلومیناید ic221m  پس از انجام عملیات اکسیداسیون در دمای بالا، در محیط کربنات مذاب با ترکیب یوتکتیک linaco3، به منظور تعیین امکان جایگزینی آن در بخش آب بندی تر در پیل سوختی کربنات مذاب مورد بررسی قرار گرفت. دما و زمان مطلوب اکسیداسیون به ترتیب c֯1000 و 25 ساعت تعیین شدند. با انجام عملیات اکسیداسیون، ترکیبات اکسیدی nio، nial2o4، zro2وal2o3 (به ترتیب از سطح بیرونی آل...

در این پژوهش لایه های نازک اکسید روی (zno ) از طریق اکسیداسیون حرارتی لایه های نازک روی(zn )، که به روش کندو پاش مگنترون بر زیر لایه نیوبات لیتیم انباشت شده، تولیدگردیدند. وابستگی به دما و مدت زمان گرمادهی ویژگی های اپتیکی این نانولایه ها مورد مطالعه قرار گرفته است. تغییرات توان عبوردهی(t)، بازتابندگی(r) و ضریب خاموشی(k) نمونه ها برای گستره طول موج 1100-200 نانومترنسبت به دما و زمان حرارت دهی ا...

در پژوهش حاضر لایه‌‌های نازک نانوساختار زیرکونات تیتانات سرب  (PZT)به‌‌روش سل- ژل با استفاده از پیش‌‌مواد کلریدی و یک الکل چندعاملی سنتز گردیدند. پروپیلن گلایکل هم به‌عنوان عامل چنگاله‌کننده[1] و هم به‌عنوان حلال در تهیه سل PZT و به‌منظور تولید لایه‌های نازک با کیفیت PZT به­کار گرفته ‌شد. پس از تهیه زیرلایه، لایه‌‌های PZT به ‌‌روش چرخشی بر زیرلایه Au/SiO2 انباشت شدند و هر لایه پس از ...

در این پژوهش نانوسیم های اکسید روی به روش تبخیر حرارتی پودر zn ، بر روی زیرلایه های شیشه، کوارتز، سیلیکون و فولاد ، تحت شارش گاز آرگون به عنوان گاز حامل و هوا به عنوان گاز واکنش دهنده در دمای 620 درجه سانتیگراد به طور موفقیت آمیزی رشد داده شدند. نمونه های بدست آمده توسط پراش پرتوی ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد آنالیز قرار گرفتند. برای بررسی تأثیر کاتالیست بر روی رشد نانوسیم ها، زیرلایه ه...

در این پژوهش غشا نانومتخلخل چندلایه سیلیکا-اکسیدروی، به روش سل-ژل و با استفاده از آلکوکسید سیلیکا، آلومینیم و استات روی تهیه شد. قرص هایی از جنس آلفا-آلومینا، سینترشده در دمای °c1400 به عنوان زیرلایه استفاده شد. برای تهیه لایه میانی، سل کلوئیدی آلومینا با دو نوع حلال متفاوت تهیه شد و به روش غوطه وری بر روی زیرلایه آلفا-آلومینا پوشش داده شد. سل اول در حلال ایزوپروپانول به همراه چسب pva و بازه ان...

لایه نشانی شیمیایی بخار یک ماده ی پلیمری (پلی کربوسیلان) در یک رآکتور استوانه ای و در فشار جو با استفاده از گاز آرگون، به عنوان گاز حامل، برای تولید فیلم نازک سیلیکون کرباید، شبیه سازی شده است. شبیه سازی به صورت عددی و با به کارگیری روش حجم محدود، انجام شده است. تاثیر پارامترهای کسرجرمی ورودی، عدد رینولدز ورودی، دمای زیرلایه، فاصله ی زیرلایه از ورودی، دمای دیواره ی رآکتور، دمای مخلوط ورودی، و ...

برای ساخت لایه ی نازک، روش های متداولی از جمله لایه نشانی لیزر پالسی، کندوپاش، لایه نشانی تبخیری موجود می باشد که روش های بسیار پرهزینه ای هستند. در تلاش برای یافتن راه های کم هزینه تر مناسب با امکانات آزمایشگاهی موجود، روش های انباشت شیمیایی محلول و ذوبی به کار گرفته شد. نوع حلال مورد استفاده، حذف فازهای ثانویه و استفاده از زیرلایه ی مناسب، پارامترهای مهم در روش انباشت شیمیایی محلول می باشند. ...

لایه­های نازک اکسیدی فلزی مانند اکسید ایندیم آلاییده با قلع (ito) دارای ویژگی­های منحصربفردی از قبیل رسانندگی خوب، تراگسیلندگی اپتیکی بالا در ناحیه مرئی، چسبندگی عالی به زیرلایه، پایداری شیمیایی و خواص فوتوشیمیایی هستند. این خواص از رفتار نیمرسانای تبهگن نوع n و گاف باندی پهن آنها ناشی می­شود. بنابراین لایه­های نازک ito به طور گسترده در سلول­های خورشیدی، ابزارهای فوتوولتائیک، نمایشگرهای صفحه تخ...

چکیده: در این پروژه نانوسیم¬های مغناطیسی ni در قالب حفره¬دار آلومینا رشد داده شد. ابتدا نانوحفره¬های منظم با آرایش شش گوشی با قطرnm 30و فاصله بین حفره¬ای nm 100، با روش آندایز دو مرحله¬ای ساخته شدند. از آنجا که کیفیت و چگونگی رشد نانوسیم¬ها تحت تأثیر لایه سدی آلومینا قرار می¬گیرد، به منظور بهینه سازی شرایط الکترونهشت دماهای مختلف (8، 16، 24 و 32 درجه سانتیگراد) برای لایه سدی واثر آن بر خواص مغ...