نتایج جستجو برای: فرومغناطیس
تعداد نتایج: 354 فیلتر نتایج به سال:
اثراتی همچون اثر گرمامغناطیسی، مغناطوتنگش و مغناطومقاومت در خانواده ترکیبات gd5(sixge1-x)4 قابل توجه می باشد که ترکیب gd5si4 نیز بدلیل دارا بودن گذار فاز مغناطیسی نزدیک دمای اتاق قابل توجه می باشد. در این کار، ما ساختار الکترونی و خواص مغناطیسی ترکیب gd5si4 را با روش تابع موج تخت تقویت شده ی خطی با پتانسیل کامل برپایه ی نظریه تابعی چگالی با استفاده از کد محاسباتی wien2k مطالعه کرده ایم. از آنجا...
در تحقیق حاضر انتقال اسپین در یک سیلیسن نرمال/سیلیسن فرومغناطیس/سیلیسن نرمال مطالعه شد.رسانندگی اسپین که در اتصالات سیلیسنی به طور متناوب با پهنای سیلیسن فرومغناطیس تغییر می-کند، نشان داده شد. همچنین مشخص شد که درجریان بین اتصالات سیلیسنی ،اسپین به خاطر جفت شدن درجات آزادی اسپین،ونقاط دیراک پلاریزه می شود و این پلاریزاسیون اسپین به کمک ولتاژ گیت کنترل میشود. هدف این مطالعه رسانندگی اسپینی در ی...
هدف اصلی این تحقیق، بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک FePt نسبت به دمای بازپخت است. لایههای نازک FePt به روش کندوپاش روی زیرلایه شیشه ای با نرخ 6 و با توان W 110 رسوب داده شدند. خلأ اولیه محفظه کندوپاش برابر Torr 7-10 5 و فشار گاز آرگون mTorr 3 در نظر گرفته شد. پس از تهیه نمونهها، در محدوده 650-450 به مدت 30 دقیقه بازپخت شدند. شناسایی فازی لایه نازک ب...
توده گرانیتوئیدی ظفرقند با وسعت تقریبی 80 کیلومتر مربع با سن اوایل تا اواسط میوسن و طیف ترکیبی گابرو تا تونالیت، در 35 کیلومتری جنوبشرق اردستان رخنمون دارد. این توده نفوذی درون سنگهای آتشفشانی و آتشفشانی-رسوبی ائوسن پهنه ساختاری ارومیه-دختر نفوذ کرده است. برای نخستین بار، تغییرات ناهمگنی پذیرفتاری مغناطیسی (AMS) در توده گرانیتوئیدی ظفرقند با روش ناهمگنی پذیرفتاری مغناطیسی بررسی شده است. بر ...
اغلب سیستمهای الکترومغناطیسی تحت تأثیر میدانهای مغناطیسی متغیر با زمان قرار دارند. تغییر میدان مغناطیسی نسبت به زمان اگر بهاندازهی کافی سریع باشد، موجب بروز پدیدههایی در مواد فرومغناطیس میشود که در اصطلاح «اثرات دینامیکی» نام دارد. «جریان گردابی» و «تلفات اضافی» از جملهی این پدیدهها هستند، و در این نوشتار ضمن حل میدانی سیستمهای الکترومغناطیسی به روش اجزاء محدود برای مدلکردن آنها روش...
In this research, work nanopowders of Zn1-xMnxO (0.0) dilute magnetic semiconductor were prepared via sol-gel autocombustion method. The crystal structure and phase purity of samples were confirmed by X-ray powder diffraction (XRD) analysis. The particle sizes were found to be 5-35 nm from Transmission Electron Microscopy (TEM) and Scherer's formula. The hysteresis in the M-H behavior shows the...
تغییر در چگالی الکترونی حالات مختلف نشان از تغییر هیبریداسیون بین حالاتd5 gd و p4 geدارد که این تغییر هیبریداسیون موجب تغییر در قدرت مغناطیسی ترکیب و ایجاد حالات مختلف مغناطیسی در این ترکیب بین-فلزی می شود. شایان ذکر است که حالات مختلف مغناطیسی به تغییر در نوع پیوندهای شیمیایی وابسته است.تغییر اساسی در تعداد کل الکترونهای اقلیت و اکثریت نشان از تغییر در گشتاورهای مغناطیسی از یک شکل ترکیب به شکل...
چکیده خواص ساختاری،الکترونی و مغناطیسی انبوهه ونانولایه های xy2(x=u,pu , y=ga,ge) را در حضور اسپین – مدار و در غیاب اسپین - مداربر پایه ی نظریه ی تابعی چگالی و با استفاده از برنامه ی رایانه ای وین مورد بررسی و مقایسه قرار داده ایم. خواص ساختاری ترکیبات xy2(x=u,pu , y=ga,ge) در حالت انبوهه را در فاز غیر مغناطیسی و فرومغناطیسی بررسی نموده ایم. محاسبات انرژی کل نشان می دهد که این ترکیبات در حا...
با بررسی مفهوم پراکندگی های هسته ای و مغناطیسی، سطح مقطع پراکندگی در دو حالت کشسان و ناکشسان بدست می آید. در این تحقیق پراکندگی از بلورهای فرومغناطیس و پارامغناطیس مورد بررسی قرار می گیرد. قبل از آن، دو مدل جایگزیده و الکترون آزاد برای یک سیستم بلوری تعریف می شود و در هر سیستم حالت کشسان و ناکشسان پراکندگی مغناطیسی بیان می گردد که در این تحقیق سطح مقطعی پراکندگی در مدل جایگزیده بررسی می شود و ب...
در این مقاله، ترابرد ذرات مانند فرمیون های دیراک روی سطح یک عایق توپولوژیک در عبور از میدان الکتریکی خارجی و میدان مغناطیسی ناشی از حضور یک لایه فرومغناطیس بررسی شده است. در ابتدا مروری بر ویژگی های عایق توپولوژیک داشته و سپس با استفاده از معادلات دیراک هامیلتونی الکترونهای عبوری از روی سطح را مینویسیم. با استفاده از تبدیلات لورنتس هامیلتونی مورد نظر را حل کرده و ویژه انرژی ها یا ویژه مقادیر ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید