این رساله دارای پنج فصل است: فصل اول: مقدمه.فصل دوم:دنباله های مقیاسی.فصل سوم:تابع مولد.فصل چهارم:پایه های انتقال دوگان.فصل پنجم: موجکها.

در این پایان نامه به بررسی ترابرد وابسته به اسپین نانوساختارهای مغناطیسی از قبیل نانوسیم های فرومغناطیس، پادفرومغناطیس و فری مغناطیس پرداخته می شود. محاسبات در رهیافت بستگی قوی و با استفاده از روش تابع گرین انجام می شود. نتایج مربوط به یک نانوسیم فرومغناطیس نشان می دهد که وجود نقص مغناطیسی و افزایش تعداد آن احتمال چرخش اسپین الکترون عبوری را افزایش و چگالی حالت های سامانه را کاهش می دهد. بررسی ...

دو دهه اخیر، ابررساناهایی کشف شده اند که تقارن های پارامتر نظم آنها با ابررساناهای موج-s ، که مطابق نظریه bcs جفت شدگی در آنها به واسطه برهمکنش الکترون-فونون صورت می گیرد ، متفاوت است. در اغلب این ابررساناها شواهدی وجود دارد که جفت شدگی به واسطه همبستگی های قوی الکترونی صورت می گیرد که با سازوکار ابررسانایی در ابررساناهای متعارف مانند pb و nb و غیره تفاوت دارد. سازوکارهای جفت شدگی غیر فونونی ...

در این پایان نامه، با استفاده از فرمول بندی تابع گرین غیرتعادلی، انتقال الکترون در نقطه های کوانتومی متصل به اتصالات فرومغناطیسی بررسی شده است. تابع گرین تاخیری سیستم از طریق معادله ی حرکت بدست آمده است و مشخصه های ترابرد به صورت خودسازگار محاسبه شده است. در ادامه، معادلات نرخ برای سیستم شامل تک نقطه ی کوانتومی و دو نقطه ی کوانتومی به طور ضعیف متصل به اتصالات فرومغناطیسی از طریق فرمول بندی تابع...

به طور معمول در تحلیل تغییرشکل­های بزرگ، معادلات بنیادین نرخی مورد استفاده قرار می­گیرند. در مختصات فضائی، تانسور الاستیسیته فضایی، نرخ عینی یک تانسور تنش را به نرخ تغییرشکل مرتبط می­نماید. تانسور الاستیسیته فضایی برای یک ماده مشخص در معادلات بنیادین نرخی مختلف، متفاوت است و یافتن رابطه بین آن­ها مورد علاقه برخی از محققین است. تحقیقات انجام شده در این زمینه محدود بوده و نتایج آن­ها فقط برای چند...

در این پژوهش با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی و فرمول بندی لانداور- بوتیکر، خواص ترابرد وابسته به اسپین از طریق مولکول dna متصل شده به دو الکترود فرومغناطیسی با سطح مقطع محدود، بصورت عددی بررسی می شود. با مطالعه ترابرد همدوس وابسته به اسپین از طریق مولکول dna نشان می دهیم که مقاومت مغناطیسی تونلی(tmr) در ساختار fm/dna/fm وابسته به ولتاژ خارجی است. همچنین نتایج بدست آمده نشان می دهد که ولت...

در حال حاضر تحقیقات وسیعی روی استفاده از مولکول های آلی به عنوان قطعات الکترونیکی و اسپینترونیک مولکولی در حال انجام است. در اسپنترونیک مولکولی از مولکول های آلی به خاطر ساختار قابل کنترلشان، ارزان بودن، انعطاف پذیربودن و همچنین طول همدوسی اسپینی بزرگی که نسبت به فلزات و نیم رسانا های رایج دارند، به عنوان کانال مولکولی مورد استفاده قرار می گیرد. در این پژوهش ابتدا، خواص ساختاری و الکترونی الیگو...

در این پژوهش از نانو نوار آرمچیر به عنوان پایه در سیستم درین + کانال + سورس استفاده کرده ایم، وبا اعمال ولتاژ در پروفایل های متفاوت و با استفاده از روش گرین غیرتعادلی، چگالی حالات وجریان عبوری از کانال را به دست آورده ایم. و در نهایت با استفاده از تونل زنی تشدیدی یک سیستم به عنوان ترانزیستور طراحی کرده ایم

در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیره ی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل می شود، بررسی می شود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیک ترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادی های چپ و راست و دیگری آنچه بین هادی های چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آن ها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرا...

در این پایاننامه به کمک روشهای ماتریس انتقال و تابع گرین، در رهیافت بستگی قوی به مطالعهی رسانش الکترونی نانوسیمهای مولکولی با در نظر گرفتن جملههای پرش الکترون بین همسایههای دوم پرداختهایم. نتایج این تحقیق نشان می دهد که در طیف رسانش یک زنجیرهی اتمی، پهنای ناحیهی تشدیدی کاهش یافته و یک گاف انرژی جدید ایجاد میگردد. باافزایش قدرت انرژی پرش الکترون با همسایههای دوم، ناحیهی تونلزنی افزایش مییابد و ش...