مقدمه و اهداف پردازش زمانی شنوایی را می توان به صورت درک پوش زمانی یا تغییر ویژگی های دیرشی صوت در فاصله زمانی محدود و مشخص توصیف کرد و احتمال دارد در اکثر پردازش-های دیگر مانند مکان یابی، تمایز، پردازش الگو، یکپارچگی دوگوشی و تفکیک دوگوشی تا حدی نقش داشته باشد. حدت زمانی جزئی از حداقل مجموعه آزمون پردازش شنوایی مرکزی می باشد. آزمون فاصله در نویز  ابزار باارزشی در تشخیص نقص های حدت زمانی می باش...

یکی از عملیات ضروری در مطالعات جغرافیایی شهرها، تجزیه وتحلیل رشد شهری با استفاده از داده های زمانی- مکانی میباشد. در این زمینه می توان با استفاده از شاخص های آماری، گسترش افقی و رشد شهرها را اندازه گیری نمود. هدف اصلی این مقاله دیده بانی رشد شهری برای مناطق 9 گانه شهر شیراز در بازه زمانی 85تا91 و کمی سازی درجه آزادی رشد شهری، درجه گسترش افقی بی رویه شهری و درجه خوب بودن رشد شهری است. به این منظ...

گردشگری بخش عمده ای از اقتصاد جهانی است که به شدّت تحت تأثیر آب و هوا قرار دارد. یکی از ارکان توسعۀ توریسم هر شهر، داشتن وضعیت اقلیمی مساعد و تعیین زمان های مساعد اقلیمی برای سفر به آن شهر است. این تحقیق با هدف پهنه بندی اقلیم - گردشگری شهری استان کرمان، ارائۀ تقویم زمانی ماهانۀ گردشگری، انجام شده است. به منظور بررسی شاخص اقلیم آسایش شهرهای استان کرمان ابتدا با استفاده از نرم افزار اِکسل آمار هفت...

در این مقاله نسبت درستنمایی توابع چگالی دو جامعه نرمال با استفاده از تبدیل موجکی گسسته تقریب زده شده و یک معیار ناپارامتری برای ممیزی مدل های سری های زمانی ایستا در حوزه موجک ها پیشنهاد شده است. سپس با استفاده از روش های شبیه سازی کارایی معیار به دست آمده در ممیزی مدل های مختلف ARMA نشان داده شده است. عدم نیاز به مدل بندی پارامتری، سرعت محاسبات برای سری های زمانی بزرگ و نرخ خطای ممیزی پایین از ...

در مراحل مختلف طراحی مدارات دیجیتال به کمک ابزارهای سنتز، بررسی مشخصات زمانی مدار امری ضروری می باشد. روش متداول جهت بررسی مشخصات زمانی شبیه سازی می باشد. بررسی مشخصات زمانی با استفاده از شبیه سازی در دو مرحله پس از سنتز و پس از جانمایی مطرح می شود. شبیه سازی پس از سنتز در سطح rtl صورت گفته و شبیه سازی پس از جانمایی بسته به نوع جانمایی می تواند در سطح گیت یا ترانزیستور انجام شود. حجم زیاد توصیف...

همزمان با رشد تکنولوژی ساخت در مدارهای vlsi، از یک سو ابعاد مدارها، ولتاژ تغذیه و خازن گره ها کاهش یافته و از سوی دیگر فرکانس کلاک افزایش یافته است. این عوامل سبب کاهش شدید بار بحرانی در گره های حساس مدارهای نانوالکترونیک شده و حساسیت این مدارها را نسبت به خطاهای گذرای ناشی از تشعشعات پرانرژی به طور قابل ملاحظه ای افزایش داده اند. در این پایان نامه، یک لچ مقاوم حساس به سطح با قابلیت تحمل خطای ن...