روند پیشرفت تکنولوژی های ساخت مدارات مجتمع همواره در مسیر پیچیده تر شدن مدارها و افزایش توان محاسباتی در آن ها بوده است. این امر سبب شده است مدارهای ساخته شده چگالی بالاتری داشته باشند. اولین مشکلی که تعداد بالای ترانزیستور بوجود می آورد توان مصرفی بالاست. از این رو اعمال روش هایی برای کاهش و کنترل توان مصرفی در مرحله طراحی و بعد از آن مهمترین مسائل پیش روست. این پایان نامه با بررسی عوامل موث...

در این پایان نامه با توجه به اهمیت بیماری سرطان و عوارض ناشی از روش شیمی درمانی به عنوان یکی از پرکاربردترین روش های درمان آن، به بررسی فرآیند برهمکنش دو ایزومر سیس و ترانس (zd, amd)داروی ضدسرطان پیکوپلاتین با دندریمرpamam نسل صفر و یک پرداخته شد. پدیده جذب که به عنوان اولین عامل در سیستم رسانش دارویی دارای اهمیت است، برای سنجش کارائی دندریمر ها به عنوان حمل کننده های دارویی، مورد بررسی قرار می...

وجود توپوگرافی در بالای ژئویید مانع اصلی برای تعیین ارتفاع ژئویید با استفاده از مدل‌های ژئوپتانسیل است. مدل‌های ژئوپتانسیل جهانی امکان مدل‌سازی میدان پتانسیل زمین را به‌صورت بسط سری خارجی از هارمونیک‌های کروی فراهم می‌سازند. استفاده از این بسط برای تعیین آنومالی پتانسیل بروی ژئویید در داخل توپوگرافی سبب تولید یک بایاس می‌شود که به آن بایاس توپوگرافی می‌گویند. این مطالعه به محاسبه ژئویید با استف...

در این رساله تک مولکول مغناطیسی میان دو الکترود عادی قرار گرفته است و با اعمال ولتاژ گیت به تک مولکول و ولتاژ بایاس به الکترودها شرایط برای تونل زنی پی در پی آماده می شود. سپس با استفاده از معادله نرخ پائولی جریان عبوری از این سیستم در غیاب میدان مغناطیسی و در حضور میدان مغناطیسی عرضی و طولی و در دماهای مختلف و دمای صفر محاسبه می شود.

چکیده پایان نامه (شامل خلاصه، اهداف، روش های اجرا و نتایج به دست آمده): برای سالیان طولانی ابررسانایی و فرومغناطیس به صورت دو پدیده ضد هم شناخته می شدند. دلیل این امر به چگونگی قطع مغناطیسی در مواد فرومغناطیس و چگونگی نقطه جفت های کوپر در مواد ابررسانا بر می گردد.به عبارت دیگر در مواد فرومغناطیس اسپین الکترون ها همگی در یک جهت مشخص قرار می گیرد در حالی که در یک جفت الکترون ها با اسپین های خلاف ...

در این مقاله به کمک روش تابع گرین و رهیافت تنگابست، رسانش الکترونی یک نانو حلقه ی پلی استیلنی را در اندازه های متفاوت در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی می کنیم. دو موردی از نانو حلقه را که تعداد پیوندهای یگانه و دوگانه در دو مسیر ممکن الکترون یکسان باشد و نباشد، مورد بررسی قرار می دهیم. نتایج نشان می دهد که با افزایش طول نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه ی گاف به صورت نمایی کاهش و تعداد قله ...

در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا عدم وجود نقص، بازه مجاز انرژی نسبت به حالت غیرمغناطیسی به اندازه پارامتر وارونگی اسپینی جا به جا می شود. با ایجاد نقص ...

ضریب رسانش حرارتی از مهم‌ترین خواص نانوسیالات در فرآیندهای انتقال حرارت به شمار می‌رود. برای پیش‌بینی مقدار ضریب رسانش حرارتی نانوسیالات روابط تئوری، تحلیلی و تجربی متعددی ارائه شده است. در این پژوهش از 434 داده آزمایشگاهی در سیستم‌های آلومینیوم ‌اکسید- آب، آلومینیوم ‌اکسید- اتیلن‌گلایکول، آلومینیوم ‌اکسید- آب- اتیلن‌ گلایکول، تیتانیوم ‌دی ‌اکسید- آب و تیتانیوم ‌دی‌ اکسید- اتیلن‌گلایکول استفاده...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...