گرایش به تحقیق پیرامون تولید و کاربرد انرژی­های تجدیدپذیر، ازجمله بیودیزل، به­منظور کاهش گاز­های گلخانه­ای و آلایندگی­های ناشی از سوخت­های فسیلی، یکی از مهم­ترین مواردی است که در سیاست­های جهانی به آن پرداخته شده است. خواص دی­الکتریک (έ، ثابت دی الکتریک و ″ε، فاکتور اتلاف دی الکتریک) مواد نقش عمده­ای در طراحی سامانه مایکروویو و فرایند تولید و فرآوری بیودیزل دارند.هدف از این پژوهش بررسی و ارزیاب...

افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...

در چند دهه گذشته، به دلیل استفاده از مشددهای دی الکتریکِ سرامیکی صنایع مخابراتی بالاخص ارتباطات بی سیم دچار تغییرات اساسی شده است. مشددهای دی الکتریکی به عنوان رزوناتور،باید دارای ضریب دی الکتریک بالا به منظور تسهیل در کوچک تر کردن مدارات الکترونیکی، مقادیر فاکتور کیفیت بالا به منظور به گزینی فرکانسی آن ها و ضریب دمایی فرکانس رزونانس نزدیک به صفر به منظور پایداری فرکانس در برابر دماباشند.اخیرا ب...

در این پژوهش، به ساخت و بررسی تخلیه سد دی الکتریک میکرومتری در فشار اتمسفری پرداخته شده است. بدین منظور به صورت کلی پلاسمای اتمسفری معرفی و سپس میکروتخلیه های فشار اتمسفری که در طبقه پلاسماهای اتمسفری غیر حرارتی قرار دارند بررسی شده است. از میان میکروپلاسماها، ویژگی-ها،مبانی فیزیکی وشرایط ارائه میکروتخلیه های کاتد با حفره میکرومتری (mhcd) در فشار اتمسفری بررسی شده است. در ادامه روند ساخت سیستم ...

در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...

پیشرفت روزافزون صنعت میکروالکترونیک، نیازمند ارتقای مواد الکترونیکی پیشرفته از جمله سرامیک­های دی­الکتریک با ثابت دی­الکتریک بالا برای کاربردهایی نظیر خازن­ها می­باشد. دی­الکتریک­های برپایه اکسید نیکل دسته­ای از این مواد پیشرفته می­باشند، که به علت داشتن ثابت دی­الکتریک بسیار بالا در محدوده دمایی گسترده، در سال­های اخیر مورد توجه محققان بوده­اند. در این پژوهش، سرامیک­ دی­الکتریک li0.05ni0.95o ب...

در این تحقیق نانوفریت های مس cufe2o4 ، آلاییده با یون های روی و نیکل با فرمول های عمومی cu1-xmxfe2o4 که m نشان دهنده نیکل ( x= 0 ,0.5 ,1) و روی ( x = 0 ,0.25 ,0.5 ,0.75 ,1 ) می باشد ، به روش سل – ژل سنتز شدند. تحلیل الگوی پراش اشعه x نمونه ها نشانگر تشکیل ساختار مکعبی اسپینلی با گروه فضایی fd3m بود که ساختار و گروه قضایی فریت ها می باشد. پس از تأیید ساختار نمونه ها به کمک الگوی پراش ، قرص دی ...

بررسی تاثیر خاصیت شنل پنهان ساز پلاسمونیکی دولایه متحدالمرکز بر یک استوانه دی الکتریک بی نهایت است، زمانی که این استوانه به عنوان سلول پایه در یک بلور فوتونی دوبعدی جایگزین یک استوانه دی الکتریک بدون پوشش با طول بی نهایت میگردد. هدف، بررسی و مقایسه طیف عبوری دو بلور فوتونی ذکر شده در حالت های مختلف است

ظهور فراماده گستره جدیدی از برهم کنش های نور با ماده را گشوده است و باعث ایجاد موقعیت های منحصر به فردی در کنترل نور شده است. ساختارهای فلز-دی الکتریک ازجمله محیط هایی هستند که متفاوت بودن ثابت های گذردهی باعث ایجاد امواج سطحی پیشرو و پسرو در آن ها می شود. یکی از قابلیت های این ساختارها کنترل امواج الکترومغناطیس با تغییرات ضخامت لایه¬های فلز و یا دی الکتریک است. از آنجا که رفتار یک محیط پلاسمای...

تاباندن نور کانونی ‏شده، موجب گرم ‏شدنِ موضعیِ سیال حاوی یون‎های مثبت و منفی و ایجاد شیب میدانِ دما، پیرامونِ ناحیه ‏ی کانونی، می‏شود. یون‏های مثبت و منفی در حضورِ شیب میدان دما به سمت ناحیه ‏ی گرم‏تر و یا سردتر حرکت می‏کنند؛ اما این تمایل و حرکت برای دو نوع یون یکسان نیست و یکی از دو نوع یون بیش از دیگری در ناحیه‏ ی کانونی مجتمع می‏شود. این به معنای ایجاد بار الکتریکی خالص و معلق در آب، در ناحیه ‏ی...