نتایج جستجو برای: مدارها
تعداد نتایج: 183 فیلتر نتایج به سال:
فرض کنیم g یک گروه هاوسدروف فشرده باشد. فضاهای مداری توسیع کننده همسایگی مطلق هم وردا را در رده ای از همه ی g - فضاهای متریک پذیر سره با g - متریک پایا را مورد مطالعه قرار می دهیم. ثابت می کنیم اگر g - فضای سره x یک g-ane باشد و h یک زیرگروه نرمال بسته g باشد به طوری که همه ی h - مدارها در x متریک پذیر باشند آنگاه h - فضای مداری، x/h یک ( g/h-ane است.
تقویت کننده نور بر روی مدارهای مجتمع نوری یکی از اساسی ترین اجزای این مدارها هستند. یکی از تقویت کننده های نوری، تقویت کننده رامان سیلیکونی است. به دلیل غیر خطی بودن اثر رامان، با افزایش شدت میدان، بهره مربوطه را می توان افزایش داد. هر پدیده ای از قبیل حضور پلاسمون که باعث افزایش میدان در داخل تقویت کننده شود، ضریب تقویت رامان را زیاد می کند. در این پایان نامه قصد داریم با توزیع تصادفی نانوذرا...
امروزه مدارهای مجتمع الکترونیکی که به صورت آمیزه ای از سیگنال های آنالوگ و دیجیتال که در سیستم های واقع بر روی تراشه ارائه می شوند، سه هدف اصلی زمان کوتاه طراحی، افزایش بهره وری و کاهش پیچیدگی مدار را در کنار هم مد نظر دارند. تکنولوژی های ساخت قطعات نیمه هادی به ابعاد نانومتری رسیده اند و با روندی نمایی در حال رشد هستند، اما ابزارهای طراحی خودکار ( (cad مدارهای آنالوگ، به این نسبت رشد نکرده اند...
در این پایان نامه نشان داده میشود که برای پاد ضربهای جزیی رویاستوانه تحت شرایط خاص که در امتداد برگهای برگ بندی هذلولوی جزیی غیر-یکنواخت هستند اندازهای احتمالی ناوردای مطلقا پیوسته وجود دارند.تکنیک به کار بورده برای وجود این اندازها گسترشی از نتیجه دوملو و فون استرین برای دنباله ای از نگاشتها می باشد که در ان پدیده هذلولوی بودن با خواص بازگشتی مدارها مرتبط میشوند .به عنوان یکی از نتایج اصلی گست...
این پایان نامه درباره ی نظریه ی مدار های بسته در نسبیت عام می باشد. در این پژوهش از روش تشابه معادله ی دیفرانسیل نسبیتی مدارها با معادله ی دیفرانسیل کلاسیکی مدارهای بسته، متریک های مدارهای بسته به دست آورده شده اند. محتوای ماده-انرژی برخی از این فضا ها و خواص فیزیکی و هندسی آنها مورد بحث قرار گرفته است. همچنین، ارتباط بین برخی از فضاهای به دست آمده، با فضا های برتراند مورد مطالعه قرار گرفته است...
چکیده: کاربرد وسیع حلقههای قفل شونده فاز در انواع مدارهای مخابراتی و الکترونیکی و چند منظوره بودن این مدارها، سبب شده است که طراحی بهینه آنها مورد توجه پژوهشگران قرار گیرد. بی تردید توان مصرفی پایین و تاخیر کمتر از مهمترین اهدافی است که در طراحی حلقههای قفل شونده فاز به آن پرداخته میشود. در این تحقیق، فرآیند طراحی و بهینهسازی عملکرد حلقههای قفل شونده فاز در سطح مدارهای مجتمع، با استفاده ...
در این مقاله یک بلوک مبدل سریال به موازی یک پردازنده FFT 8 نقطهای با استفاده از تکنولوژیum CMOS 13/0 ارائه شده است. بهدلیل مزیتهای بسیار مدارهای حالت جریان نسبت به مدارهای حالت ولتاژ، در این طراحی سعی شده است که از این گونه مدارها استفاده شود. بنابراین در این بلوک ابتدا باید ولتاژ ورودی را به جریان تبدیل نمود و سپس برای موازی کردن نمونهها از مدار نمونهبردار جریانی استفاده کرد. به منظور قرا...
در این پایان نامه، مسیرهای الکترون در لیزر الکترون آزاد با ویگلر مارپیچی و کانال یونی راهنما مطالعه شده است. همچنین، یک تئوری از کانال یونی راهنما در یک ویگلر مارپیچ ارائه شده است. بطور کلی علاوه بر میدان الکتروستاتیکی یون و میدان مغناطیسی ویگلر یک میدان مغناطیسی محوری یکنواخت نیز حضور دارد. محاسبات عددی برای نشان دادن اثرات دو ابزار هدایت باریکه الکترون در زمانی که بطور جداگانه و همزمان بکار م...
تکنیک موجبر مجتمع شده در زیرلایه siw، یک روش پیاده سازی و ساخت ادوات مخابراتی پسیو است که انتشار امواج در آن بسیار شبیه به موجبر می باشد.siw به طور همزمان دارای بسیاری از ویژگی های خوب مدارهای چاپی و موجبر مستطیلی از قبیل هزینه کم، اندازه کوچک و تلفات انتقالی و تلفات تشعشعی خیلی پایین بوده و به تداخل های خروجی حساس نیست. بنابراین برای طراحی مدارها و عنصرها در باندهای مایکروویو و موج میلیمتری من...
در سال های اخیر روش های مختلف چاپ به عنوان وسیله ای برای تولید کم هزینه قطعات و وسایل الکترونیکی، مورد توجه بسیاری قرار گرفته است. چاپ جوهرافشان یکی از نوید بخش-ترین روش های چاپ است که به وسیله آن می توان اجزاء مدارها را در یک مرحله بر روی هر نوع زیرلایه به صورت چاپی تهیه نمود. در این تحقیق؛ از روش چاپ جوهرافشان، برای استحصال شیمیایی نانو ذرات نقره (nm 200-10) به وسیله پاشش محلول های نمک فلزی و...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید