امروزه بکار‌گیری گرافن و ساختارهای نانوی آن در صنعت الکترونیک و الکترونیک نوری توسعه زیادی پیدا کرده است. این ساختارها در شکل‌هایی نظیر نانو نوارها، نانو مش‌ها و نقاط کوانتومی دیده می‌شود. محاسبه پارامترهای الکترونیکی و اپتیکی این ساختارها دغدغه اصلی محققین است. از جمله این پارامترها هدایت نوری آن‌ها بوده که در کاربردهای الکترونیکی و مخابراتی آنها کاربرد زیادی دارد. وجه اشتراک این ساختارها ایجا...

در سال های اخیر، کاربرد فناوری موجبرهای مجتمع شده در زیرلایه siw (substrate integrated waveguide) در ساخت ادوات مایکرویو مانند آنتن باعث فشردگی ساختار، کاهش هزینه های ساخت، کاهش تلفات و سازگاری با مدارات مسطح شده است. آنتن های حفره ای همراه با عناصر تشعشعی مانند شکاف و پچ خصوصیات تشعشعی مناسبی شامل بهره زیاد و بازده تشعشعی بالا را ارائه می دهند. علاوه بر آن، این نوع آنتن ها مزایای حذف تشعشعات م...

آنتن های میکرواستریپی به دلیل مزایایی از قبیل وزن سبک، حجم کم و تولید آسان با استفاده از تکنولوژی مدار چاپی بسیار مورد توجه اند. مهم ترین مشکل این آنتن ها پهنای باند کم و تلفات شبکه تغذیه ای و در نتیجه بازدهی تشعشعی پایین آن است. در این پایان نامه برای رفع مشکل تلفات تغذیه از تغذیه سری استفاده شده است. یک آنتن میکرواستریپی با تغذیه سری، یک آرایه خطی از عناصر میکرواستریپی است که به صورت سری به ی...

در این پژوهش اثر سورفکتانت های پلی اتیلن گلیکول و پلی متیل متااکریلات بر خواص فیزیکی و جذب راداری هگزافریت باریم تهیه شده به روش سل-ژل احتراقی بررسی شد. به منظور بررسی های فازی، موفولوژی و خواص مغناطیسی محصول نهایی به ترتیب از آنالیز پراش اشعه ایکس (xrd)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) و مغناطیس سنج نمونه مرتعش (vsm) استفاده شد. همچنین پارامترهای الکترومغناطیسی نمونه های سنتز شده با استفاده از ...

از آنتن های موج نشتی در کاربردهای پویش فرکانسی استفاده می شود. جهت پرتوی اصلی این آنتن ها با فرکانس تغییر می کند به طوری که با افزایش فرکانس، پرتوی تشعشعی در آنتن های موج نشتی راستگرد از پهلوتاب تا جلوتاب و در آنتن های موج نشتی چپگرد-راستگرد ترکیبی (crlh) از پشت تاب تا جلوتاب حرکت می کند. در این پایان نامه در ابتدا موجبرهای مجتمع شده در زیرلایه (siw)، آنتن های موج نشتی و خطوط انتقال چپگرد-راستگ...

متامتریال یا فراماده یک ساختار مصنوعی و همگن است که خواص غیرعادی الکترومغناطیسی از خود نشان میدهد. همچنین، مواد دست چپی که دارای و منفی هستند، دارای خواص فراماده می باشند. به دلیل خواص منحصر به فردی که خطوط دست چپی از خود نشان می دهند، استفاده از این خطوط در طراحی فیلترها محاسنی به دنبال خواهد داشت. از بین روشهای مختلف پیاده سازی خطوط دست چپی ، ساختارهای رزونانسی عملکرد بهتری در زمینه طراحی فیل...

زمینه و هدف: میدان های الکترومغناطیسی فوق العاده کم فرکانس ناشی از خطوط نیرو، وسایل الکتریکی و تجهیزات پزشکی آثار بیولوژیکی متفاوتی را ایجاد می کنند. سیستم جهانی موبایل (gsm) در زندگی روزمره به طور گسترده ای مورد استفاده قرار می گیرد. این سیستم علاوه بر استفاده از باند فرکانس های بالا، دارای فرکانس پایین نیز می باشد. هدف از این مطالعه بررسی اثر میدان الکترومغناطیسی مدوله کننده امواج پرفرکانس سی...

در این مقاله یک فیلتر جدید میان گذر فوق پهن- باند مایکرواستریپی با استفاده از دو تشدیدکننده‌ی متقارن چند- مدی بارگذاری شده با یک استاب امپدانس پله‌ای تحلیل و شبیه‌سازی شده است. این تشدیدکننده‌ی چند مدی، تشکیل شده است از یک تشدیدکننده‌ی امپدانس پله‌ای سه مدی که برای کاهش سایز مدار به‌ صورت خمیده ترکیب‌بندی شده است و یک استاب امپدانس پله‌ای که در مرکز دو تشدیدکننده‌ی دارای چند مد تشدید تعبیه شده ...

در این پایان نامه یک ساختار باند ممنوعه الکترومغناطیسی هم صفحه فشرده معرفی می شود. ویژگی مهم در طراحی ساختارهای باند ممنوعه هم صفحه نسبت به طراحی ساختارهای باند ممنوعه قارچی شکل حذف وایاهای عمودی است. با ایجاد اسلات هایی روی سلول واحد ساختار باند ممنوعه، می توان اندازه سلول واحد کاهش داد. زیرلایه ضخیم باعث افزایش پهنای باند می شود و ثابت دی الکتریک بالا اندازه ساختارهای باند ممنوعه را کاهش می د...

دربلورهای فوتونی مواد دی الکتریک، به صورت تناوبی مرتب می شوند که باعث ایجاد گاف های ممنوعه ای در عبور فرکانس های نور فرودی می گردند. این فاصله های ممنوعه باند ممنوعه ی نوری (باند گب نوری) نامیده می-شوند. باند ممنوعه به دلیل تغییر ثابت دی الکتریک یا ضریب شکست مواد ایجاد می شود، به طوری که پهنای واقعی این باند ممنوعه به هندسه، اندازه، طبیعت و فضای ماده ای که بلور را می سازد بستگی دارد. در این پای...