در این مقاله برآنیم، که تقویت کننده هدایت انتقالی (ota1) در تکنولوژی cmos را از طریق بدنه (bulk driven) راه اندازی کنیم. با این روش به مدارهایی با توان مصرفی پایین دست می یابیم که با توجه به پهنای باند مناسب آن، برای کاربردهای فرکانس بالا در وسایل مخابراتی بی سیم و لوازم پزشکی و... قابل استفاده است. ota یکی ازساختارهای بنیادی تقویت کننده هاست. در دهه ی اخیر، طراحان مدارهای آنالوگ به دنبال طرحها...

بواسطه افزایش عوامل ایجاد مشکلات کیفیت توان در شبکه های برقرسانی و همچنین افزایش بارهای حساس به کیفیت توان، موضوع کیفیت توان در شبکه های برق اهمیت روزافزونی یافته است. ورود منابع پراکنده به شبکه توزیع این اهمیت را دوچندان کرده است که این بواسطه دو دلیل تاثیرات مثبت و منفی است که این منابع می توانند بر روی پدیده های کیفیت توان داشته باشند. بررسی دقیق منابع پراکنده از نظر اندازه، مکان و نوع به عن...

در چندین دهه اخیر، تکثیر جهانی کامپیوترها، سیستم های الکترونیکی و تجهیزات قابل انتقال، باعث شده که طراحان و محققان تمرکز بیشتری بر طراحی سیستم های ولتاژ و توان پایین داشته باشند. یک ota ولتاژ و توان بسیار پایین در این پروژه پیشنهاد شده است. برای طراحی مدارات ولتاژ پایین، آینه جریان ها و طبقات ورودی و خروجی بررسی می شوند. روش های زیادی برای طراحی otaهای ولتاژ و توان پایین وجود دارد. یکی از این...

: یکی از کاربردی ترین بلوک های به کار رفته در سیستمهای آنالوگ و سیگنال مخلوط تقویت کننده های عمیاتی می باشند. تقویت کننده های عملیاتی همه منظوره می توانند به عنوان جمع کننده، مشتق گیر، انتگرال گیر، بافر ، مقایسه کننده ، مبدل امپدانس منفی و سایر کاربردها استفاده شوند. در این پایان نامه ، طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی جدید بهره بالا و توان پایین مبتنی بر ترانزیستور فین فت با نرم افزار hsp...

یک فشرده ساز، بلوک سازنده بسیاری از مدارات محاسباتی می‌باشد. طراحی یک فشرده ساز که مساحت کوچکتر، توان مصرفی کم و سرعت بالا دارد همواره مورد تقاضا می‌باشد. از آنجاییکه طول کانال به سمت مقیاس نانو میل می‌کند استفاده از MOSFET به عنوان افزاره پایه در فشرده‌ساز اکنون به محدودیت های عملکردی خود از قبیل اتلاف توان میانگین و سرعت نائل می‌شود. در این مقاله، یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی با استفاده از ...

در این رساله به محاسبه ی پتانسیل تک ذره ، جرم موثر وانرژی تک ذره مایع نرمال هلیم 3 با استفاده از پتانسیل لنارد-جونز پرداخته شده است. روش استفاده شده، روش وردشی با پایین ترین مرتبه ی قید( locv) وهمچنین روش وردشی توسعه یافته با پایین ترین مرتبه ی قید( elocv) می باشد. نشان داده شده که انرژی تک ذره در تکانه های مختلف با افزایش تکانه افزایش می یابد ونتایج مربوط به آن با نتایج روش های دیگر مانند روش ...

با ادامه روند کوچک شدن طول کانال ترانزیستورها در تکنولوژیهای cmos مقیاس نانو، جریان نشتی افزایش می یابد بطوریکه توان نشتی، مخصوصا در گیتهای عریض، مولفه بسیار زیادی از کل توان تلفاتی سیستم را تشکیل می دهد. از سوی دیگر افزایش جریان نشتی منجر به کاهش مصونیت در برابر نویز مخصوصا در گیتهای دینامیکی عریض (با درون دهی زیاد) می گردد. بنابراین کاهش توان نشتی و افزایش مصونیت در برابر نویز به موضوع مهمی د...

هوشمندسازی و استفاده از قابلیت­های مصرف­کنندگان نهایی در راستای سیاست­های کلان بخش صنعت برق می­باشد.   با معرفی ادوات اندازه­گیری هوشمند در سطح مصرف­کنندگان­ نهایی موقعیتی فراهم گردید که بتوان از بازخوردهای این ادوات به منظور بهبود سطح ولتاژ، کاهش تلفات، بهبود پایداری ولتاژ و ... استفاده نمود. برخی از ادوات مصرف‌کنندگان نهایی از مدارهای واسط الکترونیک قدرتی به منظور تامین توان موردنیاز خود استف...

یک فشرده ساز، بلوک سازنده بسیاری از مدارات محاسباتی می‌باشد. طراحی یک فشرده ساز که مساحت کوچکتر، توان مصرفی کم و سرعت بالا دارد همواره مورد تقاضا می‌باشد. از آنجاییکه طول کانال به سمت مقیاس نانو میل می‌کند استفاده از MOSFET به عنوان افزاره پایه در فشرده‌ساز اکنون به محدودیت های عملکردی خود از قبیل اتلاف توان میانگین و سرعت نائل می‌شود. در این مقاله، یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی با استفاده از ...

پیشرفت سریع در حوزه مدارهای مجتمع در دهه اخیر، چنان رشدی داشته است که در حال حاضر مجتمع سازی سیستم های پیچیده بر روی یک تراشه (soc) را ممکن ساخته است. یکی از ساختارهای مداری مناسب برای طراحی مدارهای مجتمع سیگنال مخلوط مدارهای سوئیچ-خازنی هستند. مدارهای سوئیچ-خازنی به طور گسترده در طراحی فیلترها، تقویت کننده های ابزار دقیق، مبدل ولتاژ به فرکانس، مبدل های داده، آرایه خازنی قابل برنامه ریزی، مدولا...