چکیده هدف از این پروژه، رسوب دهی هم زمان نیکل، منگنز و گالیوم درون حفرات قالب اکسید آندی آلومینیوم به صورت آلیاژی می باشد. این آلیاژ حافظه دار مغناطیسی است و سنتز آن به صورت نانوسیم برای اولین بار می تواند راهگشای کاربردهایnems باشد. به همین منظور ابتدا رسوب دهی آلیاژ نیکل-منگنز بهینه شده و سپس گالیوم به سیستم رسوب دهی اضافه گردید. تاثیر پارامتر های رسوب دهی مثل دانسیته جریان، غلظت نمک ها و ph...

در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...

در این مقاله، بر اساس نظریه تابعی چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته، پس از بهینه سازی ساختار نانوسیم های اکسید روی با سطح غیر اشباع و اشباع شده با اتم های هیدروژن در جهت [000 1  ] ، به مطالعه اثرات فشار تک محور بر ساختار نانوسیم و محاسبه مدول یانگ و ضریب مؤثر پیزوالکتریک آنها پرداخته ایم. همچنین تأثیر فشار تک محور بر قسمت موهومی تابع دی الکتریک را نشان داده ایم.

با توجه به کاربرد وسیع نانوساختارهای نیم رسانای zno در ساخت وسایل اپتوالکترونیکی، حسگرها، ذخیره ی انرژی و هم چنین استفاده ی آن به عنوان کاتالیست، این موضوع انتخاب شد. آلایش ناخالصی در نیم رساناها با عناصر مختلف بر خواص فیزیکی مثل خواص الکتریکی، اپتیکی، مغناطیسی و ساختاری به شدت اثر می گذارد که برای کاربردهای عملی بسیار مهم است. به طور کلی عناصر مورد نظر که به عنوان آلایش در zno استفاده می شوند ...

نانوسیم های آلیاژی آهن- کبالت- کروم به روش آندایز دومرحله ای ‏درون قالب اکسید آلومینیوم متخلخل ساخته شد. آندایز آلومینیوم با سه اسید مختلف انجام ‏شد و سپس با روش الکتروانباشت شیمیایی حفره های تشکیل شده روی اکسید آلومینیوم آندی را پر کرده و نانوسیم هایی با اندازه های مختلف ‏ایجاد شدند. شرایط مختلف انباشت از جمله‏ بسامد‏، ولتاژ و تغییر اسید بر روی خواص ‎‎‏مغناطیسی مورد بررسی قرار ‏گرفت. ابتدا نان...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs  وZnO  پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان ‌داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیم‌رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی ...

اسپینترونیک شاخه ی جدیدی از نانوالکترونیک است که بر استفاده از اسپین الکترون برای ساخت قطعات الکترونیکی جدید با کارایی بالاتر نسبت به الکترونیک سنتی تاکید دارد. نانوساختارهای مختلط فرومغناطیسی و ابررسانایی عناصر اصلی اسپینترونیک را تشکیل می دهند. مطالعه ی خصوصیات ساختارهای مختلط فرومغناطیسی و ابررسانایی به دلیل پتانسیل بالای آنها برای کاربرد در ساخت قطعات الکترونیکی جدید بسیار مورد توجه قرار گر...

در این تحقیق، نانوسیم های مغناطیسی نیکل به روش الکترونهشت پالس ac درون قالب آلومینای آندی ساخته شده به روش آندایز دو مرحله ای رشد داده شدند. لایه سدی کف حفره ها در یک آندایز غیر تعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا ولتاژهای 16، 14، 12، 10 و 8 ولت نازک-سازی شد. اثر جریان های 10 و 20 میلی آمپر در ولتاژهای نازک سازی و زمان های خاموشی متفاوت بر درصد راندمان الکترونهشت، درصد پر شدگی حفره ها وکیفیت نانوسی...

معرفی معاونت فناوری پژوهشگاه پلیمر و پتروشیمی ایراناخبار علمی.نانوذراتی که عفونت را در زخم متوقف می سازندنانواسفنج های جاذب آلودگی دریادرمان دیابت به کمک علم پلیمر پوشش های پلیمری که مقاوم ترین باکتری ها و.....تولید بطری های پلاستیکی سازگار با محیط زیست توسعه اولین فناوری ساخت نانوسیم از پلیمرکنترل ساختار پلیمر به وسیله سنتز زیست تقلیدی نسل جدید پیل های خورشیدی پلیمریکشف پلیمر دوبعدی معرفی کتاب...