هدف ما در این پایان نامه ارائه راهکارهایی جهت بهبود عملکرد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک الکترونی بالا1 مبتنی بر گالیوم نیترید است. این پایان نامه در فصل های زیر تنظیم گردیده است: در فصل اول چالش ها و کاربردهای این افزاره ها مطرح شده است. در فصل دوم نحوه عملکرد ادوات با پیوند ناهمگون تشریح گردیده است و در فصل سوم نیمه هادی گالیوم نیترید از لحاظ فیزیکی مورد مطالعه قرار گرفته است. در فصل چهارم اص...

در این سال ها مواد آلی بسیاری به منظور افزایش کارآیی ترانزیستورهای اثر میدانی آلی گزارش شده اند که بیشتر در بهبود کارآیی گیت دی الکتریک ها متمرکز شده اند. هدف اصلی بررسی های پژوهشگران در یافتن مواد آلی کامپوزیتی به ویژه هیبریدهای آلی / غیر آلی استوار بوده تا معلوم شود آیا مواد مزبور قابلیت لازم را دارند تا به عنوان ترانزیستورهای اثر میدانی و آلی بکار روندیا خیر. در این مقالهگیت دی الکتریک تا با...

کاهش ولتاژ شکست یکی از مهمترین اشکالات افزارهایی است که در تکنولوژی soi ساخته می شوند. روش های متعددی برای افزایش ولتاژ شکست افزاره های soi پیشنهاد شده است. کاهش میدان سطحی، فوق پیوند و ایجاد پیک های اضافی از کاربردی ترین روش های افزایش ولتاژ شکست می باشند. برای افزایش ولتاژ شکست ترانزیستورهای ماسفت، یک ساختار جدید با دو پنجره در اکسید مدفون شده پیشنهاد شده است. در این ساختار از روش ایجاد پیک...

در این پایان نامه به آنالیز و طراحی و همچنین شبیه سازی یک میکسر در باند فرکانسی ghz 0.5-6 با استفاده از تکنولوژی tsmc rf cmos 0.18 µmپرداخته شده است. هسته اصلی این میکسر ساختار کسکود می باشد که باعث افزایش بهره و خطسانی و نویز فیگر می شود، اما معمولا داری توان تلفاتی نسبتا بالایی می باشد. در این پایان نامه برای بهبود معضل یاد شده، از تکنیک تزریق بدنه استفاده شده است. استفاده از دژنراسیون مقاومت...

چکیده: در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی فلز نیمه­هادی در تکنولوژی SOIمعرفی می­شود که مشخصات  DCو فرکانسی بهتری نسبت به ساختارهای متداول دارد. ایده اصلی مقاله بر مبنی تغییر چگالی حامل­ها توسط یک تکه اکسید اضافی چسبیده به لایه­ مدفون اکسید در سمت درین است. بهبود عملکرد قطعه توسط شبیه­­ساز دوبعدی بررسی می­شود. در ساختار پیشنهادی ولتاژ شکست از V13 در ساختار  متداول به V19 در ساخ...

بااستفاده از عناصر نیم رسانا ومدارهای یکپارچه، دستگاهی جهت اندازه گیری پریود راکتور اتمی طرح و ساخته شده است یک آشکار ساز نوترون که در محل مناسبی در راکتور قرار گرفته فلوی نوترونی را که معرف توان راکتور است می سنجد . با بهره گیری از مشخصات ترانزیستورهای مخصوص ، از جریان حاصل از آشکار ساز نوترون لگاریتم گرفته شده و تغییرات لگاریتم جریان اخیر نسبت به زمان اندازه گیری می شود .این تغییرات،متناسب با...

در این مقاله، مدل تحلیلی دوبعدی برای پتانسیل الکتریکی ترانزیستور ماسفت دوگیتی با گیت دوماده‌ای بدون آلایش ارائه شده است که قابل اعمال به ساختارهای متقارن و نامتقارن می‌باشد. پتانسیل دوبعدی با مجموع مؤلفه پتانسیل یک‌بعدی کانال بلند در امتداد طول کانال و مؤلفه تغییرات دوبعدی کانال کوتاه بیان شده است. مؤلفه یک‌بعدی به طول Debye ذاتی وابسته است و به‌صورت تحلیلی از حل معادله یک‌بعدی پواسون استخراج م...

بااستفاده از عناصر نیم رسانا ومدارهای یکپارچه، دستگاهی جهت اندازه گیری پریود راکتور اتمی طرح و ساخته شده است یک آشکار ساز نوترون که در محل مناسبی در راکتور قرار گرفته فلوی نوترونی را که معرف توان راکتور است می سنجد . با بهره گیری از مشخصات ترانزیستورهای مخصوص ، از جریان حاصل از آشکار ساز نوترون لگاریتم گرفته شده و تغییرات لگاریتم جریان اخیر نسبت به زمان اندازه گیری می شود .این تغییرات،متناسب با...

خواص الکترونیکی جالب و ویژگی‌های کاتالیستی چندلایه‌های دوبعدی MoS2امروزه توجه محققان را به خود جلب کرده است. در این مقاله سنتز نانوپوسه‌های MoS2 ایستاده روی زیرلایه SiO2/Si در فرآیند سولفید شدن سریع به روش رسوب بخار شیمیایی، گزارش شده است. مشخصه‌یابی مواد با استفاده از طیف‌سنجی رامان، XRD و FE-SEM انجام گردید. نتایج XRD نشان دهنده فاز غالب 2H-MoS2 و فاصله دو پیک برجسته‌ی E12g و A1g در پراکندگی ...

در مقالۀ حاضر، مشخصه جریان-ولتاژ یک دیواره‌ مغناطیسی 2π رادیان ایجاد شده در میان دو نانوسیم از جنس نیمرسانای مغناطیسی نوع p با قطبش اسپینی بسیار بالا در دمای معین T مطالعه و بررسی شده است. در این راستا، احتمال عبور و بازتاب حامل‌ها از دیواره 2π رادیان با حل معادله جفت شده شرودینگر برای مؤلفه‌های تابع موج اسپینی با اسپین بالا و پائین تعیین شده و سپس چگرادیان با حل معادلات جفت شده شرودینگر برای م...