در این پایان نامه با استفاده از روش تفاضلات محدود در حوزه زمان fdtd انتشار امواج الکترومغناطیسی در درون موجبرهای بلور فوتونی مورد مطالعه قرار گرفته است. همچنین میزان عبور امواج الکترومغناطیسی از این موجبرها با استفاده از این روش محاسبه شده است. سپس از روش ابر سلول بر پایه بسط موج تخت ساختار نوار برای بلورهای فوتونی دو بعدی شامل نقص خطی محاسبه شده است. تغییرات مد موجبری و میزان عبور امواج الک...

تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن شدگی در طیف های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی شامل مواد دوگانه-منفی رخ می دهد. در واقع، نتایج نش...

در این مطالعه، طیف تراگسیل یک بلور فوتونی ناهمسان‌گرد یک بعدی با بهره‌گیری از روش ماتریس انتقال برای هر دو حالت قطبش TE و TM مطالعه شده است. نشان دادیم به دلیل وجود لایه ناهمسان‌گرد در ساختار بلور فوتونی مورد مطالعه، گاف براگ موسوم به گاف باند فوتونی ناهمسان‌گرد ایجاد می‌شود. نتایج نشان داد که گاف براگ ناهمسان‌گرد به شدت به جهت محور نوری لایه ناهمسان‌گرد و زاویه پرتوی فرودی وابسته است. ساختار م...

چکیده در سال های اخیر بلورهای فوتونی به خاطر خواص جالبشان در کنترل انتشار امواج الکترومغناطیسی توجه زیادی را جلب کرده اند. به طوری که از آنها در ساخت قطعات فوتونی خصوصا در مدارهای مجتمع فوتونی استفاده های زیادی شده است. کاربردهای بلور فوتونی به دو عامل وجود گاف در ساختار نواری فوتونی و پاشندگی تنظیم پذیر در داخل بلور بلور فوتونی بستگی دارد. عامل اول طراحی موجبر ها و فیلترهای فرکانسی را ممکن می...

: در این تحقیق ساختار باند فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه مثلثی از میله­ های تلوریم با اشکال هندسی متفاوت در زمینه پلاسما مورد بررسی قرار می­گیرد. نتایج محاسبات عددی بر پایه روش تفاضل های متناهی در حوزه زمان نشان می­دهد که در ساختارهای ذکر شده به ازای پارامترهای ساختاری بهینه، گاف فوتونی کامل با پهنای قابل ملاحظه­ای وجود دارد. پهنای گاف فوتونی کاملِ به دست آمده در این تحقیق از تمامی مق...

در این مقاله تاثیر گاف ‎نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتم های دو ترازی یا سه‎ترازی مطالعه می‎شود. فرض می شود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده می شود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف ‎نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتم های دوترازی (...

در این مقاله به ارائۀ یک حسگرِ نانوجابه­جایی بر مبنای بلورِ فوتونی دو بعدی با ساختارِ مثلّثی متشکّل از حفره­های هوا داخل مادّۀ دی الکتریک می­پردازیم. این حسگر از دو قطعه بلورِ فوتونی تشکیل شده که یکی از آن ها ثابت و قطعۀ دیگر در راستای افقی حرکت می­کند. شدّتِ نورِ آشکار شده توسّطِ آشکارساز در این ساختار تابعی از جابه­جایی بین دو قطعه است. در این حسگر ضریب کیفیّتِ کاواک برابر45000 و حساسیّتِ حسگر 54/2 در محدودۀ...

در این مقاله روشی برای فعال کردن یک واتافتگر مبتنی بر بلور فوتونی دوبعدی پیشنهاد شده است. ساختار استفاده شده در این مقاله از میله های استوانه ای ماده عایق الکتریک در بستری از هوا با شبکه مربعی تشکیل شده است. برای این منظور ابتدا یک واتافتگر با ساز و کار طول موج گزینی متشکل از یک نقص تشدید ارائه شده و سپس ساختار تواناساز پیشنهادی روی آن پیاده شده است. برای رسیدن به این هدف از ترکیب مخرب دو پرتو ...

تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می‌باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده‌ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن‌شدگی در طیف‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی شامل مواد دوگانه-منفی رخ می‌دهد. در واقع، نتایج نش...

موجبرها با پاشیدگی و تلفات تحدید کم، در سامانه­ های مخابرات نوری مورد استفاده قرار می­ گیرند. از فیبرهای کریستال فوتونی می­ توان به عنوان موجبر استفاده نمود. قابلیت ­های زیاد فیبرهای کریستال فوتونی باعث جایگزینی این فیبرها به جای فیبرهای معمولی شده است. در این مقاله، دو ساختار اولیه و بهبودیافته از فیبر کریستال فوتونی طراحی و مدل­ سازی شده است. طرح اول، یک فیبر کریستال فوتونی با ساختار شش­ ضلعی...