در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

مقره‌های پلیمری خطوط هوایی در مدت بهره‌برداری تحت تنش‌های الکتریکی، محیطی و مکانیکی بوده به‌طوری‌که این عوامل، مقره را دچار پیری نموده و باعث افزایش جریان نشتی و کاهش ولتاژ قوس الکتریکی می‌شوند. ترکیب آلودگی و رطوبت هوا مسیری با امپدانس پایین روی سطح مقره ایجاد نموده و درنتیجه جریان نشتی بیش‌تر و ولتاژ قوس الکتریکی کاهش می‌یابد و این موضوع باعث وقوع خطا در مقره شده به‌طوری‌که این امر در مقره‌ها...

چکیده: در این مقاله یک تقویت­کننده لگاریتمی کم­مصرف با نویز پایین، برای استفاده در بخش جلویی میکروسیستم­های ضبط سیگنال­های زیست-پتانسیل، ارائه شده است. به­منظور جلوگیری از افزایش دمای بافت و تخریب آن در حـوالی الـمان کاشتـه­شده، عملکرد کم­مصرف در سیستم­های ثبت سیگنال عصبی، بسیار حیاتی و مهم است. مشخصه لگاریتمی با استفاده از تقریب­های تکه­ای-خطی محقق شده و از ساختار جمع موازی برای پیاده­سازی تقو...

این پروژه روشی جدید برای تولید قوس الکتریکی با جریان قابل انتخاب ارائه می¬کند. در این پروژه بخش تولید قوس الکتریکی یک دستگاه طیف¬نمای نوری، که دارای قابلیت¬های کنترل میزان جریان، مدت و تکرارپذیری برقراری قوس می¬باشد، طراحی، شبیه¬سازی و ساخته شده است. از آنجا که بر اساس مشخصه قوس الکتریکی برای شروع قوس نیاز به ولتاژ بالا بوده ولی پس از برقراری قوس ولتاژ آن افت می¬کند، به منظور کاهش قدرت مورد نیا...

این مقاله یک الگوریتم کنترلی جدید برای فیلترهای توان اکتیو (APF) ارائه می دهد که هارمونیک و توان راکتیو یک یکسوکننده پل تریستوری سه فاز را تحت سناریوهای مختلف ولتاژ غیر ایده آل جبران می کند. کنترل کننده با استفاده از جریان بار، ولتاژ منبع و ولتاژ باس DC، جریان مرجع APF را محاسبه می کند. سیگنال های APF با استفاده از این پارامترها بواسطه یک کنترل کننده جریان باند هیسترزیس تولید می شوند. تولباکس س...

در این مقاله ساختاری جدید جهت تحقق تقویت‌کننده مقاومت انتقالی (TIA) پیشنهاد می‌شود. ساختار پیشنهادی با استفاده از یک ترانزیستور سورس پیرو و ترانزیستور سورس مشترک، به‌عنوان فیدبک ولتاژ-جریان، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی را کاهش می‌دهد. در این ساختار به‌جای استفاده از مقاومت برای تبدیل جریان به ولتاژ، ترارسانایی ترانزیستور به ترا امپدانس تبدیل می‌شود و با تزریق جریان به درین ترانزیستور، خروجی ولت...

در این تحقیق دو نمونه سلول خورشیدی با استفاده از مواد آلی فولرن (60C) به عنوان پذیرنده الکترون (نوع n) و فتالوسیانین مس (CuPc) به عنوان پذیرنده حفره (نوع p) در خلاء حدود mbar6-10 ساخته شده است. الکترود شفاف نمونه اول فقط از یک لایه� ITO تشکیل شده است در حالی که در نمونه دوم یک لایه اضافی از ماده PEDOT:PSS را نیز روی ITOلایه نشانی کردیم تا تأثیر این لایه را بر منحنی ولتاژ ? جریان سلول مورد بررسی...

در این پایان نامه یک مدل تحلیلی ساده و در عین حال با دقت بالا برای مشخصه های جریان – ولتاژ و سیگنال کوچک ترانزیستورهای اثر میدانی با مدولاسیون ناخالصی almga1-m n/gan ارائه شده است. در قسمت کنترل بار از مدل ارائه شده، تغییرات تراز فرمی در اثر چگالی بار سطحی، نفوذ تابع موج گاز الکترون دو بعدی در لایه جدا کننده و همچنین اثرقطبش های پیزوالکتریک و خودبخودی در فصل مشترک ساختار ناهمگون در نظر گرفته شد...

در این مقاله نظریه تشدید تونلی در چند لایه های al(x)ga(1-x)as/gaas, بررسی شده است. طیف انرژیهای تشدید و وابستگی آن به ساختمان سد از روی منحنیهای عبور سد, برحسب انرژی و مشخصه جریان - ولتاژ در دمای مشخص و سطوح فرمی معین, آنالیز شده است. فرمالیزم حاضر براساس تقریب جرم موثر است و نتایج براساس محاسبات عددی مستقیم به دست آمده است. تا به حال توسط دیگران این محاسبات برای حالت 3 سد انجام شده است و در ای...

نانو ذرات  siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه  p-si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند در نتیجه نمونه °85 توانایی حمل جریان بیشتر در ولتاژ های مشابه از خود نشان می دهد. این در حالیست که مساحت سطحی و در ن...